【我是工程师】分享做LED研发4年经验【续】已更新到辐射
来源: 作者: 发布时间:2018-11-27 09:20:21 浏览量:

楼主一看就是实干型的人才
受教了
王工,求公式和损耗表, linrongluo@QQ.com .谢谢 我现在就是在楼主以前的这种状况下生存的

占个位,学习下。
你的新公司在哪里啊 带上我啊 王工的经历感觉还是很扎实的,小弟我仅仅做了俩月助工,就直接找了份工程师工作,说来也是汗颜,,,,,
LED 目前的工程师技术含量不高的。LED 光源灯具毕竟只是应用而已。各个方案供应商已经给你提供方案了,工程师也就是修改修改,比较对比对比。
由于竞争激烈,工作也是很辛苦的。要不停的开发。什么时候才能大家统一方案,最终剩几套性价比最适合市场的方案,就不需要这么多人每天改来改去了。
LED 虽然简单易学,但涉及的知识面还是挺广的,光 ---------机-----------电---------热,这些都要涉及到。现在浮躁的人太多,真正搞技术的确实很少。
虽然这世道是吹牛的省力能赚钱,搞技术的累得半死还不讨好。
这世道是吹牛的省力能赚钱,搞技术的累得半死还不讨好。我没在适配器厂上过班,LED的技术含量高不高我不清楚。但在我们公司,从知名适配器厂挖过来的工程师,做不下去离职的也不少,留下来的产品问题也不少。至于方案是供应商提供,我觉得适配器行业(像手机充电器)的也差不多吧?反而LED跟调光、控制结合会有一些新的应用电路可以自己去设计(我们买过一些竞品所用的电路方案都不是供应商提供的)。至于说方案统一,由于客户不断提出新的需求,所以短时间之内很难统一的,而且我也不希望统一,否则就没饭碗了O(∩_∩)O~最后一句倒是真的,做实事的人往往吃力不讨好。正所谓水至清则无鱼,人至贱则无敌。
王工 我是新手可以发一份资料吗 243091023@qq.com 我做了半年助理,然后工程师辞工走了,老板不想高薪请个熟手的,就要我做工程这位置。半年助理期间,上司也不是很懂,我也是刚入手,大家都是研究着搞。后来做了1年工程了,每次说要过什么认证的,我老板都会拿我的样品给他认识的工程师看,说实话,我也不太相信自己,不出问题还好,出问题就麻烦。基本每个星期都几个案子,全部都是急着送样品,没好好老化测试就送样品了。老板说着不做垃圾产品,到做的时候就说可以亮灯就好。我在想,如果我继续在这里呆下去,做出来的东西不会有进步。一年了,没人教我,网上可以查很多不懂的东西,但是有很多关键的知识网上都查不出,我现在很纠结要不要换工作。 有机会先慢慢做吧,等有点资本了再去大公司混两年就成了 感谢分享! 现在刚想从助工转型研发,人家看你妹开发经验,看不上你啊。可是我做助工就真的自己没事自己设计了几款电源,全部自己算的,除了环路。现在还很郁闷,刚刚还有个人打电话问我可不可以开发一个即可以驱动LED的,又可以点亮荧光灯的电源。我心里真TM郁闷啊 这还真得看际遇的。别人要真心想用你,你说什么都行,看不上你,你说什么都觉得你不行,这本来就是双向选着,看对眼了,就在一起呗
说得很好啊!
