非接触CPU智能卡技术
来源： 作者： 发布时间：2015-06-07 06:57:32 浏览量：④可扩展性。卡片支持多种容量选择，如2 KB、4 KB、8 KB、16KB、32KB的EEPROM空间。CPU卡从卡结构到卡容量可以很容易扩展到多种应用，可以与银行联合，实现真正意义上的一卡多用。
⑤安全性。与逻辑加密卡相比，由于智能卡内部具有CPU芯片，在具有数据判断能力的同时，也具备了数据分析处理能力，因此智能卡可以随时区分合法和非法读写设备，并且由于有了CPU芯片，具备数据运算能力，还可以对数据进行加密解密处理，因此具有非常高的安全性。CPU卡是在将EEPROM芯片封装在卡片上的同时，将微处理器芯片(CPU)也封装在里面。这样，EEPROM的数据接口在任何情况下都不会与IC卡的对外数据线相连接。外部读写设备只能通过CPU与IC卡内的EEP-ROM进行数据交换，在任何情况下都不能再访问到EEP-ROM中的任何一个单元。
外部读写设备在与智能卡进行数据交大电流电感换时，首先必须发指令给CPU，由CPU根据其内部的ROM中存储的卡片操作系统(COS)对指令进行解释，并进行分析判断。在确认读写设备的合法性后，允许外部读写设备与智能卡建立连接，之后的数据操作仍然要由外部读写设备发出相应的指令，并用CPU对指令进行正确解释，允许外部读写设备和智能卡中的数据存储区(RAM)进行数据交换。数据交换成功后，在CPU的控制下，利用智能卡中的内部数据总线，再将内部RAM中的数据与EEPROM中的数据进行交换。这样就实现了对智能卡EEPROM中数据的安全保护，因此具有非常高的安全性。
3 非接触CPU卡FM1208的特点与性能
贴片电感器 FM1208是复旦微电子股份有限公司设计的单界面非接触CPU卡芯片，产品支持。ISO14443-A协议，硬件DES协处理器，内置8 KB的EEPROM。FM1208的特色是能够兼容现有广泛使用的非接触逻辑加密卡，将非接触逻辑加密卡(Mirare算法)和符合银行标准的接触式CPU卡的功能合二为一。
特点：通信协议为ISO14443-A；MCU指令兼容8051；支持106 kbps数据传输速率；Triple-DES协处理器；程序存储器32K×8位ROM；数据存储器8K×8位EEPROM；256×8位iRAM；384×8位xRAM；低压检测复位；高低频检测复位；EEPROM满足10万次擦写指标和10年数据保存指标。
FM1208典型处理时间：
◆识别一张卡时间为3 ms(包括复位应答和防冲突)；
◆EEPROM擦写时间为2．4 ms；
◆典型交易过程<350 ms。
FM1208的安全机制：
◆有反电源分析模块；
◆有高低频检测复位模块，芯片工作频率超出检测范围自动复位；
◆ROM反逆向提取，存储器数据加密。FM1208功能框图如图1所示。
4 非接触CPU卡FM1208的COS
由于CPU卡具有很高的安全性及一张卡支持多种应用的特点，所以IC卡家族中CPU卡的使用范围正日益扩大。类似一台计算机，CPU卡内也有CPU、存储器和输入输出接口，所以在应用中CPU卡也必然需要操作系统。上海复旦微电子股份有限公司成功地开发了自主版权的CPU卡操作系统——FMCOS(FMSH Car电感器厂家d Operating System)。该操作系统符合ISO7816系列标准及《中国金融集成电路(IC)卡规范》，适用于保险、医疗保健、社会保障、公共事电感器的价格业收费、安全控制、证件电感生产厂家、交通运输等诸多应用领域，特别是在金融领域。
FMCOS详细规定了电子钱包、电子存折和磁条卡功能(Easy Entry)3种基本应用。
FMCOS特点如下：
①支持Single DES、Triple DES算法，且可自动根据密钥的长度选择Single DES、Triple DES算法。
②支持线路加密、线路保护功能，防止通信数据被非法窃取或篡改。
③支持在一张卡上实现多个不同的应用：可建立三级目录。
④支持电子钱包功能，钱包大小可由用户自行设定。
⑤支持多种文件类型，包括二进制文件、定长记录文件、变长记录文件、循环文件、钱包文件。
⑥支持ISO7816-3：T=0(字符传送)通信协议。
⑦满足银行标准：符合《中国金融集成电路(IC)卡规范》。
⑧防插拔功能：交易处理过程中非正常拔出的卡片自动恢复。
FMCOS由传输管理、文件管理、安全体系、命令解释4个功能模块组成。
①传输管理：按ISO7816-3标准监督卡与终端之间的通信，保证数据正确地传输，防止卡与终端之间通信数据被非法窃取和篡改。
基于GC5016的宽/窄带数据下变频解决方案随着电子技术和信号处理技术的发展，宽带数据的应用越来越多，同时窄带数据通信也仍然广泛存在。同时对宽带和窄带数据进行处理是目前无线通信遇到的问题。由于数字接收机系统中，宽带和窄带数据的需求不是事先固定的
求助：IR2110 驱动全桥，有一片MOSFET发热严重……事件描述：IR2110驱动四片MOSFET，输入信号为完全反相的方波信号，有死区时间，输出波形也基本正常。只是工作一段时间后，直接连接直流高压线的那片MOSFET发热严重？？
请问大家有遇到这
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