准谐振反激的原理介绍及应用参数计算

如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷共模电感器值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理、应用及参数计算方面的知识。

　　准谐振 QR

　　Q(Quasi)

　　R( resonant)

　　主要是降低mosfet的开关损耗，而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。

　　

　　从上图中，大家可以讨论一下，一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内，寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化，但始终电感生产具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时，寄生电容会通过MOSFET放电，产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时M绕行电感器OSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。

　　

扁平型电感

　　从上面的图可以看到，准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。

　　Lleak是初级漏感，Rp是初级电阻，Cp是谐振电容；

　　当副边绕组中的能量释放完毕之后(即变压器磁通完全复位)，在开关管的漏极出现正弦波振荡电压，振荡频率由LP、CP决定，衰减因子由RP决定。

　　对于传统的反激式变换器，其工作频率是固定的，因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。

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