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2.5V/18KA超导磁体模型线圈电源设计

来源:    作者:    发布时间:2015-04-21 08:29:53    浏览量:

摘要:设计了一套2.5V/18 kA低电压大电流的开关电源系统。通过对各种功率变换器主电路及几种成熟的高频整流电路进行分析比较,并与实际情况相结合,选择全桥电路作为功率变换器的逆变电路,选择全波整流为高频整流方案。良好的反馈控制方式是高精度输出和快速动态响应的有效保证。通过分析,选择电流反馈环为外环的双闭环控制。最后由电源样机输出的测试波形可知,输出电压、电流的纹波与设计值相差不大,同时针对电源系统输出中不满足设计要求的原因,提出了改进方法。
关键词:电源;全桥电路;高频整流;电流模式

1 引言
稳态强磁场实验装置是国家“十一五”重大科技基础设施建设项目之一,高稳定度直流电源系统是该装置的关键子系统。外超导磁体组对超导磁体模型线圈进行试验是建设40 T混合磁体中关键一步。为了满足试验要求,在此提出设计研制2.5 V/18 kA的开关电源.参数要求:电压0~2.5 V。电流0~18 kA,自动励磁速度1~100 A/s,电压纹波不大于1%,电流纹波不大于0.2%。

2 DC/DC功率变换器
此电源系统输出功率为45 kW,输入为三相交流380 V网电,输出为2.5 V直流电,电源的效率偏小,输入功率较大。当输入功率较大时,一般采用三相交流输入。三相网电整流后的电压为514 V,电源系统的输出为2.5 V,是一个降压型开关电源。输入与输出电压较大时,一般都采用带隔离变压器的开关电源。设计隔离型开关电源的关键是选择DC/DC功率变换器的拓扑结构,当电源输出功率较大时,拓扑结构可以从推挽电路、半桥式电路和全桥电路中选择。
推挽式电路中开关管的利用率较高,导通压降较小,交替导通的两个开关管VZ1和VZ2发射极公共,且驱动电路较为简单。VZ1和VZ2的驱动定时和特性出现偏差时,变压器的磁通会发生单方向偏磁。偏磁严重时,会存在输入回路中不能转换为输出功率的直流电流流通,导致变换效率降低。开关管电压Uce最大值为输入电压Uin的2~3倍,这种电路比较适用于Uin较低的场合。
半桥式和全桥式电路适用于Uin较高的场合,Uce最大值为Uin。桥式电路可以将变压器初级的漏感电压尖峰箝位于直流输入母线电压,并将漏感储能回馈到输入母线,而不是损耗在有损缓冲电路中的电阻上。半桥式电路的输出电压可表示为:
a.JPG
全桥式电路的电感器的识别集电极电流小,在使用相同开关管的全桥电路可得到2倍的半桥输出功率。半桥变换器最大功率电感输出功率由初级峰值电流和开关管能承受的最大关断电压决定,虽然半桥变换器输出功率可达1 kW,但大多数满足12 A电流等级的IGBT放大倍数往往太小,而且满足电流电压条件的MOSFET管的导通压降太大,且成本太高,所以一般半桥变换器功率超过500 W时考虑使用功率加倍的改进半桥变换器,即全桥变换器,该电源选用全桥变换器,其电路如图1所示。

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3 高频整流电路
实际应用中,开关电源的设计成本应尽量低,体积应尽量小,因此暂不考虑同步整流。设计要求选择合适的高频整流电路以尽可能地降低整流损耗,此电源的电感生产厂家开关频率在几十千赫兹,对整流管的反向恢复时间要求很高。若要求恢复时间很短,可选择合适的快恢复二极管、超快恢复二极管或肖特基二极管,前两项虽然反向恢复时间也可塑封电感满足要求,但导通压降为0.6~0.8 V,而该电源中选择的肖特基二极管导通压降只有0.3V。
半波整流是以“牺牲”一半的交流为代价而换取整流效果,电流利用率很低,一般用在高电压小电流的环境下。全波整流和全桥整流的输出电压波形相似,全桥整流每半个周期有两个整流二极管导通,造成通态损耗增加。全桥整流电路可以减小二极管两端反向承担的压降,所以全桥整流一般用在输出电压高、电流小的环境下。设计低电压、大电流、高频整流电路时,全波整流最为合适。全波整流电路在正常工作情况下,每次只有一个整流管导通,与全桥整流电路相比,通态损耗减小,电源能量转换效率提高,同时能有效减少整流电路中元器件的数量,从而达到开关电源体积尽可能小的目的,图2示出各整流电路图。

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