这是什么要求的电源,很新鲜,LED与荧光灯都是恒流,但荧光灯有一个启辉高压点灯过程
感谢分享
业务或者老板接到新单了,就开始动起来了。先确定现有的IC方案能不能稍微修改达到客户要求,这样肯定是最省事的,修改下变压器参数,在调整下元件参数,板子不合适就在重新布线在打样下板子,老化一阵子就可以出样品了,一般一到两周就完成。如果还要过CE的话,得一个月左右,再加上认证时间,那就长了。如果现有IC方案做不了,就得到处找方案了,网上,QQ群,朋友之间,还有代理,问问有没有推荐的方案,然后再鉴别方案的可行性,确认方案了,就开始布板子,打板,买料,调试,老化,得一到两个月,这事真的急不了,以前老板老是催啊催,恨不得今天下单,明天就能出样品,以前就摔过几次跤,急着催货,没有认真去老化测试,结果出去没几个月就被退回来了,还好没量产,不然后事有的烦了,所以太急反而得不偿失。该做的测试都得做。
我个人对新的名牌的IC选择是慎之又慎的,也在这方面吃过亏,那时刚自己弄,业务是说IC怎么怎么好,方案能弄,效果怎么怎么好云云,真打板回来调试完全不是那回事,打板钱到没什么,但是浪费了时间还浪费了精力。(LED很多推无频闪,调光兼容性等问题,高效率,我就不说了,你懂的)品牌还得长期的验证,稳定性怎么样,只有长期老化才能知道,毕竟咱的东西得保两年呢。所以推IC的业务,如果想能推好IC,最好能给工程个DEMO板测试,要是质量过关,测试没问题,工程会很乐意接受你的方案和IC,要是只给IC,让工程自己打板调试,很多工程也就省事,不打了,或者有更好的代理能提供DEMO板,也许工程就会另选择了。 王工,来支持你了~ 谢谢,辉煌 故事也说完了,来点干货吧,实实在在的干货,刚入门的伙伴们,不看后悔,看了更后悔
入门肯定要从反激拓扑开始,因为反激是最常用的拓扑,小功率必用,我用反激方案最高做了150W。推荐一个IC LD7575(推荐完,估计这IC会卖爆了)为什么要推荐这个IC呢,因为这个IC我用着很爽,很稳定,成品很少有问题,这就是老IC的优点,缺点就是启动电流太大,空载功率大,差不多0.6-0.7W。
60W,个人经验用PQ2625(有点烫),最好还是稍微大点PQ3220会相对好点,个人对于30W-100W比较钟情于用PQ磁芯,辐射少,漏感小,EE、EFD比较喜欢用在20W以下,RM磁芯多用在PFC电感(这个算个人喜好了,不需要借鉴),呵呵,不过,既然是讲解,咱肯定有公式了,其实还蛮准的,用Ve法
Ve=0.7*[(2+r)的平方/r]*(P/f) r用0.5,f用KHz,也就是60 Ve用cm3 算出Ve=8750MM3查磁芯表
刚好PQ3220 Ve=9420大于8750,刚好合适,实际很多公司会用PC40的磁芯,所以最好选择还是用PQ3220,PC40的PQ2625就相对太烫
磁芯选择好了,我们就开始算扎比
D=VOR/(VOR+VINMIN) D为占空比,一般设置0.4 VOR为反射电压 VINMIN为最小直流输入电压,现在输入最小为85V,所以最小直流输入电压为85*1.41=120V 算出VOR为80V
N=VOR/(Vo+Vd)N为匝比V0为输出电压 12V VD为二极管压降,一般为0.6V 算出N=6.35
在算IP
IP=[1+(r/2)]{IO/[(1-D)n]} IP为峰值电流 r 我们同样用0.5 IO为输出电流 5A, N=6.35 D=0.4
算出IP=1.64A
然后是算LP
LP={[(1-D)n]/IO}*[(VINMIN*D)/(f*r)]D=0.4n=6.35 IO=5 VINMIN=120f=60Kr=0.5带入
算出 LP=1.2MH实际是不需要这么大的,800UH足够了,当然你死要1.2MH也可以,早点进入CCM模式也好。这两个公司中间我省掉了换算步骤,直接用最初值带入,方便大家时间,直接用以知值带入,我一直认为这个公式是算CCM模式的,因为这公司算出来LP总是很大,经验值往往总是比它小,我一般只用到算匝比,然后感量完全用经验值。
最后算匝数
NP=(LP*IP)/(BPK*AE) AE为 170 LP为800UH IP为 1.64 如果你以为BPK为0.3那么你就太初级了,我们选着BPK要使变压器铁损和铜损平衡,BPK太大,圈数少,铁损大铜损小,BPK太小,圈数多,铜损大而铁损小,我们要选中间值,使变压器发热量最小。同样还有各个元器件计算,都会考虑到损耗和发热量,而不是随便取值,书上很少会集中讲,这个下次再说。
顶一下 楼主,请问一下这个Lp的计算公式中,为什么用VinMin计算,Vinmin算出来的Lp是最小的啊。 因为VINmin的时候占空比最大,是最恶劣的输入条件 r是什么参数来的, 为什么是0.5 王工,求一份完整资料,940605857@qq.com 能否把前面反激的公式完整的资料也发一份给我。因为用我自己理解的公式跟你的差别还挺大的,上面相同的条件下,例如你的Ipk=1。64,我算出来是3A多。。谢谢新人学习 留个标记
插个标签慢慢看 良心好贴,必须支持! 王工,良心好贴,必须顶了! 算出VOR为80V ,是怎么算出来的 照上面的工式,12V 输出的,此不是扎比都是6.3 看输入范围和你设定的VOR,理论上是的,实际你咋比还是可以变的,VOR设定高一点效率还高 请问你Vor是怎么算出来的?还是经验值? 数值代入公式算出来的啊,没好好看帖,要打pp,呵呵 哈,自己算了下才知道。丢脸了,没想到你还真回帖了
王工..你好...你这里的VINMIN是按.高功率因数公试计算的吗 ?
