计算大功率电源中MOSFET的功率耗散
来源： 作者： 发布时间：2015-04-03 09:21:42 浏览量：降低假设的TJ(HOT)；减少用于MOSFET功率耗散绕行电感器的铜散热片面积；或者，采用不那么昂贵的MOSFET。
这些步骤是可选的，因为本案例中MOSFET不会由于超过设定温度而损坏。然而，在TAMBIENT比封装的最大温度高时，这些步骤可以减小板面积和成本。
该过程中最大的不准确性来源于ΘJA。仔细研读ΘJA规格参数相关的数据页说明。典型的规格说明假设器件安装于1平方英寸的2盎司铜片。铜片承担了大部分的散热，而铜片的大小对ΘJA有显著影响。
例如，采用1平方英寸的铜片，D-Pak的ΘJAD-Pak可能是50°绕行电感器C/W。但如果铜片就设在封装引脚下，ΘJA值将会加倍(参见表)。采用多个并联MOSFET，ΘJA主要依赖于它所安装的铜片面积。两个元器件的等效ΘJA可能是只有一个元器件时的一半，除非铜片的面积加倍。就是说，增加并联MOSFET而不同时增加铜片面积，将使RDS(ON)减半，但对ΘJA的改变小得多。
最后，ΘJA的规格参数假设铜片散热面积不需考虑其他元器件的散热。在高电流时，在功率路径上的每个元件，甚至是PC板上的铜材料都会产生热量。为避免对的MOSFET过度加热，需要仔细计估算实际物理环境能东莞电感器达到的ΘJA值；研究所选择的MOSFET提供的热参数信息；检查是否有空间用于增加额外的铜片、散热器和其他器件；确定增加空气流动是否可行；看看在假设的散热通道有没有其他明显的热源，并要估算一下附近元件和空间的加热或冷却作用。
设计实例
图3所示CPU内核电源在40A提供1.3V。两个同样的20A电源在300kHz运行，提供40A输出电源。MAX1718主控制器驱动一个，而MAX1897从控制器驱动另一个。该电源输入范围在8～20V之间，指定封装的最高工组作环境温度60°C。
同步整流器包括两个并联的IRF7822MOSFET，在室温条件下组合的最大RDS(ON)为3.25mΩ，而假设TJ(HOT)为115°C时约为4.7mΩ。最大负载系数94%，20A负载电流和4.7mΩ最大RDS(ON)，并联MOSFET的耗散约为1.8W。提供2平方英寸的铜片以进行散热，总ΘJA约为31°C/W。组合MOSFET的温度上升约为55°C，所以此设计将在60°左右的环境温度工作。
在室温下组合的最大RDS(ON)为6mΩ，在115°C(假设的TJ(HOT))为8.7mΩ的两个并联IRF7811WMOSFET组成开关MOSFET。组合CRSS为240pF。MAX1718以及MAX1897的1Ω栅极驱动输出约为2A.。当VIN=8V时，电阻损耗为0.57W，而开关损耗约为0.05W。在20V时，电阻损耗为0.23W，而开关损耗约为0.29W。在每个操作点的总损耗大体平衡，而在最小VIN处的最坏情况功率电感下，等于0.61W。
由于功率耗散水平不高，我们可以在这对MOSFET下面提供了0.5平方英寸的铜片，达到约55°C/W的总ΘJA。这样以35°C的升温，可以支持达80°电感器生产;C的环境温度。
本实例的铜散热片仅要求对MOSFET提供。如果有其它器件散热，也许要求铜散热片面积更大。如果空间不允许增加额外的铜散热片，可以减小总功率耗散，将热量扩散到散热量较低的地方，或采用其他方法散热。
热能管理是大功率便携设计中最困难的方面之一，它使上述的迭代过程成为必需。虽然这一过程使板设计者已经接近于最终设计，但还是必须通过实验室工作最终确定设计过程是否准确。在实验室中计算MOSFET的热能特性、确何其散热通道并检查计算结果，有助于确保可靠的热设计。
基于SVM不对称六相永磁电机控制系统的设计方案 1.前言永磁同步电动机(PMSM)因其高功率密度、高转矩和免维修等原因，广泛应用于高效驱动领域。六相永磁同步电动机发展了三相永磁同步电动机的结构，多应用于船舶电动推进等领域，它相对于普通永磁同步电动
应用于智能电表各功能模块的安森美半导体方案概在方兴未艾的智能电网应用中，智能电表发挥关键的作用。安森美半导体身为应用于高能效绿色电子产品的首要高性能硅方案供应商，在提供应用于智能电表的方案方面经验丰富，历史悠久。我们应用于智能电表的电力线载波(
STSTM32L152ZD超低功耗ARMCortex-M3MCU开发方案 告警系统" title="告警系统">告警系统" title="告警系统">告警系统,有线和无线传感器,视频连接和实用计量表.本文介绍了STM32L15xxD系列主要特性, 方框图,STM32L15