采用Mini-SPM设计高压侧栅极驱动电路
来源： 作者： 发布时间：2015-05-06 07:19:40 浏览量： C. RE(H)的上限
当低压侧IGBT导通时，高压侧IGBT集电极和发射极之间的dv/dt将增加。由于dv/dt的这种变化，CCG感应出的电流ICG会流经RG和RE(H) 。如果VGE大于高压侧IGBT的电压阈值，高压侧IGBT便会发生瞬间导通。为了防止这种故障出现，应对RE(H)设置上限。而对于Mini-SPM，RE(H)的限制为低于30Ω。在RE(H)=100Ω时，IC反向恢复电流有所不同，这种异常电流是由于高压侧IGBT的瞬间导通而产生。
结论
本文讨论了塑封电感器如何使用Mini-SPM设计高压侧栅极驱动电路，并着重讨论采用外接栅极电阻来优化开磁芯电感关损耗和噪声之间的权衡，以及降低大电流电感HVIC电压应力。本文的讨论在一般情况下适用于所有IGBT驱动IC。
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