场效应管在音响电路中的应用分析
来源： 作者： 发布时间：2015-05-01 09:30:50 浏览量：场效应晶体管在音响数字化的今天应用范围越来越广。其原理、优点和使用常识在一些工具书及报刊上已有不少论述，在电感厂家此不再赘述。本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前，应插件电感用于音响领域的场效应管包括结型管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOsFET)，而后者又分为LDMOS、VMOS及近年出现的UHC、IGBT等，并且至今仍在不断发展与完善之中。绕线型电感器 基于DSP的覆冰机器人控制系统研究DSP（digital signal processor）是一种独特的微处理器，是以数字信号来处理大量信息的器件。其工作原理是接收模拟信号，转换为0或1的数字信号。再对数字信号进行修改、删除、强化，并 尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响0 引言近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度 LED扫描显示屏拖尾问题分析及解决方案1、概述随着LED的亮度不断提高以及尺寸越来越小，更多的LED显示屏进入室内将是一种趋势。然而，由于LED亮度及像素密度的提高给LED屏的控制及驱动也带来新的更高的要求。就一般室内屏而言，现在通用的控
1．JFET缺少配对容差内的互补管
当今双极晶体管制造工艺的成熟已使NPN与PNP互补三极管的配对误差缩小到被广大专业厂商和音响发烧友所能普遍接受的程度。相比之下，场效应管的选配就困难得多，而作为放大器输入级用管的JFET更是缺少符合要求的互补对(这是目前的制造水平所决定的)。附表列出了东芝公司的孪生场效应管(DualFET)K389／Jl09的主要特性数据比较。由附表可知，K389与J109的差异有VCC和NF，其中C和C两项数值，N沟与P沟的差值要达5倍之巨。笔者有一次购买过8对K389／J109，但是在装机前测试的结果却颇令人失望：①所谓孪生管只是同一管壳内的两只管子性能一致，而同时购买的8对管中N沟之间的差别颇大，N沟与P沟的差别更大；②K389与J109的Idss、gm及Vgs各不相同，实际的波形测试也不对称。最后，笔者只能从K389中选出两只误差为3．8％的管子作为单边差动输入级之用(以往选用双极孪生管时总是不难把同极性管的误差控制在1％，异极性管的配对误差也不会大于3％)。通过以上的数据比较和实际测试可以得到如下启示：JFET用于互补输入级时，其V和I一的离散性会使电路的静态工作点产生较大的偏移，从而令电路的稳定性变差；gm、Cis,Cis的固有差异更影响着整个推挽级的上下波形对称和瞬态响应速度等动态指标。关于这一点，国外的一些知名厂商其实早就形成共识，如天龙、马兰士等的产品中常可见到K389等做成的场效应差动输入级，但总是难以见到J109的影子，也许K389／J109本来就是“拉郎配”。
与JFET相比，MOS管的耐压、功耗和跨导等都容易做得较高。另外，放大器中除了输入级以外的部分(如推动级、输出级)，其互补配对要求可相对放宽，而且一些配对的缺陷也可通过电路的仔细设计加以克服。因此，MOS管在功放末级的应用并无什么大碍。MOS管用于功放输出级的问题不在于互补配对，关键是效率低。
2、MOSFET输出极效率较***低
MOS管输出级的损耗比双极晶体管大是众所周知的。通常在相同的电路下，为了取得与双极管一样的输出功率，采用的方法是将电源电压升高±5V，以补偿MOS管的损耗。然而，实际制作证明其远不止这么简单。
音响常用场效应管的参数如下表：
从附表中可以了解到几种颇具代表性的MOS管的主要特性数据。现以日立公司的老牌LDMOS管K135／J50为例加以说明。K135／J50的栅一源开启电压阈值为一0．15～一1．45V。实测当Io=10mA时VO．25V，而当I~=100mA典型值时V增加到0,6～0、85V。可见场效应管的压控特性决定了栅一源损耗电压是随漏极电流I增大而上升的(相对于这一点，双电感器生产厂家极晶体管的V几乎恒为0．7V)。MOS管的内部损耗主要取决于漏源导通电阻R、的大小。K135／J50的参数中没有直接给出RDs1这一项，但是通过漏源导通电压VDs(sat)：12V和ID7A两个数据，利用公式RDs(oN)=UDs)／ID可计算出K135／J50的R、约为1．7Q。这相当于把一个1．7Q的电阻与负载串联，对于标准的8Q负载而言其损失的功率已接近20％。如果考虑到扬声器在低频时阻抗骤跌及场效应管的负温度电压一电流特性(即温度上升时电流下降，也就是这时R增大)，那么MOS管的实际内部损耗将更大。相比之下，双极晶体管的情况就大不相同。例如，东芝的A1265／C3182，当Ic=7A时V、=2V。如果输出为二级射随器，那么加上末前级的损耗(<1V)，总的V。(sat)<3V。这与K135／J50的VDs(sat)=12V相比，孰优孰劣自然不言而喻。
(2)NOS功车管的线住输出电流
如前所述，在相同的电路条件下仅将电源电压增加±5V左右并不能使MOS功率输出级获得与双极管等同的功率。我们往往对MOS管实际工作时的动态损耗估计不足。设一个100W的后级，当负载为8欧姆时，对双极管而言电源电压为V_Gc(8P。×RL)+2×[VcE(sat)+I()×RE 如这时的IcM=5A、vc。1．5V、RE=0．22Q，那么VC85．2V(±43V)。对MOS管而言，同样可以算出V?=99．2V(±50V)。当然，这是理论上的且是最大功率下的值，实际中使用非稳压电源时的空载电压显然还要高。