请问.桥堆整流后输入用的电容还是电解?
王工,作为菜鸟的我,问一个很菜的问题,Ve=0.7*[(2+r)/r]*(p/f) 这里的0.7 是怎么来的呢,还有r取0.5是半径吗?
R是纹波系数,你就当是0.5吧,0.7是一个经验系数
谢谢,那你的这个p,是功率吗?根据你的参数反推回来,P= 150哦。
哦,我公式漏了应该是(2+R)的平方
此公式出自精通开关电源设计,但是不知为何那么多人不喜欢用,个人觉得这算出来的结果还是较准确的。。 对的,看来这位朋友详细看过这本书呢
喜欢内外兼修的帖子~!!
我是电源网 的红人,大家叫我张大师,从事开关电源20年了是一个老手了,最大功率的为主,开始也从小功率的做起,大小同吃了,我方便一些见解,目前的LED电源几乎千篇一律,死气沉沉,没有生机,而且没有竞争力,成本偏高了,中国是一个非常传统的社会,保守的社会,对新生事物,对新技术新方案的接受是非常困难的事情,只有标准答案大家一样做,没有差异,要知道,怎么多年咯千军万马过独木桥,不仅成本高了,而且普遍产品不可靠,还有灌什么灌胶,成本高,日光灯节能灯电子镇流器的效率97%,最可靠,从八十年代就用到现在了,没有问题的,为什么不用这个电路来做电源呢,,开关电源的效率只有90%以下,用同步整流成本高,电路复杂,效率91%指的是LLC技术,用了一下集成电路,而电子镇流器分立元件电路简单,成本非常低廉,节能灯才多少钱呢,就是放到水里也坏不了,但开关电源就不行的,如果用电子镇流器来做的话,不隔离,如果要隔离的话,用一个变压器就可以了吗,简单实用可靠,成本低,效率95%以上,非常耐用。
也许,会说要恒流,我们知道,节能灯没有恒流,什么时候看到亮度有什么变化,没有,什么时候也没有感觉,太教条了,中国人就是僵化思维教条主义 ,死板标准答案化,邓小平说过,要将束缚我们的那一些条条框框同同的给打破,就是思想解放,灵活,不要教条主义,呆板做产品,但这个现实就是不容易接受创新的新方案,就是千篇一律才是对的,如今产能过剩,竞争激烈,开窍一些才是生机,有无比的优势和竞争力。
我早在06年在科陆公司是也做过300瓦的LED电源,怎么做的呢,就是电子镇流器的电路方案,效率非常高,非常可靠,当时有PFC在恒定的385伏之下,在用UC3842微调就可以恒流了,在3842占空比八九十的99效率,总的效率还不用同步整流,效率都可达92%以上,比复杂的同步整流电路还要高了,就是首先电子镇流器的效率非常高,非常实用。
先顶,再看。 张先生!~从业20年您在这个行业应该有许多故事了,建议您另开个主题帖详谈. 王工 希望你继续 我顶你谢谢,你的帖子也很不错。写的很详细。
首先声明,我是很尊敬老工程师的,我的同事,也是做了十几年了,现在这几年主要也是主要做电子镇流器,50W-1000W都有做,我对他是尊敬加仰望,所以在这个环境里,我对电子镇流器有些了解,所谓高效率是基于高电压情况下的,他经常说,金卤灯,钠灯,用电子镇流器来点还不如直接用电感来点呢,基本都不会坏,电子镇流器元件多了,反而稳定性会差很多。电子镇流器好像07年左右才刚开始,那时是清华的一伙人在弄,用单片机来做的点火电路,弄了好久也没弄出来。而且节能灯刚面向市场的时候,好像是九几年,那时我还是小孩子,我印象中是我们家买了好多,大多数撑不过三个月就坏了,现在过了那么多年,电路应该成熟很多,寿命我就不知道了,就一直用的日光灯。世界上最难的两件事一是拿别人的钱放到自己口袋里,二是把自己的思想放进别人脑子里。 张大师好,有没有进一步的博文呀,! 电子镇流器用的是推挽电路,开关损耗比开关电源要小很多。同时两个三极管的耐压也比一个600v的MOS管要好吧 ni懂个球 王工支持你一个,我现正跟着你这贴子在学习呢。继续咯,先算出热阻,Rt=53*[Ve(-0.54)次方]℃/W Ve用CM3
之前我们确定的磁芯是PC40的 PQ3220, Ve=9420MM3 即 9.42CM3代入
Rt=15.8℃/W
我们假设温升30℃
