低成本电压检测方案

目前跟客户项目中需要做一个电压低于3.3V时输出一个低电指示信号，让电池供电的mcu能够检测到做一个动作。目前由于复位芯片（电压检测芯片）成本略高（0.1RMB以上），一直在找其他低成本方案，目前用的下图的方案，各位大神帮忙看下是否有其他更低成本方案来实现。

精度要求不会太高，3.2~3.4V都可以，稍后我找两个不同的三极管来实测一下发出数据来。

顶起

目前测起来一致性没想象中那么差，静态功耗0.1mA左右，勉强可以接受。就是看是否有更好一些的方案，毕竟这种方法对精度的要求有点多：电阻精度，三极管I/V精度，mcu的高电平识别精度。还是不太想用这种方案，大家帮忙看下是否有更可靠的方案。

低成本，而要求挺高的。。。很难。。。 最好用比较器 最便宜的比较器多钱...整体成本能控制在0.1RMB以内最好

最大的困难就是成本，没这方面压力直接有精度很高的检测芯片来做就行，可能从原厂过了代理商报价到了0.18RMB了，没法接受...

所以找些低成本方案，三极管的主要是借重了它的导通特性来做，但是出于静态功耗考虑电阻用不大就会有个逐渐变化的状态，怕不同批次三极管会变化太大。所以集思广益吧~

PN结压降，会随温度变化，每度有2mV，

精度肯定达不到要求，除非恒温使用

也不能单考虑pn结吧，要考虑温度对整个检测电路的影响，主要应该有三极管的导通特性，外围电阻，mcu的io口检测高电平的阈值对温度的表现，目前基本可以确定三极管和电阻的，mcu部分确实不了解，各位大神可以帮忙确认下温升对mcu高电平的识别有什么影响。

在一般的设计中，

1 和 2 是可以忽略的

你可以自己算算

影响最大的还是PN结压降

一般的民用设计：0 ～ 70度

2mV*70 = 140 mV

占 0.6V 的 23%

中心偏差为：11.6%

要看这个误差你能不能接受

把单片机的识别电平作为常量考虑时，我们要考虑的是温度如何影响Vce电压达到识别电压，也就是这个±11%的误差如何影响Ic电流，从下面简单来看，实际的Vbe电压影响要比±11%小的多。反而是β的温度特性影响比较吓人。

这种方案用于检测电池电压是不行的. 功耗大, 元器件的误差, 以及器件参数随温度的变化等因素, 决定了这种方案生产调试成本高, 不同批次误差大.

电池电压检测不能使用809等类似的复位芯片, 因为809迟滞小,不适合检测电池电压.

可以使用CN61C, 3.3V版本的, 价格在0.13左右. 附技术规格书.

DSC-CN61C.pdf

谢谢，目前在用三极管方案做demo看下 踩一脚，以便查询

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