推挽尖峰过大

来源：作者：发布时间：2018-01-24 06:19:24 浏览量：

各位大神，本人在做推挽升压前级电路时，遇到了MOS管尖峰电压过高的问题，如图中所示最高电压达到了300多伏，电源电压为100V。这样负载加大后管子耐压很危险（管子耐压为500V）。下图中黄色的波形为MOS驱动端的波形，蓝色波形为Vds。请问哪位大神遇到过类似的问题呢？麻烦指导一下，谢谢。

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改进变压器绕法，尽量减小漏感，或者加尖峰吸收电路。

你這是地線Layout引起的...

先把示波器寬帶限制在20Mhz 看看尖波還會有多少, 然後驅動部份IC落地點與VCC之間家電容試試, 無效可能下地點要改了

光看你那驅動的波形雜訊都那麼大了, Mos操作怎會好勒??

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 加我徒弟的QQ号919950672或者论坛里找萧山老叟的帖子里又解决推完尖峰的方法，当然我也知道怎样解决，但是你没提供电路原理图所以我无法确定是不是电路设计问题。漏感大，加吸收电容就可以了，但加吸收电容后，电容回路会有固有谐振，要综合考虑 PCB LAYOUT方面再注意检查下

去论坛里看帖子吧，论坛里找：两种工艺的MOS管在48v正弦波逆变器全程对比测试，新工艺前级效率高达99%，钟工用推挽电路做的8KW逆变器，一点尖峰都没有。可以明确告诉你和PCBLAYOUT没有关系，变压器如果是三明治绕法那就要在电路设计上找问题点了，加吸收也是达不到一点尖峰都没有的效果的。

启机瞬间的尖峰是无法避免的。如果是闭环控制，尖峰是可以通过一些手段来降低，保证在管子的耐压以内。看你波形，应该是闭环控制，那就修改RCD吸收和变压器绕制方法吧。现在都不清楚他的电路图，都下结论。如果是逆变器，低压直流升压到350--450V，推挽后级是用快恢复二极管做桥式整流的话，只需要在变压器次级和桥式整流之间加CBB电容，具体加多大CBB,什么原理我就不说了，如果是通信专业毕业的学生很容易明白原理的，可以保证一点尖峰电压都没有，还能提高效率。萧山老兽，钟工都是这样处理尖峰的，不懂的不要乱说，我在论坛里说的很清楚去看别人的帖子，加RCD吸收尖峰会影响效率的。不想跟你争论，那个是软开关。开机瞬间是没办法通过加RCD吸收进行抑制的看到过其它人说的软开关是需要在开环情况下，占空比一定、死区时间一定，这个是闭环，能够实现软开关么？发几张示波器测试图片，看不到原理图没办法帮你分析的。推挽电路已经是很成熟的电路了，没必要什么技术保密的，别人没必要去学习你的缺陷电路的。