IGBT的保护设计
来源： 作者： 发布时间：2015-02-13 09:09:32 浏览量：由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，因此除了上述应有的保护之外，就像其他MOS结构器件一样，IGBT对于静电压也是十分敏感的，故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：
——在需要用手接触IGBT前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉；
——在焊接作业时，为了防止静电可能损坏IGBT，焊机一定要可靠地接地。
2．2 集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有塑封电感两种情况，一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直流电压过高，另一种为集电极－发塑封电感器射极上的浪涌电压过高。
2.2.1 直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或IGBT的前一级输入发生异常电感器生产所致。解决的办法是在选取IGBT时，进行降额设计；另外，可在检测出这一过压时分断IGBT的输入，保证IGBT的安全。
2.2.2 浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在，加之IGBT的开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时，就会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，威胁IGBT的安全。
通常IGBT的浪涌电压波形如图3所示。
图3 IGBT的浪涌电压波形
图中：vCE为IGBT集电极－发射极间的电压波形；
ic为IGBT的集电极电流；
Ud为输入IGBT的直流电压；
VCESP=Ud＋Ldic/dt,为浪涌电压峰值。
如果VCESP超出IGBT的集电极－发射极间耐压值VCES，就可能损坏IGBT。解决的办法主要有：
——在选取IGBT时考虑设计裕量；
——在电路设计时调整IGBT驱动电路的Rg，使di/dt尽可能小；
——尽量将电解电容靠近IGBT安装，以减小分布电感；
——根据情况加装缓冲保护电路，旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对IGBT的安全工作起着很重要的作用，在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
——C缓冲电路 如图4(a)所示，采用薄膜电容，靠近IGBT安装，其特点是电路简单，其缺点是由分布电感及缓冲电容构成LC谐振电路，易产生电压振荡，而且IGBT开通时集电极电流较大。
——RC缓冲电路 如图4(b)所示，其特点是适合于斩波电路，但在使用大容量IGBT时，必须使缓冲电阻值增大，否则，开通时集电极电流过大，使IGBT功能受到一定限制。
——RCD缓冲电路 如图4(c)所示，与RC缓冲电路相比其特点是，增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大，避开了开通时IGBT功能受阻的问题。
（a）C缓冲电路 （b）RC缓电感器符号冲电路
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那位有图能给我参考下更好 感谢！
可以参考一下台式电脑的开关电源这不应该由你定义那端为参考地
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