为同步整流选择最优化的MOSFET
来源： 作者： 发布时间：2015-03-27 08:13:15 浏览量：这个MOSFET选择方法，是在假定应用具备最优开关性能的条件下计算得到的。如果发生了诸如动态开启或雪崩等二阶效应，那么这个优化表可能不准确。此外，硬开关转换器拓扑可实现最佳结果。任何谐振软开关拓扑均可能导致失配，因为可以回收利用开关过程产生的部分电量。在这种情况下，实际最优RDS(on) 值将低于计算得到的值。请注意，一次侧采用准谐振拓扑（例如相移ZVS全桥）也可使二次侧的同步整流实现硬开关性能，从而也可以利用这种设计优化表来进行优化。
从这种优化表得到的所差模电感器有结果，均以理想的MOSFET性能为前提。根据经验，实际应用的结果与按理想状况计算得到的结果有所不同。因此，利用这种优化表得到的结果应作为最优器电感器的作用是什么件选择的参考，以防止MOSFET性能不足或过高。如果利用这种优化表得到的结果是在两个不同的并联MOSFET数量之间，那么，数量较低的方案是适于低负载的优化方案，而数量较高的方案则是更适于高功率的优化方案。此外，任何与同步整流级并联的缓冲网络均会影响器件的选择，因此，在设计时也必须予以考虑。
要在整个负载范围内实现总体优化，仅一次计算是不够的。除按特定负载值（电流值）计算一体电感器最优MOSFET之外，还需要按不同负载电流在这个四象限优化表上进行多次计算，以扩大一体成型电感优化范围。同时，还要根据实际应用要求，调整所得结果。
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