一种内置隔离电源的混合集成IGBT驱动器

1 引言

　　igbt（isolated gate bipolartransistor），即绝缘栅型双极性晶体管具有优越的低饱和压降，较高的电压和较大的电流输出等特点，在功率电子相关产业得到更为广泛的应用和关注。为了使igbt在大功率系统发挥更稳定和安全的性能，需要为其设计专门的驱动器。国外hp、infineon、ir及fuji等都有专用的hvic驱动器。其主要应用于小功率系统，在较大功率应用中，驱动器常用三菱m57系列与富士exb系列的厚模混合驱动器［1］。但此类驱动器较多不自带隔离电源，需外部增加隔离电源为其供电，增加了驱动电路复杂性，造成用户应用不便。本文详细介绍了一种自带隔离电源的igbt集成混合型驱动器qp12w05s-37的原理与性能，并给出了应用要点。

2 功能概述

　　qp12w05s-37是一种自带隔离电源的混分集成igbt驱动器，具有体积小、隔离电压高、信号延迟小和驱动功率大等特点。最大应用频率可达20khz。主要由3个功能块组成，如图1所示。第一功能块是隔离dc/dc变换器，输出正负双电源为驱动电路提供电源，其又可分为电源输入，电源隔离和电源输出三部分；第二功能模块是控制信号的隔离驱动放大，输入驱动控制信号经具有高隔离电压的光耦隔离后传输到驱动放大级，其电气隔离电压可达3750vac，控制信号经放大级后输出驱动igbt。第三功能块是保护电路，通过检测igbt欠饱和导通压降实现过流与短路保护，并输出故障信号。同时具有软关断和延时自恢复功能［2］。

3 工作原理与性能测试

　　（1）内置隔离电源

　　qp12w05s-37驱动器自带隔离型dc/dc变换器作为驱动电源，采用推挽式变换电路进行电能变换，开关频率约为500khz，输出双路电源电压作为驱动器输出部分的供电电源。一路输出电压为16v；另一路电压为-8.9v。每路最大输出电流为30ma。由于igbt开通与关断时栅极驱动电流较大，为了保证开通与关断时的驱动器能提供足够大的驱动电流，在隔离电源输出端需加一个内阻较小的电容来保证驱动输出足够大的电流要求。考虑到方便用户连接以及减小emi，电源初级侧的地与信号输入负端在驱动器内并未短接，应用时如有需要，可将其两个端子在驱动器外部进行连接。内置了隔离驱动电源的驱动器应用于桥式逆变电路中时，只需单路电源给多只igbt驱动器供电即可，并且该驱动电源可以与控制电路电源共用，极大方便了用户的驱动电路设计。

　　（2）信号隔离与放大

　　qp12w05s-37驱动器是采用光耦实现驱动信号的隔离与传输，光耦输入侧信号须满足光耦的发光二极管导通电流要求，推荐输入电流为10ma~16ma，在不同的控制信号下需选择合适的输入电阻，其计算方法如下式所示：ri为输入外接限流电阻； vi为控制输入信号幅值；vli为光耦的导通压降（此驱动器光耦导通压降为1.7v）；ii为输入电流（电感器 用途此驱动器可选择为10ma～16ma）；150为内接限流电阻值。经过光耦隔贴片电感离后，驱动信号在次级进行了放大，其栅极驱动输出峰值电流可达到5a。其波形如图绕行电感器2所示。

　　（3）栅极驱动输出

　　qp12w05s-37驱动器栅极驱动输出峰值电流为5a。驱动功率由驱动信号频率，igbt的栅极电荷及栅极驱动电压幅值决定。具体可用以下公式来计算：pg=fsw×qg×ug

　　其中pg为栅极驱动功率；fsw为应用频率；qg为栅极电荷； ug为栅极驱动电压幅值。

　　驱动输出峰值电流是由驱动电压与栅极电阻决定，具体的计算公式如下：

　　最大驱动峰值电流：

　　igmax=ug/rgmin

　　ug=ugon+|ugoff|；

　　rgmin=rg+rg’

　　其中ug为栅极电压幅值；ugon为扁平型电感igbt开通时栅极与发射极之间的电压（此驱动器为15v），ugoff为igbt关断时栅极对发射极的电压（本驱动器为－8v）；rgmin为最小栅极电阻，rg为外接栅极电阻值；rg’为igbt栅极内阻及外部线路的阻抗值之和。在实际计算中rg’经常可忽略不计。

一阶二阶电路滤波器的软件方式实现MATLAB中进行软件滤波仿真我身边有些朋友说现在在学校学习什么拉氏变换，Z变换，傅立叶变换没有用，传递函数没有用，差分方程没有用，只是纸上谈兵，我这里先就传递函数和拉氏变换和差分方程介绍几点不自量力

CR6853空载波形异常 电源规格:


电压为:30V-80V AC 输出电压:12V 2A


IC:CR6853 MOS:IRF740 Cin:220UF/200V


变压器 EC28


初级30TS 次级14TS 反馈16TS 感量300uH




测试时发现电

BUCK充电电路中MOS管在关断时有振荡!有原理图+图中BUCK充电电路开关频率120KHz,采用NMOS高端驱动.在充电初期大电流充电时,NMOS的DS间波形还算正常,没有明显振荡;而到了充电过程后期,充电电流小到200mA左右时,NMOS的DS间

 1/2    1 2 下一页 尾页