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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046(四)

来源:    作者:    发布时间:2015-04-17 14:49:05    浏览量:

摘要:新推出的全桥移相控制器LM5046,全桥变换器的全部功能,LM5046组成的全桥DC/DC基本电路,内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能,文中一一有分解说明。
关键词:全桥移相控制器LM5046;28个PIN脚功能(上接第10期第6页)

* 软停止技术
如图7所示,如果UVLO端电压降到1.25V以下的待机状态,但仍旧高于0.4V的关断阈值,SSSR电容用60μA电流源进入软停止。一旦SSSR端达到1.0阈值,SS端和SSSR端两者会立即放电到GND。软停止功率变换器逐渐地放掉输出电容上的能量,令输出电压单向下降,在打呃模式下出现相同的现象。除非SSSR以120μA放电。功率电感在OVP的情况下,VCC,UV过热限制或VREF UV条件下,功率变换器为硬关断,控制器的所有输出立即变为低电平。

a.jpg



* 软关断技术
软关断端给出一个附加的柔性,允许功率变换器进入UVLO期间和打呃模式下。如果SS OFF端拉上到5V的REF端,功率变换器在任何条件下都将硬关断。硬关断驱动每个输出都立即到低电平。

* 过热保护
内部的过热关断电路,提供了在最高结温超出时保护集成电路。此时芯片为160℃,控制器强制进入关断状态,偏置稳压器被禁止,在过热关断期间,SS和SSSR电容全部放电,控制器在结温降到140℃以下时进入正常起动顺序。

* 应用信息
移相全桥式工作模式(PSFB)移相全桥拓扑是从全桥拓扑派生出来的,当适当地加工可以使PSFB拓扑实现初级功率MOSFET的零电压开关,而且保持恒定的开关频率,ZVS特点是可以减少开关损耗,降低EMI发射,PSFB的实现系采用LM5046完成的,工作过程描述如下:
(1)工作状态1(功率传输,主动模式)
PSFB拓扑的功率传输模式象硬开关的全桥,当桥路对角线的两个MOSFET导通时(HO1和LO2或HO2和LO1)。一个功率传输周期从初级到次级开始丁作,图8给出对角开关HO1和LO2工作的状态。在此状态,所有VIN加到功率变压器的初级,由次级线圈降压。

b.jpg


(2)工作状态2(主动到从动传输)
在功率传输周期结束后,PWM关断开关LO2,在初级侧,折回的负载电流加上励磁电流经由SW2结点返回VIN,从主动到从动传输在HO2体二极管或HO2导通时完成,无论谁早一些完成。延迟总是插入的,其由设置RD2给出合适的值,HO2仅在体二极管正偏时导通,在此模式下,Imag +Ilplak作为电流源给SW2结点处的寄生电容充电。在轻载条件下,它用更长的时间将SW结点推向VIN。
主动到从动的传输时间可以用下式近似求出:
c.jpg
此处,Im是励磁电流,NTR是变压器匝比,Ilpesk是输出滤波电感电流的峰值,Cparasitic是结点SW2处的寄生电容。
(3)工作状态3(自由运转/从动模式)
在自由运转时与传统全桥初级四个MOSFET全部关断不同,在PSFB拓扑中变压器的初级被顶部两个MOSFET(HO1、HO2)短路,或者被底部两个MOSFET短路,在CLK周期内,顶部MOSFETHO1和HO2保持共同导通。进一步在二次侧很像传统全桥拓扑,同步整流的MOSFET两个都被激活,
在此状态,没有能量传输,滤波电感电流通过同步整流的MOSFET在运行。
(4)工作模式4(从动到主动传输)
在开关周期结束时,也就是振荡器测定出电流CLK周期后,初级开关HO1和二次侧FET,SR1同时关断,结点SW1处的电压开始降落到GND,这是由于功率变压器的漏感加上传输电感和SW1处的寄生电容之间的谐振造成的,励磁电感在此时被短路一体成型电感,因此它没有任何动作,LC谐振的结果形成半个正弦波,其周期取决于漏感和寄生电容,正弦半波的峰值是负载电流的函数,由从动到主动传输时间由下式给出:
d.jpg
当由仔细增加漏感或增加一个外部串入电感来调谐时,正弦谐振波形峰值由LO1体二极管箝住,在此时ZVS在LO1开关时实现。
CLK周期的开关顺序如下电感厂家:开关LO1主动期令对角的LO1和HO2导通,传输功率,功率传输周期结束,此时PWM关断HO2紧随着是主动到从动传输。此时LO2导通,在自由运转时,LO1和LO2两者激活,从这个顺序可以扼流电感推断,右上部和左下部MOS导通(HO2、LO2)其由PWM信号终止,结束

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