尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
来源： 作者： 发布时间：2015-05-07 08:22:05 浏览量：
三脚电感
3 结语
当相邻功率电感器单位元胞尺寸不断缩小后，尤其在设计栅极氧化膜较薄的器件时，在传统的TMOS工艺中，源区注入会穿透栅极侧壁影响器件性能。采用突起式结构可以有效地避免刻蚀工艺及源区注入对较短沟道器件的间接影响，消除了器件穿贴片电感通的风险，保证了器件的稳定性能和可重电感厂家复性。
数字信号处理器（DSP）在串联型电力有源滤波器中的1引言 应用电力电子技术抑制谐波，以改善电能质量的新技术 电力有源滤波器（ActivePowerFilter）已成为近年来电力系统研究领域中新的热点。国际上以抑制谐波电流为目的的并联型电力有源滤波器应
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MOS管用在开关电源中，当做 开关使用MOS管用作开关，不知道哪种MOS管的导通电流很小，我目前用的是SC1N60，但是它的导通电流要求比较大，求指导！
问题都看不懂，可能我水平不够吧，
要不你组织一下语言。
什么意思？需