基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计

A行利用汇编伪指令“．sect”为引导程序定义了一一体成型电感器个段，通过链接命令文件将该段程序准确定位在指定的地址空间。B行引用_c_int00子程序，是由系统自动生成的复位中断服务子程序，利用该子程序使程序在执行完引导程序后跳转到主程序入口地址执行主程序。
4．2 C6713对Flash的操作
对Flash的操作有复位、数据读、擦除、烧写。Flash的复位操作相对简单，只要向Flash任意地址单元写入数据“0xF0”便可实现其复位操作。数据读与一般的RAM存储器相同，但Flash的擦除和烧写操作却有其自身特点塑封电感。
4．2．1 Flash的擦除电感量
由于Flash的烧写操作只能将其内部存储单元由“1”改写为“0”，反之不行，所以必须先将Flash内部存储单元擦除后才能写操作。也就是说，擦除操作是将Flash内部存储单元全部写为“1”。
由Flash擦除命令字看出，Flash的擦除分为片擦除和扇区擦除，采用片擦除，需要向2个地址写入不同数，从而擦除整个器件。其擦除子程序代码如下：

擦除操作完成后，可通过CCS查看0x90000000开始的单元，如均改写成“0xFFFFFFFFF”则表明擦除成功。
4．2．2 Flash的烧写
通常烧写有两种方式，一种是在烧写器上对器件烧写后再插到PCB板上，待调试完成再将其焊接固定。但目前多采用贴片式元器件，所以方案采用第二种烧写方法，即在线烧写法。利用仿真器通过JTAG仿真口按照一定的时序和要求对Flash烧写。烧写部分程序代码如下：

在A行中，0x555左移1位后加到Flash的起始地址，这是因为写Flash要求向0x555地址写入数据“Oxaa”，该地址为Hash的地址，即要求Flash地址线AO~A18上出现0x555数据，由于DSP的第l位地址线EA2与Flash的AO相连，32位DSP对指向“short”型数据的指针操作时会自动将地址左移1位，以满足对偶地址操作的要求，所以应像A、B行中手动将0x555，0x2aa地址左移l位，再加上DSP自动左移1位，就使地址0x555的第1位出现在EA2上，即AO~A18得到数据0x555，而DSP实际输出地址为Ox90000AAA。D行的操作是将32位DSP内部RAM中的n个16位二进制数搬移到16位Fla电感器生产sh中，指针变量“flash_addr，source”均为指向“short”型数据的指针变量(16位)，所以Flash会使用全电感器生产厂家部的16位数据线，而DSP只使用32位数据线的低16位用于传输数据。
4．3 链接命令文件(*．cmd文件)
链接命令文件是DSP开发过程中生成可执行文件(．out)必不可少的一个文件。其作用是对DSP固有段和由用户自定义的段在使用仿真器load程序时定位，将各段程序分配到存储器的指定地址。这样用户就可以知道引导程序、中断向量表和主程序在DSP内存空间的准确地址。
由于待烧写的引导程序、中断向量表和主程序需定位在DSP内存Ox00000000～0x00003FFF的地址空间中。烧写程序需定位在Ox00004000～0x000141FF的地址空间。链接命令文件部分程序代码如下：

5 结语
以C6713为例，介绍了DSP的上电自举过程及实现方法，详细说明了其中关键问题及技术难点，并应用程序实例和框图加深读者的理解。对于读者一体电感器开发TI公司的其他产品也有一定的借鉴作用，特别对于从事DSP设计的入门级人员会有很大的帮助。所涉及的内容均经过实践证明，运行稳定可靠。

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