30/15.8=1.9W,也就是说想变压器温升为30℃,就要求磁芯损耗1.9W,但是呢,这个损耗加上铜损了,为使铁损与铜损平衡,大家各占一半损耗。所以磁芯损耗为0.95W
B={(Q/Ve)*【1/[C*F(的d次方)]】}的(1/p)次方 公式写的有点复杂哈,不知道你们能看懂不,关键公式不好打,初中要是没学好指数,可能看着犯晕,呵呵,要是大学没学好高等数学,算反馈的微积分也是晕~
公式中的 Q就是我们刚才算的损耗,这里为MW 所以也就是950 Ve为CM3 9.42 F为频率HZ 就是60000
C 、d、p为查表得,所以查表C=4.5e(-14)次方 p=2.5 d=1.55带入公式,算出来的B单位为G
快掏手机出来算:
所以 B=1503G=0.15T
感觉我在教数学,所以说,谁说以后不需要工程师的,说工程容易当的,大家扁他,损耗表留信箱给你们发
还记得我们之前算的么NP=(LP*IP)/(BPK*AE) AE为 170 LP为800UH IP为 1.64还有千辛万苦算出来的B=0.15
带入算出NP=51圈
所以NS=NP/N=8圈
供电电压15V, NX=N/12*15 NX=10圈
所以60W 12V5A 变压器参数为 LP=800UH NP=51 NS=8 NX=10
大家以为就这么结束了,那就太天真了咱还得算铜损,算线径,还得验证能不能绕的下,要是绕不下,之前算的得推掉重来,今天就到这里,明天继续。
不好意思,更新晚了,晚上在忙个新方案。
我们先算集肤深度
Y={66.1*【1+0.0042(T-20)】}/根号f
T选择为60度 F为频率 60000,带入
Y=0.315
所以我们选择0.3mm铜线绕
然后我们来算电流有效值
Irms=Ipk*根号(D/3)=0.6A
一根0.3MM铜线能过电流 I1=πR的平方*4=0.286
所以初级需要 0.6/0.286=2根
次级同样算 Irms=Ipk*N*{根号[(0.8-D)/3]} N为咋比 6.35
算出 Irms=3.8A
所以需要
0.3铜线 14根
所以变压器 绕线为 NP:0.3MM*2P*51圈
NS:为0.3mm三层绝缘线*14P*8圈
Naux:0.4mm*1P*10圈
次级用三层绝缘线就是为了打3KV的高压,布线的时候要注意,初次距离为6.5CM,不然就算用三层绝缘线高压也可能打不过 晚上在写出铜线计算损耗和验证能不能绕的下去。查表PQ3220 Aw=80.8MM2 填充系数为0.3,即24.24MM2
初级0.3,所占窗口面积为π(R的平方)*2根*51圈=7.2MM2
次级:因为是三层绝缘线,加上绝缘层半径有0.2,所以3.14*0.2平方*14*8=14
供电绕组基本可以忽略,
所以7.2+14=21.2<24绕组绕的下,说明这次运算还是蛮顺利的
算铜损:
初级内阻=lp/πR的平方
这里的l为长度,一圈为3MM左右,总长度为3*51=1.53m
P为内阻系数,跟温度有关
p=[(T-20)/234.5+1]0.01724这里的T为60度
所以算得p=0.02
所以初级内阻为(1.53*0.02)/(3.14*0.15平方*2)=0.217
所以初级损耗=0.6*0.6*0.217=0.08W
然后算次级内阻:
一圈大约是5MM左右 所以L=5*8=0.4M
所以R=(0.4*0.02)/(3.14*0.15的平方*14)=0.008
所以次级铜损=3.6*3.6*0.008=0.1W
加上初级,总共铜损为0.18W<0.95W很多
也就是说铁损比铜损大很多,那就要重新算了,降低B值,使圈数多绕几圈,如果变压器绕不下,就减少次级线径数,尽量使痛损和铁损平衡,我就不算了,你们自己算下,熟悉下公式。
这样变压器就算算完了,会算变压器就等于成功路上走了一半,过几天我把MOS损耗也算下,仔细学习我写的帖子,以后完全有能力游刃于中小企业当研发工程师

其实就是根据电流有效值的定义用微积分推出来的,我发个图上来。~~
497795706@qq.com 谢谢!
