[稳压电源]功耗 与 温升 关系

大家讨论下，一般 LDO 的功耗 ( 大概是 Vd x Iout ), 跟温升的 关系.有没啥理论计算公式可参考, 一般要看 LDO 规格书里面哪些的参数?满意回复+9不亦心 查看完整内容下面Notes不是有解释吗。

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热阻就像电阻一样，可以串联，（θja-θjc）*Pd就是IC外壳“温升”，不过不够准确，关键还是用θja计算，保证Tj不能超 ...+9aeromoon 查看完整内容帮助文档来也~+2yanwen217 查看完整内容规格书中都有提供一个封装热阻参数èja，就是表征功率与温度的一个参数规格书中都有提供一个封装热阻参数èja，就是表征功率与温度的一个参数我记得功耗和温度的四次方成正比关系吧？随着温度升高，功耗会急剧增加的。

在电子设备的工作温度范围内, 如散热措施一定, 温升与功耗基本是线性关系有些 LDO 的文档有两个，不知道有什么区别看了好几份，都是这个公式

51单片机的串行口扩展方法设计1 引言在研究采场瓦斯积聚模拟试验台的过程中，笔者设计了主从式多机采控系统结构。主从式多机控制系统是实时控制系统中较为普遍的结构形式，它具有可靠性高，结构灵活等优点。当选用单串口51单片机构成这种主从

变压器驱动 MOS驱动波形 电路采用的双管 FLYBACK ，上管驱动采取变压器驱动的方式，在测试上管驱动波形时发现，MOS开通时，驱动信号会下降很多。


大神们帮忙分析一下，为什么会这样？


驱动电路采用变压

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