如何控制驱动VR
来源： 作者： 发布时间：2015-05-03 10:44:22 浏览量：或门输出被锁存、倒相并送至开启延迟计数器的UP/DOWN输入端，该信号告诉计数器向上记数或向下记数。如果或门输出为高电平，则记数器向下记数，减少延迟时间。而或门为低电平输出时，计数器向上记数，则增加延迟时间。计数器并有效地保持该延迟信息给下一个工作周期。反馈环会调节开启延迟使之缩短，直到或门没有更长的输出脉冲，当计数器工作在恒定负载和线路电压时，对下一个周期的开启延迟将稍微有些加长，或门将给出高输出脉冲，延迟将会缩短，在这种方式中，电路会在两个延迟时间之间抖动，一个长一些，另一个就会接近最佳状态。
关断控制器工作在与开启控制器非常相似的管理方式。不同之处在于电压检测电路及计数器的记数方向。当体二极管导通时，用一高速比较器检测。为了更加精确，一个比较器用于检测体二极管导通，去替代或门，在开启的期间，电流正从整流MOSFET向回流MOSFET换向，电流的DI/DT非常高，VR的源漏电压上通常可看到其震铃。如果用一个比较器检测体二极管在VR导通期间的体二极管状态，由于源漏电压的振铃，可能会出现误触发。在VR关断期间，通过VR MOSFET器件的电流是恒定的。该电流或者通过其通道或者通过其体二极管。在关断时，仅有非常小的振铃，比较器用来改善精度，比较器的阈值必须比先前的MOSFET通道导通时的误触发值更负向一点。
在通道导通期间，源漏电压大约等于I LOA贴片电感器D*.RDS(ON)，并规定了噪声。比较器阈值设置在大约-300mV。比较器比较VR的源漏电压与此设置阈电感器厂家值，从比较器出来的高电平指示给控制器，系体二极管在导通，延迟时间需要增加，这与开启局面精确对应。因为关断延迟记数设置在起始时全部为0。图4(a)和(b)示出VR关断波形及比较器的输出。
图4 VR的关断波形
(a)非最佳延迟(贴片电感 b)最佳延迟
图4(a)示出当延迟设置太短时电路的工作状态。图4(b)示出最佳延迟状态。由于在VR导通中，关断延迟在某一值处处于抖动状态，这就是太长以及最佳值的两个状态。
问题出现：开启延迟及关断延迟可否设置的短些，这是否会造成交叉导通，问题在于仔细地研究比较器的特性，及延迟线的每个元件的延迟，比较器仅能响应差分输入电压，此电压仅在转换间隔结点上有足够的时间总量才会存在。假定比较器可以检测出体二极管导通用5ns时间。在下一个周期内，延迟即可调节，用延迟线上一位数码去减少体二极管的导通。当然，比较器也不会去响应下一个周期体二极管的导通，因为它在延迟线的每个元件上大约减少5ns的延迟时间。关键防止交叉导通的措施是设置的每个元件的延迟要比比较器可检测的最小脉宽要少。
B、 控制驱动QF的执行
正向整流的QF的控制和回流元件VR很不一样。一个主要的区别是：其目标是在变压器复位后即将QF开启，它独立于PWM控制信号的上升沿和下降沿，它不同于回流的MOSFET。此处，目标只不过是调节PWM控制器信号的上升沿及下降沿的时间，以减少VR体二极管的导通时间，并使之最小化。
了解该目标是在变压器复位后要将QF导通，一个好的起始点就是图5所示出的使QF导通所需的电路。
图5 VR的控制电路
首先，一个高速体二极管比较器用于检测QF开始导通时的体二极管，它在变压器复位时间间隔结束时发信号，偏巧如图6所示，这个比较电感加工厂器还将检测出的初级侧MOSFET Q1关断后令其体二极管正好导通。
使用该比较器仅单独为开启QF，并确保在Q1进入关断的时间。这样变压器将绝不容许复位。为防止这一点，用一个低速比较器检测QF的源漏电压升至2.5V。当QF源漏电压升过2.5V时，设置了一个预置锁存调节，它将使高速体二极管比较器能输出工作。在QF源漏电压降过-300mV的体二极管比较器阈值，QF就立刻导通，并设置QF的控制锁存。在高速比较器输出变成高电平。预置锁存即刻复位，开启电路在下次导通事件中就处在恰当状态。从体二极管比较器检测出体二极管的导通固有延迟期间，到QF导通的通道，体二极管传导变压器的磁化电流。虽然在此间隔内，在QF体二极管有导通损耗，但与之相比，这已是QF遇到的最小的损耗。如果QF在此糟糕的时间间隔还保持关断的话。为完全消除这个损耗，用一个相同的预先控制的方案，用来开启VR，虽然这在理论上是可以的，但实际上会相当困难，因为此处没有PWM控制信号的脉冲沿存在，此时系变压器完全复位的状态。
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充电器
这是爱吗电动车充电器，好像烧了几个贴片电阻，好像是1R3不知是多大的，如果修的话光换电阻可以吗，本人新手，请大神指点。
如果有其它元器件损坏，只换电阻肯定不行。
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