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【讨论】变压器密绕跟散绕 [查看此贴精编版]

来源:    作者:    发布时间:2018-04-20 09:18:50    浏览量:

今天一个朋友问我一个问题:变压器散绕是否会影响输出电压?

我想了下,这么回答他的:要看绕组的分布情况,一般散绕的话,输出电压更稳定,而且输出电压略高。

最后他跟我说,他那边的实际测试情况也是这样的,具体参数在公司,没有给我。

大家讨论下,密绕跟散绕是否真是我分析的这种情况,有哪些参数在影响输出电压?

关注一下,瞎说一下.

密绕与散绕的区别,扎间电容,趋肤效应?

不好意思,冰版!什么叫密绕和散绕??

这个是关于变压器的绕制工艺问题了

密绕就是一匝挨着一匝,使绕组紧密排列的一种绕线方式

散绕,也叫疏绕,就是当绕组饶不满一层的时候,使绕组均匀的分布在骨架窗口上。

恩,学习了。。。

学习了 懂了

这个帖子很好!

收藏了!

学习了

还有一种绕法是“乱绕”,既不一匝挨一匝,也不是稀稀疏疏,而是“乱七八糟”斜来歪曲绕,也可以有效降低分布电容。 还有乱绕这一说法 哈哈,還有這麼一說的啊,大神 亂饒的變壓器漏感大吧,記得製作工藝上要求不要疊線的說。。。 按现在的绕法,密绕与散绕(不规则绕法)是一回事,想要密绕,绕出来是散绕,只有绕一层导线,垫一层纸才会出现密绕,由于效率低,现在已无人采用这种方法。

学习了,,,

输出电压略高?是多路输出吗?

学习.

在绕组密绕不能绕满骨架一层时,因该散绕均匀分布绕满骨架一层。 具体还不清楚,只是说了同样匝数,散绕的那个绕组电压要高 多路输出,匝数正确,散绕的那个绕组电压会高些吗? 同样匝数,我认为密绕和散绕的绕组输出电压应不会有什么区别的,有区别的应是匝间分布电容,我个人更主张用密绕的方式,那样看着会更舒服一些,但在实际操作中因成本问题没有人会去那样做的。 同意密饶,散饶漏感大,散饶的效率好像没那么高吧??? 一层绕不满,可以中间密绕。散绕漏感太大,乃致带负载能力差。输出电压这两种情况应该相差不大。 如果匝数绕不满一层呢?那样的话是否密绕比散绕漏感大? 同意上面的说法,可能是绕一层的情况下,这样散绕一层比密绕耦合更好 散绕,匝间电容小了,这是好事。。。听分析! 看到这个贴我很郁闷,一个做过视频和在N多人面前演讲过的人,居然连这个都不清楚。可以说实践经验不够,理论也不是很好。本来对你没什么意见的,就是见到这个贴,还版主? 楼主提的问题不一定本人不清楚,而是有一定启发作用。

支持 版主肯定是清楚的 只是别人问到了 拿出来讨论

11楼讲讲吧,到底哪种绕法好,我只知道密绕分布电容大,散绕漏感大 11楼的太偏激了!好好看清楚楼主的用意!难道非要取个标题:来,我给大家上一课!!!

闻道有先后,术业有专攻,如是而已。

金无足赤,人无完人,切勿吹毛求疵。

有话题是来讨论的不一定要讲课,灌输

呵呵,兄弟,我回答朋友说的散绕电压略高,输出更稳定,自然有我的道理

如果你认为我是猜的,我也不跟你争辩;咱们好好的分析,拿出你的实测数据出来,然后好好的把道理分析出来,只要你的推理正确,相信大家都会尊重你,当然也包括我。

昨天休息,那个朋友的数据在公司,明天我联系下他,争取能拿到数据。

期待真相,冰版今天还上班的啊

我觉得要从绕制工艺上确定两种绕法,对变压器的寄生参数到底有何影响~

对输出电压的影响,我倒觉得影响不大,对电压尖峰倒是有很大影响,两种绕法产生的漏感和分布电容,是有差别的~

分布参数上肯定是有区别的,另外在带重载的时候,如果不是占满整个窗口的密绕,输出电压比散绕的输出电压要低,我有实际碰到过。

冰版的意思是:一款电源工作在同样的输入和负载下,换了个变压器,输出就发生变化了吗?

我没做过这个试验,但从理论上来说,输出电压是靠反馈来稳住的,输出电压的取样,等于参考电平,换了个变压器,不该有太大的电压变动。

希望冰版能深入讲讲其中的原因~

反馈的那个绕组电压时不会变的,讨论的应该是变压器其他非反馈的绕组。

我觉得这个可以用 输出绕组和反馈绕组的耦合系数来考虑~

散绕的时候,有效耦合系数,比紧绕的有效耦合系数要高,因为紧绕的情况有一部分磁能没有互相耦合,漏感也大。

这个说法我赞成 bode这个说到点子上了,根本原因就是耦合程度不同 这里请教一个问题:在一个EER35磁芯的变压器上,Vcc用散绕满层,测出的电压比密绕在针脚端的电压要低,比密绕在针脚的对端的电压要高。当然这不是绝对情况,有时会完全反过来。请问这是什么原因呢? 帖子:{共享10本开关电源设计书籍--每一本都是经典!(新增《开关电源设计(第三版)》中文PDF)}http://bbs.dianyuan.com/topic/707096第8本书有所涉及。

