功率管理优化功率的实现
来源： 作者： 发布时间：2015-03-14 11:57:40 浏览量：随着由电池供电的便携式消费类产品的增长，IC芯片的功耗已成为了一个世界性的问题，设计者必须通过配置合适的功率管理系统采用各种办法来节省能量。便携产品的设计却要求工程师开发更有效的节能系统。随着消费类产品越来越复杂，功率管理系统的设计也越来越复杂。
对于移动设备而言，更长的电池使用寿命、更长的共模电感通话时间或更长的工作时间都是明显的优势，降低电源要求意味着使用体积更小的电池或选择不同的电池技术，这在一定程度上也缓解了电池发热问题；对于有线系统而言，设计师可通过减小电源体积、减少冷却需求以及降低风扇噪声来提高电池效率。有效的功率管理涉及到恰当技术的选择、优化的库和知识产权（IP）的使用，以及设计方法（图1）。
图1，有效的功率管理需要选择恰当的技术、库和IP设计方案以及芯片设计方法。
功耗在电子设备中正变得更加重要。功率的损耗。电路中通常指元、器件上耗 散的热能。有时也指整机或设备所需的电源功率。电感的单位 功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指的是在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。不过复印机和电灯不同，是不会始终在工作的，在不工作时则处于待机状态，同样也会消耗一定的能量（除非切断电源才会不消耗能量）。
MOS晶体管的基本工作
为了解功率，让我们从经典的MOS晶体管漏极电流方程开始，MOS晶体管是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。虽然这些方程只对较老的技术准确，并且未考虑现代技术中的亚微米几何结构引入的各种影响，但它们使人们能了解晶体管的总体行为。
图2，某NMOS FET表明了施加在其端子的电压。
在数字电路中，当晶体管处于接通状态时，它位于饱和区，此时漏极至源极电流IDS服从以下方程（图2）：
（1）
其中TOX是栅极氧化物厚度，W是晶体管的沟道宽度，L是晶体管的沟道长度，VGS是晶体管的栅极与源极之间的电压，VTH是阈值电压，K取决于工艺技术。阈值电压服从以下方程：
（2）
其电感器生产厂家中VSB是源极与基底之间的反向偏压，VFB是平带电压（它取决于工艺技术），γ和ΘS也是取决于工艺技术的参数。
如果漏极至漏极电压等于电源电压，即栅极与源极之间的最大电压，那么你就能运用以下方程来计算接通电流：
（3）
然后可以把有功功率表示为：
（4）
泄漏功率
MOS晶体管中的主要泄漏部分是结泄漏、栅极泄漏、栅极感应漏极泄漏、亚阈值导电。当漏极和基底之间或是源极和基底之间的PN结在晶体管处于关断状态下变成负偏压时，会出现结泄漏，此时由于存在反向偏压二极管而出现泄漏电流。
当栅极至漏极重叠区中的高电场导致带至带隧穿，并导致栅极感应漏极泄漏电流时，就会出现栅极感应漏极泄漏。当晶体管处于关断状态时，会出现亚阈值导电；它并非真地处于关断状态，但由于微弱的反相而导电。亚阈值导电是导致泄漏电一体成型电感器流的主要因素。你可把该电流表示为：
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