请给我发一份:lishengyuan8@163.com 已发~ 谢谢了 384621187@qq.com 万分感谢 哈哈,王工,给我也来一份!ganboda@foxmail.com 已发~ 收到,谢谢~
王工您好,求资料一份 872467219@qq.com
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王工,求损耗表,谢谢。378086998@qq.com
王工求损耗表 76209144@qq.com 不好意思,漏掉了,已经发给你了~ 讲的很好。求一份公式和损耗表 谢谢 必须扁,最烦那些觉得技术工资高那么一点就乱叫的 给我发一个损耗表 邮箱qidong_002@163.com 大哥我已经算吐血,求表!513476659@qq.com 请 大神发下 耗损表 邮箱 306996770@qq.com 万分感谢 现在才看到王工的好贴,同求表,不知道来迟了没有!已被计算公式搞晕 那个公式看不懂啊,c . p .d是不是可以通过查损耗表得出来?能不能发一份给我啊 !谢谢464067857@qq.com 谁说不需要工程师的,拖出去吧.. 请给我一张损耗表,814023878@qq.com,谢谢拉,楼主威武 王公,1034681373@qq.com 谢了王工请帮忙发资料一份,谢谢!uschon@163.com 王工 Rt=53*[Ve(-0.54)次方]℃/W 这里是-0.54的次方*Ve,还是(Ve* -0.54)的次方,这里一直没搞懂,谢谢王工讲解一下。 是Ve的-0.54次方 王工~!求资料学习 typhonlee@163.com 王工您好,这个热阻我算了下怎么没算出15.8啊,帮忙发份损耗表2457539104@qq.com。非常感谢 已发,这个公式是指数运算,,我在转换成简单点的你就看明白了,1除以(9.42的(0.54)次方)=0.2979 0.2979*53=15.7887约等于15.8 你试试? 泪流满面终于算出来了![]()
对,是这个,手打的没办法 ![]() 先算出热阻,Rt=53*[Ve(-0.54)次方]℃/W, 这个53是怎么得来的,是经验值吗?还是以后固定选用53? 经验值 楼主,你好像计算错了,我用一个软件计算后是这样的:
精通开关电源里面还有一条公式是关于正激磁芯的选择的,不知验证过了没有? 哪条
由于没接触过正激,不知此公式得出来的结果是否准确?王兄可曾验证过? 这个公式是可以用的 这里打个广告![]() 你没好好看帖子呢,0.7那个公式只用于反激选磁芯,其他拓扑有另外公式,用AP法,65贴就用于正激选磁芯的公式。我还是建议你自己看看这本书,书本写的比较详细,我是做一个总结,去掉复杂的推算过程 书上不是说适用所有拓扑吗,AP法不能等效到Ve吧。 书上没有说吧,而且正激、半桥,全桥拓扑相同的变压器在不同拓扑能做的功率都不一样,也许Ve法也适用,但是可能不是乘以0.7了,这个公式在其他拓扑中我没有看到过乘以多少,你要有公式也可以在这里共享下,用AP=Ae*Aw 不同磁芯的AP是不一样的,也有参数出来,一样可以和Ve一样对比下选磁芯 王工,新人求教,都快给变压器搞蒙死了,每天缠十几个,每次问老师傅,都是直接给匝比还有电感量的,说一切靠经验,书上的公式也看蒙了,1125119910@qq.com 指点一下 这里的Ve=0.7*[(2+r)的平方/r]*(P/f) P是输入功率吧,不是输出功率,因此p=输出功率÷效率=60/0.8=75W吧 Ve=0.7*[(2+r)的平方/r]*(P/f)请问这个公式是怎么得来的? 王工你好,完整的资料给我发一份吧1004125662@qq.com 楼主的频率是60KHz? 您好,Ve值是指什么呢?这个公式的计算怎么解释呢?谢谢! 王工,新手。求公式和损耗表,xiefaquan163@163.com 这么大的空载功耗啊 我也在用这个IC方案,用了很久了,几年了,不错,很稳定 大神,求计算公式和损耗表文档呐,十分感谢!xutao399@163.com已发~~ 同求学习,272665239@qq. com,谢谢。 已发 需要反激相关的计算公式文档和损耗表,拿来对着此贴深入研究一番。恳请大神赞助:312031598@qq.com 感激涕零! 已发~公式没有文档,只写在记事本上,和这里写的是一样啊 王工,求公式和损耗表 644051907@qq. com,谢谢 同样也发了 王工,也发一份给我好吗? 331260095@qq.com 3Q 也发了~ 同求,大神 78773562@qq.com 五一的时候统一给你们发吧,现在天天公交加地铁去上班太累了,晚上回来都不想动了,对不起各位 王工,这么迟了我也来求个学习资料,一直在关注你的帖子,想好好看看。244119591@qq.com谢谢啊 能不能转发一份损耗表给我啊?看到这个贴子学习学习。谢谢464067857@qq.com 非常感谢;学习了;顶个 支持一下。 现在开始计算开关管损耗,开关管有导通损耗和开关损耗。记得之前计算Ipk=1.64A吧按经验选取,MOS管电流选取,封闭环境为峰值电流5-6倍,1.64*5=8.2A, 最大输入为265*1.41=374V 反射电压为80V,乘以1.4的系数,80*1.4=112V 374+112=486V,这里我们取600V耐压,所以选择MOS管为8N60我在网上随便选取了一个8N60的管子,参数为
