求助：IR2110 驱动全桥，有一片MOSFET发热严重……

事件描述：IR2110驱动四片MOSFET，输入信号为完全反相的方波信号，有死区时间，输出波形也基本正常。只是工作一段时间后，直接连接直流高压线的那片MOSFET发热严重？？

请问大家有遇到这个情况吗？？

请指点一二啊……




现在的情况是Q2发热严重，直流电压仅是5V，通电大概也就30秒钟，就热得烫手

请大家帮忙啊
D1~D4是可以要的，目的在于削弱纹波 按道理讲，Q1和Q2的发热量是一样，不应该只有一片热啊，

后来我看了下四片MOSFET。发现Q2和其他三片有点不一样，其他三片好像是铝基底，Q2显红色，像是铜基底的，

但是型号都是一样，参数也应该一样啊，想问问大家对MOSFET管碰到过这种情况吗？
把R13和R10短路试试看吧，没见过这样连接的。 你好，那两个电阻按说也没什么影响啊？

现在是波形正常了，

另外有个问题，请教st.you，全桥的逆变电路，直流大电压的地线和IR2110的地线该如何连接啊，

直接连的话，好像不行啊？？

本来就是共地不隔离驱动的，不直接连你觉得该怎么连呢？

看过其他的帖子，说下桥臂MOSFET的S脚和IR2110的2脚COM端连线越短越好，尽量不要和功率地大范围接触，

是这样的吗？


请教，上管发热是什么原因引起的？怎么解决的啊？ 你测测VB-VS间的电压差，一定比Vcc低，MOSFET的驱动电压低的话，内阻加大，发热也大 量一下驱动信号，估计是驱动问题，然后看D1-D4四个是没必要的。

驱动有问题那也是电源不稳定引起的

请教一下，没闹懂，全桥的驱动信号怎么会是完全反向的呢，不会有四个管子同时都关断的时候吗？

最终怎么解决的？是管子的问题么？

楼主解决了没

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