双NMOS作为电源防护的问题：过压，反接，直流系统接入交流电保护

如图：

我想实现的功能：接入直流电压超过16V进入保护，接入负电压进入保护（反接保护），接入交流24V后不损坏（正向进入过压保护，反向进入反接保护）。

两个Nmos管的用法已经实现DC16V直流过压保护，反接保护。

可是为什么接入AC24V的时候的时候输出端波形出现负向电压，并且在带大负载（2A）后mos管烧坏。

空载时候的波形（正半周期出现了负电压，负半周期的负电压没有消除）：

接入一个小负载后波形恢复正常（下图），并联大负载后烧坏mos管。

在主回路中串入一个二极管后，AC24反向部分被滤处，电路可以正常工作。说明MOS管烧坏是由于负电压的引入造成的。

问：请教各路大神，

1.为什么mos管在交流模式下不能进入反接保护的状态？

2.如果要在这个电路的基础上做改动以实现我需要的功能，怎么改进？

问题如上，请多指教。不胜感激。

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/

这贴连沙发都没人敢抢. 先跟你说原因，有思虑可先改，不然等我明天上图...

AC电源Vin端正半周，则地端为负半周，AC24V所以峰对峰为48V, 当电压下降到正半周为+8V, 负半周为-8V时将㑹输出，因为过电压失效，你㑹看到约16V正弦.....

当极性反转，Vin为负半周，地为正半周，你的稳压管变顺向，提供Mosfet_S一个负电位，又刚好Mosfet_G正负都可通，且开关电晶体失效，因此两个Mos管同时通，但因为地为正半周，当Mosfet通时，将㑹使Mosfet截止，因此Mosfet止能导通在临界点，此时RDSon很大，当你加一颗高阻值电阻，电压㑹降，这是电阻与RDSon分压结果，当你用很小电阻时，变成Q2内二极体顺向，Q3_S得到实际电位，D_S过大电流，Q3㑹挂掉....

这都是你那两颗稳压管在搞鬼......

上電路:

用雙P作保護, 電壓

極性對, Q3在約3V打開P-Mosfet, 極性不對則P-Mosfet 打不開

電壓超過431分壓點, Q3不通, P-Mosfet 關閉不通

交流輸入, 正半週極性對, 一樣會有正弦輸出

負半週期性不對, 431不會動, Q3也不會動, P-Mosfet也不會動

D1是因為431類比輸入不允許有達-0.3V電壓, 所以串二極體, 保護Vref Pin

D4反向保護431 A-K

D2為防止Q3 B-C成順向進入飽和區.......

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