接着算开关损耗,开关损耗和选的MOS管参数也很有关系,总而言之MOS管损耗和MOS管的参数关系很大,现在有COOLMOS,我也没用过,听说是很好的,损耗很小,对提升电源效率很有帮助,对电源效率有要求的童鞋们可以试试COOLMOS,回归正题, MOS管开关时间Ts=(V*C)/I V为驱动电压一般为16V C为MOS官输入电容单位为NF,查81贴知道输入电容为1.12NF I为驱动电流主要看IC驱动能力和GS驱动电阻有关,只能估算,估算为0.5A 算得 Ts=35.9NS 和85贴的给出的上升时间和下降时间还是有差的,但是你们注意看85贴的给出的时间参数是以MOS管流过7A的时间为准的,我们只有0.6A,而且这个时间和IC的驱动电流和电压很有关系,85贴的参数只能用来做参考 所以开关损耗P=3.12*(P0/VIMmin)*VINmax*(Ts/T) P0为总功率 60W VINmin为最小输入直流电压 120V VINmax为最大输入直流电压 374V Ts为刚才算得开关延迟时间为39.5NS T为周期,为1/60K,转换成NS为16700NS 算出开关损耗为1.34W 所以MOS管总损耗为1.34+0.144=1.484W 查82贴的MOS管热阻,释放到环境为62.5摄氏/W,也就是是说MOS管温升为62.5*1.484=93度,这个温升我们是不能接受的,也就是说,MOS管需要散热片来降低温升。后面再写出散热片大小选择的计算公式,希望大家多关注 好帖!非常感谢,受益非浅 王工按上述公式计算为了开关损耗是1.254W啊 你在算算? 又学到了不少东西,顶你,王工,继续 恩,你们的留言是我继续写下去的动力 王工加油,我一直在跟着学 不错,希望楼主再说点认证方面的 这个放心,我现在说的是完整方案,一直从产品设计到成品认证 之前说MOS管温升太高,我们是不能接受的,所以需要散热片,温升T=80*(A的-0.7次方)(P的0.85次方),T 为摄氏度,A为铝材表面积,单位IN平方,P为损耗,假设我们要求温升30度, 之前我们计算出MOS管损耗1.484,,约等于1.5W,带入计算得,铝材的表面积为6.65IN平方转化为MM平方为4290MM平方,好啦,然后我们就可以设计散热片了,只要表面积达到4290MM平方就行,当然了,温度和很多因素有关,比如空气对流情况,所以我们设计一般的估算温度,和实际还是有差的 然后是输出二极管损耗计算与选取输出电流为3.8A,我们选择5~6倍的输出电流的肖特基,3.8*6A=22.8A,肖特基耐压为(VOR+VINMAX)/N VOR为我们设计的反射电压 80V N为咋比 6.375 算出为24.5V,还要加上输入最高电压反射到次级电压,最高输入交流电压265V,所以最高直流输入电压为265*1.41=374V,反射到次级电压为374/N=58V 所以输出二极管耐压为 58V+24.5=82.5V, 没有这个耐压的肖特基,所以我们选择50V或者100V耐压的肖特基, 最后我们选择为 MBR20100
输出二极管损耗为 UI(1-D) 因为反激拓扑为MOS管打开时储存能量,关闭时传递能量,所以输出二极管只有在(1-D)导通 ,肖特基一般为0.5~0.6V压降 ,D最大为0.4 所以二极管损耗为0.6*3.8*0.6=1.368W 所以从公式中可以知道,相同输出电流时,想降低损耗,要么选压降低的输出二极管(很低不太现实),要么提高占空比(也不能无限提高)
我们算了那么多损耗,有没有发现一个很有意思的情况,就是把所有大损耗加起来,我们就可以估算电源大约的效率,当然了,有些电阻,IC损耗我们没算,所以实际效率会比我们估算的效率会低点 变压器损耗 1.9W MOS管损耗 1.484W 输出二极管 1.368W 加起来为 (60-4.752)/60=92% 实际这个电源能做到90的效率就很高了,这个还是最优化的效率,不太管这些损耗的设计,一般也就85~86的效率是普遍 好了,电源设计差不多了,这些是我个人的一些见解,可能也有错的,希望高手指正。后面我开始说CE认证方面的,要让这个电源能过CE,至于UL,CCC之类的,因为我没做过这些认证,我不太懂标准,就不说了。 看来我能力有限,不太多人关注呢![]()
