BUCK充电电路中MOS管在关断时有振荡!有原理图+波形!!!

图中BUCK充电电路开关频率120KHz,采用NMOS高端驱动.在充电初期大电流充电时,NMOS的DS间波形还算正常,没有明显振荡;而到了充电过程后期,充电电流小到200mA左右时,NMOS的DS间波形则有明显的振荡,不确定这段振荡是如何产生的?怎样才可以消除呢?






请此间高手多多指正啊! 基本上不会对管子造成损坏
我做28000W的电源都这样的波形没关系 没关系~正常 请此间高手多多指正啊! 常见的问题,谐振导致.充电电流大的时候电流连续,充到后来是不连续模式,导致LC谐振,此问题不大,没有必要解决, 谢谢ycyy的指点啊!那就是说这种情况不需要理会喽!总担心有什么隐患呢,会不会损坏开关管? 对开关管来说,不会损坏,如果你担心,那可从电压电流损耗以及DV/DT等角度来看问题,结论是不会损坏 请问ycyy,我打算把这个电路改成软开关模式,可否推荐几款常用的软开关控制芯片呢? 这个电路的设计有没有问题呢?有没有更好的电路可以实现低压大电流(10A)对蓄电池充电呢?本来这个充电电路是用PMOS做的,那时就不需要高压驱动芯片,但为了降低大电流时开关管的导通损耗,所以采用了低导通电阻的NMOS,但现在又发现在100多KHZ频率下,NMOS的开关损耗也很可观,可能无法通过单管实现10A充电电流.是否除了采用软开关技术外就无其它方案?谢谢! 鉴于你这种应用情况的话,buck最简单,但感觉你设计前期没有详细规划,比如充电器的话,你的纹波要求情况,功率的计算等等,这些确定后,你的频率要先给个初值回推演算,真的需要这么高的频率吗?在目前的情况下,开关损耗和导通损耗比正常吗?这个情况下电感的损耗是多少,铜损铁损是多少,其比值正常吗,是否不利于散热?这个频段你的EMI搞的定吗?都需要考虑和仔细推算.

所有的情况考虑清楚了,基本上可以得到预期的结果,但感觉如果你这样下来的话,时间拉的比较长,因此这些东西都是以前经验积累的结果,熟练的话前期的时间精力投入就比较少.但无论如何,你都要做这个前期的工作.

鉴于这个情况,你可以先去演算下你的管子的损耗情况(因为你说很烫嘛,损耗究竟是多少,什么散热条件,自然冷却还是强制风冷,散热片热容等等,)如果开关损耗很高的话,可以降低你的频率(再回过头检查你的电感是否合适),或者通过改驱动电阻.

软开关是一个相对来说很宽的范围,如果感兴趣,你可以根据你的管子电压电流等级,选择合适的来做,比如准谐振/有源钳位等(这两种中前一中可能比较适合你).最后要核算的是成本问题,如果没有成本问题基本上没啥可说的. 感谢您的耐心解答、指导!确实这个电路前期工作我没做足.选择比较高的开关频率主要是因为充电器模块尺寸限制,为了缩小电感尺寸,所以才考虑100多K的频率.管子散热只能通过自然冷却(充电器模块厚度有限),而且最终模块是要灌胶密封的,所以才考虑到采用软开关模式.我按照大虾指点,再补补前期工作吧,也仔细演算一下.准谐振的控制芯片好像比较少啊,只看到飞兆半导体有几款,是否大部分软开关变换器都用SMPS数字控制器实现呢? 此应用中成本不是主要考虑因素. 可否详细点,具体是哪个L和C谐振呢?图中有振荡的波形是NMOS的DS之间波形. 能详细解释一下吗?具体是哪个L和C谐振呢?波形图中有振荡的地方是NMOS的DS之间波形啊! 基于这类的问题,以后可同下分析:
1观察谐振频率,
2查找线路中的谐振回路
3基于其中多条或某条回路中寄生参数进行演算,大致看是否为一个数量级,比如开关管寄生电容等,或其他辅助电容,电感先检查主电感是否参与谐振,再看其他电流互感器之类的东西,最后再考虑线路电感
4根据自己的推测,将回路变成单向的,看是否还有此现象
5给出结论 通用!实用!应该遵守! 可否解释详细一点啊!具体是哪个L和C谐振呢?有振荡的波形可是NMOS的DS之间波形啊! 进入断续 感谢关注!可否对我上述问题作出一些详论? candid大侠有何高见呢?不知道可否浏览过此帖? 大侠的不是.
buck非同步整流电路在轻载时电感电流不连续,所以会出现这个振荡,这是正常情况,没必要解决.如是同步整流便没有这个振荡. 也就是说,是续流管的反向恢复需要时间从而导致了振荡的产生,对吧?那在电感电流连续时是否因为反向恢复时间缩短而避免了振荡呢? 错了,一般肖特基二极管的反向恢复时间是数个nS,你看你这个振荡时间何止几个纳秒!!形成振荡都是由于能量在存能元件中来回转移引起的,这里输出电感和一些寄生电容就是存能元件.

