一种200V/100A VDMOS 器件开发
来源： 作者： 发布时间：2015-02-12 09:36:33 浏览量：
图5 200V/100A芯片照片
图6 元胞扫描电镜分析
图7 漏源击穿电压波形
图8 栅源耐压波形
表2 200V/100A VDMOS器件参数测试结果
5 结论
本文采用圆弧形分布沟道与局域氧电感器厂家化相结合的方法开发出一种200V/100A VDMOS器件，在一定程度上解决了器件导通电阻改电感器是什么善与开关损耗增大的矛盾。对流水过程中的关键工艺进行了监控，所得器工字电感件具有较好的综合性能， 为国产大电流功率M塑封电感OSFET 器件研发探索出一条途径。
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