电磁兼容的概念及设计方法
来源： 作者： 发布时间：2015-02-11 09:49:41 浏览量：4）直流电源的电磁兼容措施
——整流电路的高频滤波即在整流管上并联小电容（0.01μF）进一步滤掉从变压器进入的高频干扰。
——直流退耦即在直流电源和地之间并联2个电容，大电容（10～100μF）滤掉低频干扰，小电容（0.01～0.22μF）滤掉高频干扰。
5）电源的其它电磁兼容措施
——控制电路和功率电路采用分相供电或采用不同的电源供电；
——采用UPS（不间断电源）供电；
——采用电源电压监视集成电路。
5.1.2 暂态过程
暂态过程是由于电路机械触点的分合，负载的通断和电路的快速切换等导致电路电压或电流发生快速变化，而成为电磁干扰源。
暂态过程的电磁兼容设计方法为
1）电路机械触点的熄火花电路
电路机械触点的熄火花电路由电阻（R）和电容（C）串联组成。其原理是用电容转换触点分断时负载电感（L）上的能量，从而避免在触点上产生过电压和电弧造成的电磁干扰，最终由电阻吸收这部分能量。
电路参数计算如下：
R>2（L/C）1/2 （Ω） （1）
C1=4L/R2 （μF） （2）
C2=（Im/300）2L （μF） （3）
式中：R为电阻（Ω）；
L为负载电感（μH）；
Im为负载电感中的最大电流（A）；
C取C1、C2中大者。
2）电感负载的续流电路和吸收电路
直流电路电感负载的续流电路是用二极管反并联在电感负载上。当切断电感负载时，其上的电流经二极管续流，不会产生过电压而危及电路上的其它器件。
参数选择如下：
IF>2IN (4)
VRRM>2VN (5)
式中：IF为二极管正向平均电流；
VRRM为二极管反向重复峰值电电感器批发压；
IN为电感负载的额定电流；
VN为电感负载的额定电压。
如果用压敏电阻代替二极管，其效果会更好。因为压敏电阻吸收能量更快，从而减小了动作响应时间。另外，压敏电阻还可应用在交流电路电感负载的场合。应用压敏电阻时应当注意以下几点：
——压敏电阻的标称电压；
——压敏电阻的压比；
——压敏电阻的吸收能量能力；
——压敏电阻的前沿响应时间；
——压敏电阻应当尽量紧靠电感使用。
3）电容负载的限流电路
电容负载的限流电路由电阻（R）和开关并联组成。其原理是用电阻限制电容负载开始投入时的短路电流，从而避免短路电流造成的电磁干扰。经过时间（t）将开关闭合，切除限流电阻。
参数选择如下：
R>2VN/IN （6）插件电感器
t>3RC （7）
式中：IN为负载的额定电流；
VN为电源的额定电压；
绕行电感器 C为负载的电容。
4）电路快速切换的电磁兼容措施
电路快速切换（包括晶闸管换流、直流斩波、二极管关断时的电荷存储效应等）将导致电压或电流的快速变化，而成为电磁干扰源。
对此可采用如下电磁兼容措施
——串联缓冲电感，以降低电流变化率；
——并联缓冲电容，以降低电压变化率；
——用电感电容谐振电路代替直流斩波，以降低电流变化率或电压变化率。
5.1.3 电磁辐射
电磁辐射包括电子设备内部和外部两种电磁辐射源。其实任一电流的周围都存在磁场，而变化的磁场会产生变化的电场，这种电磁场就是电磁干扰源。
电子设备中主要的电磁辐射源是大电流、高电压的强功率电路和器件，电压或电流快速变化的电路和器件以及高频电路和器件。
对电磁辐射的电磁兼容设计是，采用电磁屏蔽的方法，即用屏蔽材料将电磁辐射源封闭起来，使其外部电磁场强低于允许值。
电磁屏蔽的技术原理主要有两种：
一是反射，由于空气和金属屏蔽的电磁阻抗不同，使入射电磁电波产生反射作用。磁场中的反射损耗R(dB)，对磁场源而言
R=20log10{[0.012(μr/fσr)1/2/D]＋5.364D(fσr/μr)1/2＋0.354} （8）
式中：μr为相对磁导率；
σr为相对电导率；
f为电磁波频率（Hz）；
D为辐射源到屏蔽体的距离（m）。
对电场源而言
R=322＋10log10(σr/μrf3D2) （9）
二是吸收，进入金属屏蔽内的电磁波在金属屏蔽内传播时，由于衰减而产生吸收作用。吸收损耗A(dB)为
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