另外,反向恢复时间内由于还有泄放途径,反而不会形成振荡. 解答中肯!学习中...... 电路所用NMOS的导通电阻为14毫欧,在充电电流达到3A时,开关管(不加任何散热措施的情况下)已经有些烫手了,是否在开关频率100KHZ时开关损耗已如此可观?如何计算开关损耗呢?打算将充电电流做得更大些,5A,甚至10A,是否只能采用软开关模式? 你确定mos的温度仅仅由其自身发热造成?在较大输出电流时二极管是损耗严重器件,也许是它把mos烤了^_^.这个烫手很感性的说法,但并不说明这个温度到低有多高,40~60度都烫手.
20A的我也没有用过什么软开关,关键是选好的mos(Rdson约几毫欧),最重要的是用同步整流buck电路(把二极管换成mos),其次是芯片的驱动能力要大些,再次输出电感DCR小写.
mos损耗的计算网上都有,但各有各的说法,计算结果也有差异. 续流二极管是更烫些,我再具体测一下温度吧!通过改变开关管栅极电阻,发烫情况有所改善.同步整流方案确实值得考虑了! 具体是哪个L和C谐振呢?图中有振荡的波形是NMOS的DS之间波形. 都在潜水吗?大虾们 问题定性(就是不是问题的问题)大家都说的比较明了^_^,你还有什么问题啊?你一定要知道具体是哪个L和C谐振?L就是输出电感和电路里寄生的电感,C就是寄生电容(主要就是二极管结间电容) 主要是二极管D2、还是二极管D3的寄生电容,还是开关管的寄生电容呢? 这个问题不直接回答你,可以告诉你:把D2短接后振荡依然存在;但是呢,要是认为由于D3引起的话,你也不可能去掉或短路D3,对吧.什么意思呢?就是这个振荡是非同步buck电路固有的,不管怎么优化电路都无法消除,也没必要消除,这个振荡幅值不大于Vin,不可能损坏电路里的器件.如果一定要消除,倒可以建议你试一试在D3两端并联一个电阻给出一个泄放途径(这个方法没验证过),这个电阻不能太小否则会影响你电路的功能或效率,这个电阻的耗散功率要大(Vin*Vin/R),1k/1W的电阻试试. 明白了.短接D2后,振荡确实依然存在.3XU! 好的,我试一下! 试过了,在D3两端并联了一个1K的电阻,振荡有所改善,但未完全消除,即:振荡幅度减小很多,但减小后的电压值仍小于刚刚关断时的电压值. 波形发上来看看.
另外还是那个观点:没必要处理这个波形^_^ 还可以试一试D3两端并联一个RC电路:R=200欧姆,C=2nF. 好的,我试了一并发上来吧!是的,这个波形没必要太在意呵呵!同步整流哪颗芯片比较常用呢? 电流检测电路在哪啊 看不见图 再发一下 图挂了 看不见了 。

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可用于单火线开关电路的超宽电压，微功耗，极小尺寸 不多说看规格：


产品特性：


• 低功耗： 输出空载时功耗小于5mW,可满足对功耗极其严格产品的需要。


• 大电流： 输出最大电流200mA,以适应不同产品对电源供应的要求。