电子元器件失效分析技术
来源: 作者: 发布时间:2015-05-27 07:06:23 浏览量:做光辐射显微镜探测, 首先要在外部光源下对样品局部进行实时图像探测, 然后对这一局部施加偏压, 在不透光的屏蔽箱中, 探测样品的光辐射。
半导体器件中, 多种类型的缺陷和损伤在一定强度电场作用下会产生漏电, 并伴随载流子的跃进而产生光辐射,这样对发光部位的定位就可能是对失效部位的定位。目前,光辐射显微分析技术能探测到的缺陷和损伤类型有漏电结、接触尖峰, 氧化缺陷、栅针孔、静电放电损伤、闩锁效应、热载流子、饱和态晶体管以及开关态晶体管等等。
6 微分析技术
微分析是对电子元器件进行深入分析的技术。元器件的失效同所用材料的化学成分、器件的结构、微区的形貌等有直接关系。失效也与工艺控制的起伏和精确度、材料的稳定性及各种材料的理化作用等诸多因素有关。为了深入了解和研究失效的原因、机理、模式, 除了采用上述技术外, 还要把有关的微区情况弄清楚, 电感磁环取得翔实的信息。
随着元器件所用材料的多样化, 工艺的复杂和精细化,尺寸的微细化, 对微分析的要求越来越迫切。目前在国外已广泛应用这项技术作可靠性和失效分析。改革开放以来,我国引进大量大型分析测试仪器, 已完全具备了开展微分析的条件。
微分析技术是用电子、离子、光子、激光束、X) 射线与核辐射等作用于待分析样品, 激发样品发射出电子、离子、光子等, 用精密的仪器测出它们的能量、强度、空间分布等信息, 从而用来分析样品的成分、结构等。
微分析工作的第一步, 多数是看形貌, 看器件的图形、线系以及定位失准等。为此可用扫描电镜( SEM) 和透射电子显微镜( STM) 来观测, STM 的放大倍数可达几十万倍, 几乎能分辨出原子。
为了了解制作元器件所用的材料, 可用俄歇电子能谱(AES) 、二次离子质谱( SIMS) 和X电感厂家 一光光电子谱( XPS)等仪器进行探测。还可在使用SEM 和STM 作形貌观察时,用它们附带的X 一光能谱或波谱作成份分析。AES 还能给出表面上成份分布。为了了解成分的深度分布, AES 和XPS 等仪器还有离子枪, 边作离子刻蚀边作成分测试, 便可得知成分按深度如何分布。为了得到更电感生产厂家高的横向分辨率,作AES 测试时, 电子束的
焦斑要小, 要用小光斑的XPS.电子元器件所用的材料包括从轻元素到金铂和钨等重元素,探测不同的元素常常采用不同的仪器。如用AES 探测轻元素时, 就不那么灵敏。
器件检测的一个重要方面是对薄膜和衬底的晶体结构进行分析, 包括了解衬底的晶体取向, 探测薄膜是单晶还是多晶, 多晶的择优取向程度, 晶粒大小, 薄膜的应力等,这些信息主要由X 一光衍射( XRD) 仪来获取。转靶X 一光衍射仪发出很强的X 一射线, 是结构探测很灵敏的仪器。SEM 和STM 在作形貌观察的同时, 还能得到有关晶体结构的信息, 如观察薄膜的晶粒。还可在STM 上作电子衍射, 它比普通的X 一光衍射更加灵敏。
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IC 表面字是 S10BLH 23-5 和 S47BLE 23-6 谁知IC 表面字是 S10BLH 23-5 和 S47BLE 23-6 知道型号吗?有的麻烦告知一下 ,谢谢!
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