请教各位，MOS管损坏是GS过呀还是DS过压造成
来源： 作者： 发布时间：2017-10-25 12:55:11 浏览量：请教：
排除过流或元件本身质量造成的，发生几率又特别低,万分之几。N沟道MOS管 IRF3205S损坏，特征是GS间电阻为几十欧，DS电阻为几欧或者1点几欧，GD间电阻=GS电阻+DS电阻，这种情况最可能是GS过压造成还是DS过压造成呢？GS并了18V稳压管，MOS管标称GS耐压20V，我担心稳压管误差，MOS管耐压有误差，但是我发现在家里去掉这个稳压管试验怎么也坏不了。发生静电几率太低了，贴片焊接，而且都是先焊稳压管再焊MOS管。
概率这么低,很有可能是ESD之类的
损耗的条件是什么情况？驱动芯片是否有损坏？
肯定不是ESD产生的，我拿8KV接触放电直接打，也打不坏的。再说同时驱动好几路负载，为啥就这路有问题呢？ 驱动都没事，只要换个MOS管就一切OK 可能是负载过大，造成MOS发热厉害，导致烧坏用电阻噪声确定一个低噪声放大器的特性如果知道或可以估计出一款低噪声放大器的增益或噪声带宽，只使用几只电阻和一只交流电压表，就可以测出其它的规格。本例使用了Johnson方程，它描述的是一只电阻所生成的噪声量。要找到缺失的参数，就要测量放
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