你这个要用示波器看,看VCC电压是不准的,因为VCC需要的电流小,漏感能量大了都可能会影响到VCC电压,

密绕在一端的情况出现差异,主要应该是打磨的那一半磁芯在不同的两端都会影响到漏感,你拆开对调一下两半磁芯就知道了。

VCC的绕组建议是均匀绕满一层,这样一致性比较好

来学习来了,各位大神辛苦了,led电源

同样也是耦合程序的问题

平均疏绕和居中密绕效果相当

希望偏一次侧的密绕VCC高;偏二次侧的密绕VCC低

讲的非常好。好好学习

向大家学习。

BODE兄,小弟请教:为什么散绕的有效耦合系数比紧绕要高,紧绕为什么漏感会更大? 理想变压器耦合系数1,说明没有漏感。那说明耦合系数越高,漏感越小才对啊。 还是多看看赵修科的书有好处。

手里正好有一本赵修科的《开关电源中的磁性元件》,翻了下,书中有一小节提到这个问题,减少漏磁的主要方法--线圈交错绕。

本人刚刚接触电源这块技术,本着虚心的态度向大家学习,下面摘抄书中的内容:

为了减少漏感,可将初级和次级都分段。例如分成初级1/3-->次级1/2-->初级1/3-->次级1/2-->初级1/3 或 初级1/3-->次级2.3-->初级2/3-->次级1/3等,最大磁场强度降低到1/9 。但是,线圈分得太多,绕制工艺复杂,线圈间间隔与线圈高度比例加大,充填系数降低,同时初级与次级之间的屏蔽困难。

在输出与输入电压都比较低的情况下,又要求漏感非常小,如驱动变压器,可以采用双线并饶,同时采用窗口宽高比较大的磁芯,像罐形、RM型、PM铁氧体磁性,这样,在窗口中磁场强度很低,可以获得较小的漏感。

2012年碰到一个案例,变压器工程师为了节省作业工时,将原本三层密扰改为2层,结果量产出大问题,所有效率降低了5%,而且随着温度变化效率不稳定。应该和楼主说的这些很相似。学习了 会低很多吗,冰老师? 我最近做了一了个推挽 主输出8匝 辅助绕组6匝(原本设为12匝,12匝时电压很高 ,差不多50V,后来才改的) 主输出8匝 10V 可辅助绕组6匝却能到17.5V 很是不解! 辅助绕组是绕最外面 是散绕 主输出时密绕。 就是这个问题而已 电路现在工作完全正常 这个我倒觉得是因为6匝的没有负载。

主匝有带载吗?,辅助绕组加一点假负载

是散绕 加长了线的长度,输入线的匝和输出一的匝成比列,但线长度也有影响,我做打鱼时就那时老碰到这问题,i散绕电压高,应该是峰波电压高,但带载差,密绕电压低一点,峰波没那么高,但带载要强,不知我说的对不 看了bode老师的话 好像真的是耦合得问题 因为反馈是接的主输出 而主输出与辅助绕组之间耦合得不是很好 所以没有能对辅助绕组形成闭环控制 是吗 冰老师

你用这个不肯定的语气来问大家了,证明你以前的实践就不是很多,只是理论多,关于这个问题,如果做过很多量产的人,心里会很清楚了。当然这个不包括尊不尊重的问题,在网络上有什么尊不尊重的,回你这个贴我都早知会被人骂的了。不过你说的是对的

兄弟,何必呢?

冰版在这里提出问题,与大家探讨,肯定是自己认真思考过这个问题,并且有心得与大家分享。

哪个论坛要求版主技术必须全面呢?人无完人,金无足赤,冰版在这里并没有教导大家的义务,但他依然在这里分享自己的技术所得,这种无私的精神,首先就值得我们尊敬。

论坛不是讲坛,你并没有付费,别人没有教导你的责任。论坛的重点,在于一个论字,看不惯别人发贴的口气,可以闭口不言。何必这么吹毛求疵呢?听阁下的口气,貌似很有高见,愿听其详~

支持

要说实践,06年的时候,我碰到过这个问题,当时一款电源试产,部分电源VCC重载时,电压会变低,绕组采用密绕,后经改成匀绕把问题解决了

当时没有深入研究下去,现在既然有人碰到这个问题,我想拿出来大家讨论下,争取将变压器绕制工艺跟电气性能这个理论深入研讨一下,使之具有普遍意义!也好让大家以后设计变压器时少走弯路。这就是我的初衷!

这位兄弟一直说我没有实践,我从02年到现在一直从事电源RD工作,设计量产过的机型有近百种,自己亲手绕过的变压器不少于上千个,不是吹牛,一般的变压器工厂的技术员绕变压器可能还比不过我。没有炫耀的意思,只是为了回答你的质疑。

所讲的问题很实在,解决起来也不是那么容易的。这个和绕组间的耦合程度有很大的关系,散绕结果和原边耦合好的话,在带载的时候,主绕组因为漏感的 原因会产生尖刺而耦合到另一个绕组,导致该绕组也有尖刺而 使该绕组电压高。很多反激电源其辅助电源在短路的时候并没有下降。
我实际中遇到绕组布不满一层的情况,都是采用散绕的方式。有了电压尖峰,就加吸收。 VCC绕组的位置问题确实会导致你说才那种情况,特别是在多组输出的时候更甚 冰版请继续,讲讲这个的区别以及分析的过程吧

恩,辅助绕组的电压是跟绕法有很大的关系。对于辅助绕组,散绕的耦合性会好很多。

我相信你的话,我只是一个爱好者而已,接触开关电源也不过才三个月,为了玩我买了示波器,各种各样的元件,不下三千块,一盒子.还买了不少二手货.我一个爱好者都能这样,我相信一个从事该工作10年的工程师做过上千个变压器不是问题,因为我这才三个月也做过十来个了,拆了做做了拆的,还专门买了漆包线呢.呵呵,如果冰板是女孩我就不好说了,人个认为女孩子这方面动手能力会差那么一点,等待女孩子拍我,呵呵我闪!

chunrol,你看看冰版提出这个问题后,很多人都感兴趣。让很多人学到了东西。我们不就是我们“每周一议”的作用吗?

