MOS管驱动波形和导通波形不对 ，还有尖峰

到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的 做的什么电源？有电路图吗？ 你的占空比太小了，要爆管的，占空比必须达到0,46左右，爆管是因为电感能量产生了高电压电流变化率，所以就发生了米勒电容效应产生了共态导通了。

明白了那我是不是将占空比提高 VDS就不会发生这种依旧导通的现象了

我把占空比设置成了0.45可还是这样 VDS的占空比永远是百分之50 已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 你的波形显示占空比就是低吗，不知道哪里搞错了，仔细检查检查一下。 这我知道 我后来修改了占空比 将占空比改到0.45 这应该不低了吧 用的mos管时IRFR460 无论我怎么跳输入占空比 VDS占空比都是50％ 没有死区 哎呀，不能看DS波形，必须驱动波形，开关管因为存在电感能量当然变成了没有死区了，必须驱动电压占空比了。 您的意思是我只要关注VGS的波形就行了吗 对了，只要关注开关管驱动波形的占空比，不要看DS的波形，你这里占空比非常明显的小了，提高到0,45,46只要就可以了。 嗯，明白了谢谢

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