UOUT=1V的DC/DC变换器发展趋势
来源： 作者： 发布时间：2015-02-14 09:08:04 浏览量：
图1同步补偿DC/DC变换器拓扑结构
图2UOUT=1VDC/DC变换器使用电感器国家标准双FETKY
4现有的1V电源方案
IR的双FETKYTMIRF7901D1方案将所有功率半导体器件集成在单一的SO－8封装内，UOUT=1V，工作效率超过85％，并可节省主板面积60％。从而使双FETKY方案的功率密度得到大大改善。该器件完全优化了MOSFET和肖特基半导体，适用于要求高达5A输出电流的便携系统的同步补偿DC/DC变换器。
FETKY封装设有连接控制FET、同步FET和肖特基二极管的互连结构，因而简化了电路板设计的复杂性，并有助于减少外部一体成型电感印制电路板占用面积和互连器件的杂散电感。与离散式方案相比，集成方案将主板占用空间降低了60％。
双DualFETKY在1V操作环境下的峰值电路内效率高达约87％，可解决低功率应用的设计难题。
随着1V工作环境从低功率便携系统向高功率系统延伸，应选择真正优化的功率半导体器件来增强系统性能。双FETKY方案可改善低至Vout=1V的工作电压的应用系统的性能。
5图片说明
图1为同步补偿DC/DC变换器拓扑结构，深色部分为控制MOSFET（VT1）、同步MOSFET（VT2）和并联肖特基二极管。每一器件都需要特别优化，以获得较高的电路效率。VT1要求低RDS（on）值和低的Qsw；VT2要求低RDS（on）及低的QGD/QGS1电荷比；肖特基要求低UF值。
双FETKY为UOUT=1V的应用提供了较高的电路效率，峰值效率约为87％。图2展示的是低功率便携系统的电路性能，可以看出，U电感生产OUT=1V时，负载功率损耗得以降低。
汽车发动机转速信号模拟器设计摘要：介绍一种简单、便携、多功能的发动机转速信号模拟器，采用PWM信号逼近的方法生成幅值随发动机转速变化的磁电信号，采用输出比较的方式输出霍尔信号。该模拟器可以方便地设定发动机参数和实时在线修改发动机
系统详解Silabs MCU低功耗优势及经典案例 现在的电子产品，对低功耗的要求越来越高。产品功耗的问题是经常让产品设计者头痛而又不得不面对的一个问题。以单片机为核心的系统，其功耗主要由单片机功耗和单片机外围电路功耗组成。 要降低单片机系统的功耗，
SY5802A矽力杰SY5802A，MOS管加图腾柱最大可以做到多少瓦？沙发