如果人人都像你这样,知道也不说,或者看到自己懂别人不懂的东西就挖苦讽刺。这个论坛会变成什么样子?何况冰版主的初衷还是引起大家的议论。

另外,最好就是论事,如果你了解得很详细你就从技术层面阐述就可以了呀。

很好的一个贴子

本人最近的一款变压器反馈绕组自已作的是密绕,给供应商打样他给我做成了散绕,调出来结果也是一样。

在这里就想问问各位,初级、次级、反馈绕组它们分别采用密绕和散绕,结果会怎样?

另外,这个贴子从头到尾没说到是哪个级采用的散绕,各位理解的是哪个级呢?

关注一下,个人觉得要是单一输出的话,只有反馈绕组能做到散绕或密绕。我们都搞密绕的,因为散绕不好控制,变压器厂家也不愿散绕。

我有同感

其实散绕跟密绕在圈数较多的时候,区别并不是很大,但是在圈数比较少的时候,就有明显的区别了,当然这个跟绕组在变压器中所处的位置也有很大的关系

帖子中所说的变压器是我朋友碰到的情况,我到现在还没有拿到他的数据,所以无法更详细的分析

学习了,先道谢了 版主的意思是讨论加互相学习,但是你言语攻击我觉得没必要,毕竟这是给大家互相补充的,版主只是发个话题,就比如一帮人唠嗑,总的有个方向把,另外,版主人家又不是专门做变压器的,还有人家是谦虚的一个说法

麻烦你看看冰版做的贡献先,

不管怎样个人觉得你说话欠思考与观察

哥们你这ID是你身份证么 天门 无语 我觉得你说这话很不负责,请问你来这个论坛是为了什么? 匝間電容小了會對什麽有影響?

我曾经测量过散绕和密绕的漏感,发现散绕的漏感比密绕要小,不知道漏感的大小和输出电压的高低有什么联系,还望冰版不吝赐教

呵呵,我想看的结果看到了,嘻嘻,我不说一下,哪有哪么多人骂我,哪有哪么热闹啊,你看连管理员都出来骂我了。呵呵。 你果然好无聊。 理解你,来找骂的。 病得不轻

SORRY

感觉这人好贱,,,, 呵呵 ,这位仁兄有点意思! 兄弟,漏感电压是叠加在输出电压上的呀 学习,顶下冰版

也就是说,此时的漏感是次级相对于初级的漏感,冰版不知我的理解对不对?

如果我的理解是正确的,那么初级相对于次级的漏感是不是对输出电压无影响? 还望冰版不吝赐教

我不知道你是怎么测试你所说的漏感的,如果是短路其它所有的绕组,测试VCC绕组的电感,那么测试值应该是VCC绕组对其他所有的绕组的漏感和

漏感不参加能量的传输,但在电路中又要储能与释放能量,所以对电压还是有影响的

我就是将次级短路,然后测初级的电感量得到漏感的,这个漏感的虽然有储能和放能,但是是如何传到次级的这点我还是不甚明白

在反激电源中,想想漏感的概念,以及漏感形成的机理!

漏感的能量是不能传递到次级去的,否则就不能说成是漏感了。

这个机理我是知道的,漏感在初级回路,输出在次级回路,两者之间应该没有相互影响才对的,可是冰版44贴中说“漏感电压是叠加在输出电压上的呀”不知这句话该如何理解

呵呵,我那句话说的意思就是次级对初级的漏感是叠加在输出电压上的,并不能反射到初级去

这样说我就明白了,

冰版在54楼有如下的说法:

如果是短路其它所有的绕组,测试VCC绕组的电感,那么测试值应该是VCC绕组对其他所有的绕组的漏感和。

就四个端子只有一个输出绕组的变压器而言,短路次级,测量初级得到的漏感,有没有包含次级漏感到初级的折算呢?

也就是说测得的漏感,到底是LK1,还是LK1+N^2*LK2?

关注

学习

这点我倒没考虑到,不知bode觉得是不是包括了呢? 是LK1+N^2*LK2

晶版主,这个我有疑问

根据赵老师的实际变压器等效模型,漏感是跟主电感串联的关系,那么90楼bode说的情况,是不是将次级漏感短路掉了?

短路N2(副边或称做Ns)时,Lk2是不能被短路掉的。

请教bode大侠,所谓次级漏感,不是次级没有完全耦合到初级的电感量吗,怎么还能用N*LK1来计算呢 谢谢冰大侠的无私奉献。 辅助绕组密绕时,绕组在中间位置和在边上位置有影响吗?实际测输出电压有变化,而且还不小。 这个我没有实测过,但从理论上来说应该是不同的,跟变压器的磁芯形状有关

主要是气隙的位置影响,绕组离气隙近,电压低。

密绕或间绕(散绕应该称间绕)对输出电压的影响较小。

旅长的意思是气隙的边沿磁通在影响输出电压?

那如果绕组在最外层呢?或者说根本不开气隙的变压器又是个什么情况呢?

应该是气隙的影响。

如果用磁环的话,绕组位置变化,输出电压就不会变化吧?

即使用磁环,也是存在漏感的,在实践中碰到过,但不知道原因。 没有漏感的只有理想变压器,实际中不可避免。 高数兄说的对,漏感是实际变压器中天然存在的,不同的绕制工艺的磁芯,只是漏感大小不同而已

磁环上的气隙是均匀分布的!

