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为同步整流选择最优化的MOSFET

来源:    作者:    发布时间:2015-03-27 08:13:15    浏览量:


图2. 功耗构成与输出电流的关系

在选择最适当的MOSFET时,必须特别注意RDS(on) 的取值范围,如图3所示。当RDS(on)超出最优值时,总功耗将随RDS(on)的提高而线性增加。但当RDS(on) 降至低于最优值时,总功耗也会大电流电感因输出电容的快速增加而急剧上升。此外,在图3中可以看出,可实现最低功耗的RDS(on)值范围相当宽。在本例中,当RDS(on)在1毫欧姆至3毫欧姆范围内时,总功耗始终大致相同。但是,在此范围之外,RDS(on)仅下降0.5毫欧姆,便会令总功耗提高一倍,从而严重降低电源转换器的效率。


图3. 功耗与RDS(on)值的关系

对于优化SR,另一个重要的问题是正确选择MOSFET封装。只要将TO-220封装替换为SuperSO8封装即可实现效率提升。这是因为,SuperSO8封装的电阻占总RDS(on)的比例更低。在降低RDS(on)的同时,保持输出电容不变,能够降低FOMQoss。FOMQoss是特定MOSFET解决方案的性能指标(FOMQoss= RDS(on) * Qoss)。因此,降低FOMQoss可以降低开关损耗,从而提高系统能效。

4. 应当按何种负载电流优化MOSFET?

要在整个负载范围内实现均衡的效率,必须借助四象限SR器件优化表对MOS功率电感器FET电流做出合理的选择。采用满负载优化,可以在输出电流较高时实现良好的效率。但是,当负载较低时,这种方法会大大降低效率,并且所需并联MOSFET的数量将多得不能接受。因此,必须找到最优MOSFET电流,以在整个输出电流范围内实现相对恒定的效率值。

为阐明这个0603电感问题,图4显示了不同优化方法得到的效率。图中所示效率曲线为,当变压器电压为40V、栅极驱动电压为10V、开关频率为100kHz时计算得到的12V同步整流级的效率。在75V优化表中选择 IPP034NE7N3,按10 A MOSFET电流进行设计,所得到的优化方案仅需一个MOSFET。如图4所示,这种优化方案能够在低电流时实现很高的效率,而在高电流时效率却极低。按50 A进行优化设计,所得到的最佳方案则需要5个MOSFET。采用这种优化方案,低电流时的效率将低得不能接受,但在满负共模电感载时可以达到最高效率。因此,对该设置而言,最佳优化方案是采用两个并联的MOSFET,从而获得整体均衡的效率。

通常,按最高输出功率的20%至30%对MOSFET进行优化,可以获得均衡的总体效率。对于强调轻负载效率的系统,可以按最高电流的10%至20%的低电流进行优化;而对于高负载设计,则适于按最高电流的60%进行优化。应当避免按100%输出负载进行优化,因为这会严重降低系统的低负载效率,并大大增加所需并联的MOSFET数量。


图4. 不同优化方法实现的效率不尽相同

5. 借助四象限SR器件优化表选择MOSFET

为了帮助开发人员更轻松地为SR应用选择最优MOSFET,下面介绍一个四象限SR器件优化表。借助这个优化表,可以根据三个应用参数找到最适合的器件:次级变压器电压、开关频率和RMS MOSFET电流。为便于理解,图5给出了一个实际的例子。


图5. 四象限SR器件优化表

使用优化表时,首先从次级变压器电压开始。在所用电压值位置,画一条垂直的直线。在两条线相交处可以选出特定的MOSFET。通过一条水平的直线和一条垂直的直线,便可选择开关频率和MOSFET电流。如前面所讨论,按最好从满负载的20%至30%的电流值开始进行选择。此时,可以在正Y轴上读取最优RDS(on)值。在第四个象限中,显示了并联MOSFET的最佳数量。在第四个象限中,必须选择之前在第一个象限中选定的MOSFET型号。然后,按同样的参数(变压器电压、开关频率和电流RMS)对另一个型号的MOSFET重复执行这个选择过程。比较两次选择所得到的最优RDS(on)值,最优RDS(on)值越低的MOSFET所产生的功耗也越低,因而是更加高效的解决方案。

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