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这里进行修正下,算出为24.5V,还要加上输入最高电压反射到次级电压,最高输入交流电压265V,所以最高直流输入电压为265*1.41=374V,反射到次级电压为374/N=58V 所以输出二极管耐压为 58V+24.5=82.5V 为什么我算出来的是0.397in^2那,而不是6.65in^2 求指导??112贴的传导图在0.164M~1.68M的地方超了很多,先说原来已经有的EMI元件,整流桥前L,N线分别有两个1M的差模,输出部分有个300UH小共模,无Y,变压器已经处理过了,很完美,已经无需再改,因为本来打算无Y设计的,毕竟是8W的小功率,看来是不行的,只能在两个地之间加入222Y电容,结果为下图
其实我觉得传导整改并不难,只要整流前有共模,整流后有差模,加上Y电容,在加上变压器处理,散热片接地,基本都没问题了,倒是辐射整改反而麻烦点。大家可以上传整改过程中超标的图形,我可以给点整改建议。 今天去面试,上市公司,因为理论水平不是很高(一直问我运放的计算),加上跨行了(公司是做电焊机的都是几十kw的开关电源),被虐惨了,最后让我在里面做助理工程师,从新开始学习,我说我考虑下,所以你们要多看点理论,多背点公式,能不能做另说,起码说的起来,而且千万不要跨行,跨行你就是新人了,得重新开始。去之前也没抱多少希望,完全就是冲着上市公司的心态去看看 王兄教导的是,我将铭记在心。。 王兄,来给你加油打气的 谢啦,今天面试还算成功,因为没有离职证明,面试的人说要问老板才行,这几天我也继续面试别的公司 其实会运放就很牛很牛了。。电力电子变压器计算也就3个公式。倒是环路控制,频域分析比较麻烦。一直不是很懂。 恩恩,是啊,不太会用运放设计复杂的电路,加上计算,用运放仅限于做比较器,和恒压恒流的反馈电路,积分电路也是调试出来的,真不会算,但是大公司都喜欢问这些,还得多学习啊 王兄说的是,我们学电的找工作稍不注意就算换行了。像我学弱点控制的现在不也入这行了 我以前也是做逆变电焊机的,后来改行,电子电路方面感觉大部分知识都是通用的![]() ![]()
那么多帖子,不错,加油 谢谢小苑支持~ 找了一下,好像没什么超标的传导图了,超标的辐射图却有很多,既然你们也没什么超标的传导要问,那我有空开始讲辐射吧
首先水平辐射100M超标严重,所以MOS DS加入68PF1KV电容,驱动电阻加大到100R,去掉IN4148二极管 这些举措改了之后
不会,7575的驱动能力很大的,轻松驱动22N60 TO-220封装管子,图在162和163贴,可以和147,148对比,要是DS用到100P吸收,管子才是真的烫,所以我都不会用到100P,虽说对辐射整改更好 我说的是电路图。。。。 电路图是有,关键上传能改变什么么![]() ![]() 你是不是群里的那个谁啊?我是小苑 ![]()
王工,也给我来一份啊,gxjzyhsw123@163.com,谢谢!! ![]()
谢谢,有没有计算公式啊,发一份啊 另外真心不建议楼主去做FAE这种工作,建议楼主往大功率电源以及特种电源这方面走,竞争相对小很多,数字电源这一块也是趋势。我以前也做过一段时间的FAE,刚开始感觉既能做技术,又能做销售,以后自己想单干会有很多的人脉。后来做了一段时间,果断辞职,真心不是我想象的那样,几乎每天都会出差,而且很多的客户本身的技术水准太菜了,连技术文档都不看,直接问你要方案,方案给了,自己调不出来,又是一通电话给他讲解,如果还不行,还要麻烦你出差到他们公司去现场调试,晚上回来还有一大堆的报告要整理出来向上级汇报。当有新的IC出来,第一时间要求去熟悉掌握绘制DEMO板,有时还要把英文手册翻译为中文手册作为客户的参考手册,就是这么操蛋。 特种电源要么是大电压小电流,要么是低电压大电流,相对会比较危险,我目前做的电镀电源常规输入电压380V,输出电压12V,最小输出电流3000A。虽然比较危险,现场客户的老旧电源IGBT经常会在耳边炸,但恰恰是危险,所以很多人不敢去碰,不敢去学,竞争小了很多,收入也多了一点,呵呵,这就是矛盾之处。 其实你的想法有道理,2年前我就是这么做的,本来做低压大电流低纹波高瞬态响应的电源。比如说1v100A这种,现在转作2kw左右的数字双向电源,双向逆变。隔离,非隔离的都做,dsp,arm都会一点。确实比较有难度,收入也比较不错。相对而言。