LZ

到底变压器密绕和疏绕有什么区别。你要证明给大伙看,不是开头,就没有结尾。我是菜鸟,没有看明白。

既然,你是要给大家做推广,普及。我决的要:第一,给大家灌输理伦知识。第二,要把在实践中的遇到的困难和解决方案分享给大伙。第三,最好是要有佐证。就像您说的,以数据来说话。

论谈,是有正面和反面的。难道说,LZ说的都正确的。

如有说错或者不对,请包含!

还有请教一个问题,现在美国和欧洲那边是不是对变压器有新的安规标准,请指教!

你这说话的语气,好像别人欠你的一样!!?

论坛本来就是讨论的地方,在讨论的过程中,你能学到多少东西,在于你自己的水平,以及对所讨论的东西的理解程度,本帖有多次重复分析了结论,你自己仔细找找。

况且,大家都在上班,有很多事情需要处理,没有及时更新帖子也本是无可厚非的,可按照你这么一说,好像有义务要跟你有个交代一样,你在论坛里给大家发工资了吗?

你想说就说,不说,拉倒吧!

还是版主。

兄台你这态度有问题,别人乐意分享,本身就值得尊敬。你看现实中很多牛人,但人家对你技术封锁。

在论坛上,虽是虚拟的世界,但能见证一个人的言行。

我在57帖所述,是实测结果。

密绕和间绕有两点不同:分布电容及绕组在变压器中所处的物理位置。

如果是AC220V输入的反激电源,工作频率小于100K,付边输出为低电压(高压输出另当别论),每匝的电压一般很低,分布电容对输出电压的影响很小。

匝数相同的绕组离气隙近时电感量小,离气隙远时电感量大。我们可以理解为绕组离气隙近时,绕组的有效匝数少,因此其输出电压就低。

一口气看完这贴子,就世界真奇妙这分析属最精辟

分析很好,学习!

还有呢?好像没有讲完啊,期待中..... 离气隙近时,是因为漏感变大了,所以耦合的有效电感就变小了,因此输出电压就变低了,不知是否可以这样理解? 磁力线在磁芯中构成闭环,磁力线在气隙一侧向外发散后,再收拢汇集到气隙另一侧进入磁芯形成闭环,也就是说磁力线在气隙处向外发散。远离气隙的线圈,磁力线在磁芯的引导下全部穿过,耦合度高。气隙处的线圈有一部分磁力线从线圈外围的空气中绕过,耦合度低,同时漏感也增加。密绕在气隙处时,耦合度低,电压也低。散绕时,气隙处线圈少,耦合度高,电压就高。 这样的解释很合理,也容易理解。

又一位高人出现啦,崇拜之情就象长江之水滔滔不绝,连绵不断啊。。。。。。。。

精辟,学习了。

,分析真好

这个帖子看了很多遍,一直没有回复!

很多朋友都在讨论对输出参数的影响。那密绕及疏绕对老化后的变压器的性能有无影响呢?

恰好我手头上有一个输出差不多算疏绕的,本来输出是5匝,因为用的线径细了,一层没有绕满!用的疏绕的。

现在老化下来,变压器噪音明显,而且通过调电路很难改善(至少偶还没弄好!)。

我估计是你浸的漆不好,老化之后,绝缘漆变质严重,线固定不住了,才有噪声。

会不会有别的原因?就是因为浸漆吗? 太低压输出有这个问题。。。呵。。。。

最近比较忙,所以更小帖子较慢;已经从朋友处拿到了数据,请情况如下

该变压器是个多路输出的电源,参数如下图

3.3V绕组3T,12V的绕组是叠加在3.3V绕组上的,增加了7T,采用的是散绕。

按照比例来算:3.45V/3T=1.15V/T,那么叠加的7T电压为1.15V/T*7T=8.05,理论上12V绕组上的电压应该为8.05V+3.45V=11.5V,但实际测试值为14V,比理论值高了2.5V

大家再讨论下,这个高出的2.5V是由哪些因素导致的!

好帖!

猜想是散绕线圈所处的磁场位置的总磁通会更大些。

呵呵,变压器您是专家,您的这句话应该具有指导意义

我以前也是这么考虑的,密绕在中间,可能有些磁通没有经过此绕组便回去了;而散绕的话,应该有更多的磁通通过这个绕组;这其实就可以归结为绕组的耦合的问题。

再将这个思想发散下,就可以解释为何两个绕组直接并联,为什么会产生环流!

冰版客气了,大家互相学习!

环流是两个绕组的电势差(磁势差导致电势差)引起。如采用双线并绕再并

联,则环流就会很小(两根线位置接近,磁势差就小)。

歪下楼,请问有环流会产生什么不良影响呢?还有在波形上会有什么表现呢?

极微小的环流是没关系的(如双线并绕时)。如偏大了,就会产生温升,影响效率了。 谢谢指点,那么在波形上会不会有体现呢? 当然有区别了。 那如果采用绞合线绕,环流是不是比单股线绕的环流小呢? 绞合方法合理,绞合后的导线总直径不是太大,环流就会极小。 多谢晶版主指点!

多谢晶版主指点!

环流的根源确实是磁势导致的,但我认为这个磁势是因为耦合(漏感)不同,才产生的

我更趋向于“不同位置的磁通分布差别”引起,当然其耦合(漏感)自然是不同的。 冰版,这个帖子中的T代表什么? T:匝 是1圈,TURN的缩写. 明白了,谢谢指点 我刚毕业,最近在做一个多路输出的电源,也发现,两个匝数完全相同的绕组输出电压不同,一个在里层,一个在外层。我用的是密绕。

计算有明显错误

3.45V绕组的V/T应该这样算:(3.45V+整流二极管压降+920mA电流时绕组铜损压降)/3T 呵呵,几天没上来,原来我都有支持者。支持这贴继承下去,支持冰版,支持所有人,呵呵 忘记说了,朋友说的是测量为变压器的端电压,绕组的压降基本可以忽略,因为是叠加的关系 学习了!!顶

3T 920mA绕组因电流大,铜损压降不可忽略,因为你是用3T绕组的电压作为依据,去计算3T+7T绕组的电压。7T 10mA绕组电流很小,铜损压降可忽略。

楼主,不知道你前面测试的数据是,空载时候测试的?还是满载时候测试的?

