UC3843/3875电源控制芯片输出是否需要加推挽后驱动MOS呢

有些电源上，3842或3875的输出接了推挽三极管，然后驱动mos管或驱动隔离变压器。

假如使用的是大电流的三极管也可以理解，但见过有的使用MMBT4401和4403推挽的。电源IC本身的驱动能力就是1A，再加500mA的4401，这电路是不是设计的不靠谱呢？

搬個沙發，坐等學些~ 外加图腾柱除了增大驱动电流外，还可以起一点保护作用，防止驱动侧高压倒灌损坏芯片。

您说的防止驱动侧高压倒灌损坏芯片的具体含义是什么呢？

我见过外加图腾柱（4401+4403小电流管）这种推挽电路上，三极管反并联二极管，模仿成mos可以反向通流的用法，是您说的这个意思吗？

或者这个方法纯粹是画蛇添足？

由于MOS管存在栅极电容，因充放电作用会引起延时导通或截止，加图腾柱起加快导通或截止的作用。

PWM IC 只要內置驅動電路, 在推動MOS管時, IC 一定會有溫度, 所以在驅動接腳與MOS G極間會多串一顆電阻, 主要是限制推動電流與放電電流

但是, 一但接上這電阻, 在推動較大功率的MOS管, 會因為Ciss關係, 使的上升緣與下降緣會出現斜率, 造成交換損失(Switch loss)

且, 內置於IC的推動器飽和電壓是隨輸出電流上升而上升, 比方說, 電晶體飽和電壓理論應為0.2-0.3, 內置可能在推動100mA時0.3V, 推動300mA時0.5V

推動500mA時可能達0.8V飽和電壓, 以P=I*V來解釋,PWM IC 會有溫度, 而外置電晶體做圖騰, 則可保證飽和電壓一定為0.2-0.3V

況且, 熱在外部總比熱在IC內部好多了..

同7楼。难道小电流图腾柱只是为了降低芯片发热？可是如果这个热量都承受不了，PWM IC设计电流这么大干什么，内部能力直接设计为0.5A不就可以了？ 我的问题不是加图腾柱的意义，而是图腾柱电流比芯片更小情况下的意义

換個角度, 3842可扇出1A電流, 但當你扇出1A時, 內部推動電晶體飽和電壓為1V, 這輸出電壓位準是跟你Vcc有關係

在設計時通常為了短路好保護, 不會把Vcc設計的太高, 3842啟動電壓為16V, Down 到10V不動, 因此Vcc設定為12V

空載11V, 重載14V, 此時你用一個大規格MOSFET 推動瞬間抽1A, 因此在推動端最高電壓為Vcc-Vset, 大電流發生一定是在

重載, 所以輸出最高Level 為14V-1V=13V, 瞬間損耗 t=i*C, 所以i=t/c Pmax=Vset * i = 1V*1A = 1W

而外部推動雖然為500mA, 但Vset 僅0.2, 所以輸出推動Level為 Vcc-vset =14-0.2 = 13.8V

Pmax =0.2 * 0.5 =0.1W 但是記住, 因 i = t / c 其中C=Ciss 它是隨時間遞減......

你可以去查一下38系列 output Driver Current VS Vset Curve , 就會知道他的意義在哪..

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