IR2110为什么要再接推挽电路后驱动MOSFET?

最了看一块美国公司的电路:

1. 多个MOSFET并联, 需要较大驱动电流

2. 用IR2110驱动, 但IR2110的HO, LO都是接了由一对0.5A的NPN+PNP组成的推挽电路, 再驱动MOSFET

疑问:

IR2110的HO, LO都是推挽输出, 而且最大电流可达1A, 为什么还要接一对晶体管推挽? 有什么好处?

MMBTA06和MMBTA56三极管, 0.5A, 80V 还是为了提高驱动能力··

我想可能是驱动能力, 但IR2110有1A的驱动能力, 而那两个三极管额定只有0.5A就有点不理解了

这个要看三极管的峰值电流输出能力。 要坏也是坏后面的三极管，IC不坏。

好招! 还可以避免驱动线太长的寄生电感.

这里的VCC是和IR2110的VCC端是同一个电源么？

可以把那个美国公司的电路图发给我看一下么？

局部功能,不解或妙用可以讨论, 完整的电路图扩散了不好

这里的VCC是和IR2110的VCC端是同一个电源么？

低侧驱动时的VCC与IR2110的VCC相同, 高侧驱动时的VCC与IR2110的VB相同(即是自举电源)

谢谢，我现在想用IR2010（输出电流-3-3A）驱动IRFP4768（250V，93A）组成的全桥电路，请问驱动芯片后面需要加这样的推挽么？ 只单只不并联吧? 应该用不着. 这种应用是并联好几个大管(6~8个).

单只，谢谢哈！

电路能不能都贴出来呀

电子元器件失效分析技术电子信息技术是当今新技术革命的核心， 电子元器件是发展电子信息技术的基础。了解造成元器件失效的因素，以提高可靠性， 是电子信息技术应用的必要保证。开展电子元器件失效分析， 需要采用一些先进的分析测试技

基于AT89C2051的智能型汽车防撞报警器的设计介绍了AT89C2051单片机的性能及特点，及以其为核心的一种低成本、高精度、微型化、数字显示的汽车防撞报警器。该防撞报警器利用超声波及集成霍尔元件实现对汽车的测距和测速，利用单片机的实时控制和数据处

金属磁粉芯本人是电子变压器行业的新人，想了解金属磁粉芯这一行业，有没有那位大神普及一下基础知识，在此非常感谢。有没有相关的qq群。谢谢！
主流的有4种材质 MPP HighFluxSendust MegaFl