或者几路的负载不同?

这可能和漏感有很大的关系。

楼上的兄弟搞技术的态度确实很严谨

对的,那这样算出来,就算二极管压降取0.7V,不管绕阻的铜损就是(3.45+0.7)/3=1.383V,那12V那组的电压就是1.383*(3+7)=13.83V,不就是14V吗?

算得很精辟 我觉得版主这个就可以联想一下,为什么哪些垃圾RCC充电器次级一定会有一个假负载电阻了,你可否解释一下RCC(没用光耦的哪种)为什么在次级一定有一个假负载?可以解释这点,我想就可以解释到为什么多了2.5V。

我觉得增加的电压不仅仅跟增加的这7T的绕法有关,还跟3.3V这路的绕法也有关系。在12V输出上叠加了3.3V这一路上的漏感压降。

是的,原因不只一个,是多方面的

其实跟12V这个绕组的负载轻重也有关系,如果将12V这个绕组的负载加大,相信电压也会下来

先做一个假设,输出绕组的漏感和匝数有一定的比例关系。

如果都在空载的时候,可能输出电压正常。在带满载的时候,各绕组流过的电流不同。但是漏感带走的能量和输出绕组的电流有关,相比空载,3.3V带走能量增长的速度大于12V的,所以就导致了12V这一路的输出电压升高。

这是我以前和同事讨论多路输出的心得。可能说的不是很清楚,请谅解。

好贴,学习了

或许是3T的线圈是密绕,只占骨架的一端,导致漏感大,而12V绕组占满一层,漏感小。冰斑竹对吗?

额,这边的3.45V和14V是不是指输出电压,如果是的话那还要考虑输出整流二极管的压降吧,这样还得知道所用整流二极管的压降。

其它路带载时,会使其电压升高。。
那是因为你12V没有带载的原因,做多组输出的时候,没有稳压那一组就会有这样的问题; 各位大侠,本人是刚毕业的一菜鸟,希望大家给我发点有关变压器设计的详细资料,包括磁芯的选用,匝数计算,线径的选择,越全面越好,谢谢了!小弟不胜感激。juyang000@163.com

并绕的话,均流是个难题.

版主什么时候才开古?

估计版主吊胃口吊的正开心呢,我们还是再等等吧

最近有事,好几天没来了

没有吊胃口呀,其实这个帖子始终是个讨论帖,我只是把现象发上来跟大家讨论,我的理解我在很多的回复中已经说得很清楚

我再一次重复我的理解(需要说明的是这不是结论):造成电压不一样的原因是由于耦合不同造成的,当然还有其他的因素,比如漏感,分布电容,绕组的压降等等,但我认为最主要也是最根本的原因,是因为绕组不同的绕法造成各自耦合程度不同,正如晶版主所说:变压器中的不同位置的磁通分布不同,也造成了磁通多的地方耦合好,反之亦然。

当然我的理解也不一定全部都是正确的,这个是仁者见仁智者见智,需要大家一起来提供自己的看法与理解,这样也体现了一个“论”字的精华。

谢谢斑竹的分享。

很多做电源的朋友们没有做过变压器工程师,都认为变压器工程师无作为,按电源工程师的要求来做变压器,其实变压器是很复杂的,从选型到成品都要细致考虑。就绕组的疏绕和密绕来说,

有一个常识就是所有次级绕组不足幅宽的全部要疏绕而且要均匀,所有初级不足的要密绕,反馈绕组尽量中间密绕。如果把反馈绕组用屏蔽用需要疏绕,建议电源工程师用多股线绕满。密绕和疏绕对电路的影响不能简单看,为什么疏绕?

疏绕主要原因是为了加大与其他绕组的耦合密度。一般尽量不要疏绕。

其中反馈绕组的疏密绕对电源的反馈电压和EMI都会产生影响。

一般次级绕一层多的时候多的那几圈要求密绕,所以有提醒我们不太懂变压器的朋友们一定要学会计算幅宽预测绕线,如次级尽量绕满或者多一两圈时减小线径绕满,避免多一两圈造成变压器难生产而且还影响漏感。反馈绕组如果占满幅宽一半时请选择中间密绕,如果只有几圈可以中间疏绕。反馈绕组疏绕和密绕对反馈电压影响不大,但在个别IC的应用中有影响,这时选择两股或者三股线稍小线径的方法来保证。

疏绕有时对EMI也有影响,原因是反馈绕组比较敏感,电源的开关噪声大整改EMI时要考虑反馈绕组的绕线是不不疏绕,请改用密绕中间试一下。

上面的一般次级绕一层多的时候多的那几圈要求密绕改为疏绕,打错字了。

整篇帖子只有你是站在变压器设计的角度在考虑这个问题,比较赞同你的观点.

楼上的兄弟看来对变压器的制作方面很有造诣,不知阁下的这些理论是自己的经验之谈,还是单纯的理论分析?