当然了,我们行业特殊,所以没有国家标准。辐射和传导不用考虑。基本完全不懂。 1V100A的这种电源能做什么用呀?一直没有概念,为什么不是2V50A的呢?100V1A,2V50A,1V100A有什么区别呢? 有些时候就是这么操蛋,本人学历大专,理论水平也是欠缺,算运放参数不懂,只懂调试出来,大公司基本看不上眼,只有在中小企业里混,感觉单做技术太久也没什么发展前景,fae已经开始上班,51过后就分配去佛山市场,先做段时间看看,基本有能力的工程都是跟你要个demo测试之后就不会再烦你了,会自己设计自己解决,找你要方案的都是技术不行的,这个也没办法的事。 我也在佛山 想问一下王工,LLC做300W用什么磁芯的变压器能达到要求?芯片用L6599ATD,输出48V,6.7A这样.拆了几个别人的电源,看见那些变压器都不是常见的,变压器厂老说做不来,郁闷啊,所以想知道高手们一般都用些什么样的变压器![]() 前辈:能传一份设计变压器的资料给我吗?306235123@QQ.COM 看完整贴觉得写得太好了 史弟,有时间帮忙看一下我的帖子,帮忙分析一下原因哈![]()
投票正式开始,投出的每一票都至关重要,最终大奖花落谁家?我们拭目以待...扫描
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该参赛作品编号为NO.2 MARKING 王工,给一份完整的资料。345947069@163.com 发不了,屏蔽了 目前在佛山,FAE的工作还得需要适应的过程,以后开案子的频率会很高,估计能跟大家分享很多东西,公司还是蛮强大的,也在规划做MCU的代理,所以我的软件经验也能用上。有在佛山的朋友能找我聊聊,交流交流经验,对于智能控制方面我还是有些经验的,可以给一些建议。 当然了,我不是业务,所以不会跟你们推销东西![]()
不好意思,最近很忙没停过,就没怎么上,因为这个电源刚好做60W,频率刚好是60K 很少来电源网了。。 王工的帖子写很仔细。。。
你在哪里啊,我终于知道谁是王工啦 投票开始了,大家快去投票吧![]()
我看见你投票了 学习学习 好的 123要回复才能看? 謝謝分享 学习 我来学学,感兴趣想继续看下去 66666 学习学习!!! 谢谢楼主分享,学习了 支持 做哪一行都不容易 学习学习 学习受教 讨论讨论技术 学习,thanks 我是来看帖的 学习 看看 什么也看不见 只能回复了~~~~ 来学习 累 学习中 学习下,楼主辛苦了 学习 vb 来学习吸收一下 围观学习中 学习好东西。新人,学习中 学习 分享一些在开新方案的过程,非常值得学习 学习学习 高手们来看一下我的这个怎么整。谢谢 搞了几次了都不过(100W24V OB2203+6563+同步整流)传导还行,就是辐射就不行了。变压器也加了屏蔽驱动也用到100R了 MOS管的D也加了磁珠。IC供电也用了慢管。但还是不行啊。各位大哥们请帮帮忙出点招吧。谢谢
非常感谢王工的讲解,确实受益匪浅,我之前也在佛山上班,做技术痛并快乐着 麻烦王工也发一份资料学习一下,reborn58@126.com 多谢了! 王工,求公式和损耗表,289076242@qq.com,谢谢 时间太快了,做工程的,时间一下过了 看了王工的贴子很是兴奋,同求公式和损耗表,464068968@qq.com,谢谢!!!!!! 看了此贴,受益良多,支持王工,可以发一份损耗计算的表格给我吗,cshw1983@126.com 王工,新人路过,求一份资料 变压器公式及损耗表 看你的帖子受益良多1121826382@qq.com 1459132314@qq.com q求表!!谢谢王工 求资料 2277867327@qq.com 非常感谢 王工求损耗表 1121826382@qq.com非接触CPU智能卡技术引 言随着非接触逻辑加密卡的不断应用,其技术的不足之处也日益暴露,难以满足更高的安全性和更复杂的多应用的需求。2008年,互联网上公布了破解Mifare Classic IC芯片(即M1芯片)密码的方 一种简易数字控制的三相逆变电源的研制摘要:研制了一种新型的三相逆变电源,采取了一种新型的SPWM数字控制方案,分析了其系统结构与工作原理,实验结果表明:输出波形达到要求,实现简单,成本低,方案可行。 关键词:数字控制;三相逆变电源;推挽 两种高功率因数开关电源设计方案的比较 传统的开关电源整流电路普遍采用不可控二极管或相控晶闸管整流方式,直流侧采用大电容滤波,输入电流谐波含量大,功率因数低,造成了严重的电网污染和能源浪费。目前,解决谐波问题、提高功率因数的主要方法: 相关信息
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