我在做电源前整整做变压器工程师5年,说明白点,变压器的理论已经很清晰,我以前看过赵修科老师的变压器理论,很透彻,整天讲那些分布电容,变压器仿真图没有用,关键是要设计制作简单和EMI及其他要求合格的变压器,就密绕与疏绕来讲,变压器理论中自成体系不需要你去研究,最重要你怎么设计,你的设计脱离实际没用。变压器设计的关键是初级的圈数与初次级的圈数比,电感的选取跟要设计电路的工作状态有关。

变压器的密绕和疏绕不是很懂

不过看你总结的很清晰,支持。

学习 wqgme88兄说的很有道理,我觉得变压器设计得好,而且用三文治绕法的话,已经很足够了,另外的要从外部来处理了。

继续接着讲:

变压器在开关电源中占据着关键作用,决定着电路的关键技术参数指标及工作状态,就一般中小功率电源而语,设计电源说到底就是设计变压器。学设计变压器方法有多种,其中一条就是我看大师设计的电源,用的变压器的技术参数,为什么5W电源用EE13,10W电源用EE16,15W电源用EE19,20W左右用EF20,24W左右用EF25等,要记下他的主绕组的圈数,电感,次级的圈数,输出电压电流,搜集到一定资料进行总结,自己做的时候就知道用什么型号,初次级圈数,记住反馈绕组当次级来设计,另外设计电源切忌用冷门磁芯骨架,一定用常用的磁芯骨架,这样性价比高,除非电源有高度和宽度需求。

变压器的高深理论不是做变压器的你根本理解不透,磁芯种类和参数太复杂,如果有兴趣可以到天通,飞磁,TDK等很多磁芯厂商网站查询,告诉你一名话用PC40等级磁芯,PC44只用在PQ类磁芯上,PC30现在已经没了,而且很贵。 关注磁芯不光从外形上看,要看磁的Ae值,这才是关键。

骨架要多从变压器厂商的网站上获取,例如 东莞富翔电子,深圳鑫雄辉,必恒,东莞品翔,树林,合进,凤梧,华晶,美日高很多可以找到各种骨架供选择。

线径选择建议看赵修科老师的《开关电源中磁性元器件》,总之一条,初级线径不能超过0.4mm,就是说要用多股线,这只是在30-70KHz的应用时,如果频率很高建议用0.1*多股线来做,我们的PFC电感中大多用这种结,因为PFC工作在100KHz以上。

不多说,打字手疼。

经验之谈,受教了,谢谢!

通过帖子可以看出,wqgme88在变压器方面的造诣确实很深。本人最近想自己绕一个推挽变压器,次级两路输出,反馈采用绕组取样,功率200以内,准备用飞利浦的3c85磁芯来绕制,请问反馈绕组在绕制中有什么要注意的?还望wqgme88大师不吝赐教

受教了

你好,如果初级绕组的线径大于0.4了会出现什么情况?工作频率60khz,此外反馈绕组不就是二次绕组吗?是用来稳压的那一路输出,这个绕法和其他二次绕组有那么大的区别吗?谢谢了 经验之谈啊。非常感激。 不妨说说具体实践的经验与大家分享

你的回复是解释这个贴的关键,做了变压器的对变压器的理解就是不一样

你这个反馈绕组是稳压的那个吧?

恩,这个不错,很好~~~~~~~~~~~

不知道你测试的偏高多少?

如果很可观的话,

这个现象直接推翻了反馈控制理论

鉴定完毕:纯技术帖! 借贵宝地说一下我遇到过的情况,同样匝数的次级绕组,不同线径的绕组输出电压也略有区别,24V的电压用0.4的线径实测23.45V,而用0.23的线径实测24.26V ,均是均匀分布在骨架上(疏绕)

这个是因为不同的线径对应有不同的电阻,线径小的电阻大,那么电流流过的时候肯定会有压降,所以造成了线径小的电压低

我遇到的现象是线径小的电压高,我理解为线径粗相对匝间电容大一些,绕在骨架上密集一些,是不是对输出产生了影响?很高兴你在线

我分析的应该是带载的情况,应该会相差一点,但不会有你的数据那么大的差距

你说的情况,匝间电容可能会有一定的影响。

你有没有测试过两个变压器的漏感,这个次级绕组?

次级的漏感没测过,匝数比较少6T骨架宽度18mm(去掉挡墙宽度),把原副边匝数都增加并改用三明治绕法时,输出电压就比较接近了 有没有可能是肌肤效应导致的呢....不知道当时的工作频率是多少?

如果改用三明治绕法与增加匝数能解决的话,是否可以认为是耦合面积更大了,所以漏感尖峰更小,才导致两种线径的电压更接近了

能否说说解决之后的两种线径测试的电压各位多少?

感觉电源是越做越发觉不懂的地方多啊,改用三明治绕发后测试电压设计为25V输出,四路匝数相同,实际测量为25.36V和25.3V,前者是说线径粗的,这个可以理解为你所说的线径阻值的影响吧,而之前的电源Np-Ns1-Ns2的绕制形式,我觉得与先绕后绕没有多少关系 不明白你说的先绕与后扰是什么意思

先绕后绕是针对楼下的yuing的说法,我理解为绕组缠绕顺序,

请教一下三明治绕法 两个屏蔽层的缠绕方法,可否说来分享一下?

我没有试过两层屏蔽

那么三明治绕法有两部分绕组,内层和外层,都与二次侧接触,如果要加屏蔽层是怎么加法呢?

一般都是加在外层

不知道EMI效果如何?此外看到你做过脉冲变压器,能否给点参考,我今天做了一个脉冲变压器,发现开关管的D极电压特别高,尖峰有60V,而输入也就是10V

应该是你的漏感太大造成的,当然不排除驱动次级的干扰耦合到前面去

你可以参照我的绕法去试试

我也考虑过漏感的问题,可感觉漏感应该不至于引起那么大的尖峰吧,输入还不到10V,尖峰电压就有四五十伏,而且带载10R时尖峰会略有下降,而且输出电压会跟着下降到2V左右,如果不带负载的话输出和输入电压差不多大

我的驱动变压器要求:24V输入,6V输出,占空比0.5,f=80kHz,匝数Np=20T ,Ns=5T,帮我参考一下看看

站位关注
这是会的。如果你的反射电压设得太高。。。就会导致这种情况。。。
关于反馈绕组绕法我有个问题:对于不能绕满是不是可以调整线径的做法使其绕满整层;或者是用双线并绕的方式使其绕满整层。

这样的方式是最好,能够绕满的话要做到尽量绕满。

先绕后绕,对输出电压的影响是有的。。。后绕的,电压比较稳定。。。。特别是VCC可以看得出来。。。
是否与先绕和后绕有关呢?

冰版,我反复在看这篇帖子,虽然绝大部分都是围绕技术的问题在讨论,个中也有严重跑题的争论,我觉得你压力蛮大的,那种被人误解的压力,呵。不过还是谢谢你开这个讨论贴,同时希望我们在虚拟的世界里面也讲点道德,拒绝人身攻击,况且真的这个必要!

关于疏绕跟密绕,我觉得跟耦合没什么关系,对于变压器线圈,我们可以看成一个个的螺线圈叠在一起再套在铁氧体上,根据磁感应定律,感应电动势的大小与通过导体回路的磁通量的变化率有关,这里指的是线圈围绕的面积。所以我认为疏绕跟密绕并不影响线圈之间的耦合。

磁隙处的磁力线分布必然是不均匀的,会形成一个椭球状的向外发散的磁场,所以线圈位置、大小不同,经过的磁通也会有微小的差别。小生从事是金融行业,电子是我的爱好,这是一点拙见,不知对不对。 可否理解为线径粗的绕组,其分布电流的中心距离初级远些,耦合系数较低,导致感应电压小一点?因此,绕组也不是线径越粗越好……我没做过变压器、也没做过电源工程师,只是大学念的是电子,理论懂得多,经验就没有。 我相信空载电压时差不多的,带载跟放置位置耦合大小有关。均匀散绕,作业能控制?VCC轻重偏差,有过流比较大的场合,会造成VCC过压保护。比较喜欢采用密绕。 这个贴子太好了, 进来学习一下

学习了

顶 疏绕对高频变压器性能的影响:疏绕占用的空间相对于密绕要大些,一方面占据了有效空间;降低了绕组间的耦合度,漏感会比密绕大;疏绕的线间分布电容较大,对工作在较高频率的高频变压器损耗也会加大;导线在通电后位移较容易,还会发出叫声,所以密绕出的高频变压器的性能要比疏绕好些。

前面半句没有说反?

疏绕的导线间距大,匝间电容小。

冰版,这贴很好,我受教不少!支持把这贴再延续下去!

受教学习了.

是啊!非常棒!学到了很多。支持!

我来看看的。

学习中,我一直以为密绕是漏感比较小,看来我错了

学习了,疏饶看来还是有满多好处的

反激变压器磁芯有气隙、绕组密绕靠近气隙时,部分磁力线从气隙外侧绕过,故漏感大;正激变压器无气隙时还是密绕漏感小。

相比中柱磨气隙,两边对称垫气息的气隙分散、散磁小、漏感小,气隙边缘磁通影响小、温升低、效率高,一般大功率采用垫气息。EI型变压器气隙附近不绕线效果明显。但垫气隙EMI问题加大,需加铜箔将漏磁以涡流热损失消耗掉。

请问气隙对EMI有如影响? 可是赵修科老师的书里面说的是将气隙开在中柱散磁通更小,漏感更小啊。。。为什么是反的呢?

疏绕只是因为有些输出绕组匝数少,疏绕可以布满整层,较为平整,方便其它层的绕制,密绕主要是针对初级绕组,因其匝数多,可以紧密绕制。这样主要是为了是初级与次级更好的耦合,降低漏感,可能同时略微提高次级的输出。

额····

各為大神,我是菜鳥 !想問下,

有些變壓器次極采用1層幅寬,繞線用兩根,每根各占幅寬一半,且分先后順序繞,

這樣的繞法和兩根一起繞有區別嗎 ?

另外大家對變壓器的外銅箔是與CORE直接接觸好還是用TAPE隔開好 ?

為什麼?

ergere 这个贴子非常好。。。先做记号下。。。。

密绕和散绕。。。。对EMI也有影响。。。

特别是反馈VCC,可以用它来当屏蔽。。。。效果略差而已。。。呵。。。。

看了这么多NB人物的方法,这个贴子里,

他们只体现 一个思想:

一句话总结,想办法绕满,也就是全部密绕但不留空隙,每层余量1MM


绝对不会带来耦合不好的结果 ,仅仅关于绕法。

我是来做标记的,另外特别痛恨那些没有礼貌的,向无私奉献的前辈们表示谢意

真是个好贴子!

mark,学习

今天看了这个讨论受益匪浅,我前天也遇到这样的问题,用EFD25的变压器,以前一直用的好好的,这一批1000个在检测的时候有的变压器发现反馈绕组电偏高,电源反复保护重启,把反馈绕组拆掉2匝就正常了,把变压器拆了,所有匝数都没错,问变压器厂家也说是检测过的,怀疑是我电路零件参数的原因,换了几块板情况不变,再仔细检测这批变压器,发现可以用的在尖峰吸收电阻上电压竟有300多V高的达到400V,普遍是240V左右(用数字万能表测量,用指针万能表只有170V左右),正常应该是130V(用两种万能表测电压都是一样)最后反复实验发现:反馈电压高是因为反馈绕组密绕在初级绕组接线的这一端了,(绕在输出绕组出线端,和在中间,或者稀绕布满骨架都正常)尖峰电压高的问题,经过实验初级第一层刚好布满骨架,第二层是输出绕组一层还多几匝,就密绕在一边,这样就引起不平,第三层是初级绕组,就又密绕在另一边了,这样看比较平了,反馈绕组就是先密后稀的绕,)这样绕的尖峰电压很高,拆了一个以前的变压器,第二层和第三层是很杂乱但都是沾满骨架宽度,这样绕的尖峰电压很正常,尖峰电压高变压器用数字万能表红黑表笔对换一下,测量值有时会有一倍的差别,用指针万能表测怎么会小这么多?并且不是成正比例的小,希望高手指点,谢谢!

绕满是最好的。。。。

那就要调整初次级的匝数使之刚好绕满,而且工作还正常。。。

到此一看,并且收藏啦~~ 变压器绕制不平,堆叠塌陷,容易导致变压器漏感比较大,漏感电压自然就高了,变压器绕制时,如果不绕满一层,尽量采用疏绕或者是居中密绕,不要单绕在一边。变压器的漏感是线圈所产生的磁力线不能都通过次级线圈,漏感测试是将次级绕组短路,测试初级感量,漏感的问题则与绕线的排线规律,层间绝缘的厚度,绕线幅宽等很多因素有关,做过实验,居中密绕或疏绕比单绕一边漏感低,初次级之间隔开比如加个屏蔽,比直接初次级挨着漏感要小,次级线径加大也可以减小漏感。变压器的工艺很大程度上影响电源性能,做变压器生产时一定要拆拆变压器看看,测试整体的漏感,以免批量生产中出现由变压器产生的不良。 冰版,我的账号昨天发的新帖现在还没人审贴,没办法发帖呀,帮忙处理下。账号是昨天注册的!谢谢啊!

嘿嘿,慢慢的。马上就有人处理啦~~

好帖,一次没有看完,收起来慢慢看 学习了。 学习了。。。 请问你说的绕组是哪个绕组,原边,副边还是Vcc? 同意密饶,散饶漏感大,散饶的效率也没那么高,还会引起浮电压。 太好了,做个记号,谢谢大家的无私奉献! 同意此论点。 拿板凳继续学习!

理论上不是只跟匝数有关么?

看到这个贴那么火,也说两句,主要有以下三个方面;

电压的差别:这两种绕法的差别很大,特别对以VCC绕组,我做过LED驱动(带PWM调光的),最常规的单线居中绕,那在8%的占空比时,IC不能正常驱动; 如果改为几根线并绕,占绕结宽度的80%左右,在3%占空比时,IC还能正常驱动;

EMI的差别:那就更难说了,因为如果靠这个绕组做对坎的话(如果是无Y设计),居中线,靠初级线、靠次级绕,满层,都可能会有不一样的效果;

工艺方面考虑:居中线是大部份变压器厂成本和工艺一致性比较好控制的方法;

我觉的密绕,铜线的长度短,散绕长度 长,电压会高点 不知是否这样理解 学习中!

这么多新军,升级比国家将军还快,司令不行都当统帅了??哈哈。可是这些部队没有长进啊,全是水兵。

还不知水有多深的兵。是不是花钱买的官,对了,和淘宝一样刷机就能升。

小冰司令讲的是密与散,要看清是密与散的问题!别都开小差了。司令的话都不明白,怎么能长进。

密不等于合理! 散不等于乱!太密确实不可以,散要有顺序的排散。司令并不是白当的。散确实对电压更稳定,输出电压略高!产品质量也好!首先这个散不是乱散!密与散是必须有度。必须磁芯与线径合理,功率量范围内。

如讲理论那可费事了,你就一条条线画出来,再画磁场是怎么穿过的,什么定律方向“效应”问题就出来了,如果有基础就自己在床上想,和想飞天大战一样,慢慢你就能想到。。。 睡了。


如果想用变压器设计仿真软件, 可以试一下用这个PowerEsim , 免费的

之前有做过一款电源,变压器VCC绕组是散绕的,批量生产时满载开机有部分不良,分析原因是VCC电压不同,一致性差,后来改为密绕一致性很好!问题解决。区别应该是结电容、漏感不同。

以前忘了在那本书里看到过这个问题,好像要求不太高的影响不大,所以当时没太在意,现在感觉自己知识太浅薄了。 这个帖子这么热,看来很多不同的声音都同时存在啊。这是好事情,不同的声音才有更好的结论,直接收藏了。 一般情況下,建議密繞,圈數不夠就居中,當然這只是一點建議,以往的經驗是,密繞和疏繞,或者居上,或居下密繞會影響EMI 楼主真无私啊!好帖子做个标记,对那些没有礼貌的人真是无语,向无私奉献的前辈们表示谢意 一个无聊的人居然很无聊的把整篇帖子当小说看完了,此帖精华,虽然小弟不入流,但感谢冰版主赤诚相待。

散绕每个变压器差异很大,无规律,绕不平一层建议均绕!

士兵报到!

这么老的帖子,感谢大家的贡献!

关于疏绕密绕测试结果如楼主。

我想了一种解释,电感=磁链/电流,

单匝的话:电感=磁通/电流,漏感-=漏磁通/电流;

磁通叠加,电感增加;漏磁通叠加,漏感增加;

变压器的线圈密绕,导致每匝的漏磁通经过更多的同级线圈,造成漏磁通叠加,漏感增加;

不明白的:疏绕如何影响大负载的响应变差?

高手:

是不是次级满幅密绕带载能力好于疏绕,疏绕好于中间密绕?

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