单片机基本结构及C语言编程基础

单片机的外部结构：

1、 DIP40双列直插；
2、 P0，P1，P2，P3四个8位准双向I/O引脚；（作为I/O输入时，要先输出高电平）
3、 电源VCC（PIN40东莞电感厂）和地线GND（PIN20）；
4、 高电平复位RESET（PIN9）；（10uF电容接VCC与RESET，即可实现上电复位）
5、 内置振荡电路，外部只要接晶体至X1（PIN18）和X0（PIN19）；（频率为主频的12倍）
6、 程序配置EA（PIN31）接高电平VCC；（运行单片机内部ROM中的程序）
7、 P3支持第二功能：RXD、TXD、INT0、INT1、T0、T1
　　单片机内部I/O部件：(所为学习单片机，实际上就是编程控制以下I/O部件，完成指定任务)
1、 四个8位通用I/O端口，对应引脚P0、P1、P2和P3；
2、 两个16位定时计数器；（TMOD，TCON，TL0，TH0，TL1，TH1）
3、 一个串行通信接口；（SCON，SBUF）
4、 一个中断控制器；（IE，IP）

　　针对AT89C52单片机，头文件AT89x52.h给出了SFR特殊功能寄存器所有端口的定义。教科书的160页给出了针对MCS51系列单片机的C语言扩展变量类型。

单片机C语言编程基础

1、 十六进制表示字节0x5a：二进制为01011010B；0x6E为01101110。
2、 如果将一个16位二进数赋给一个8位的字节变量，则自动截断为低8位，而丢掉高8位。
3、 ++var表示对变量var先增一；var—表示对变量后减一。
4、 x |= 0x0f;表示为 x = x | 0x0f;
5、 TMOD = ( TMOD & 0xf0 ) | 0x05;表示给变量TMOD的低四位赋值0x5，而不改变TMOD的高四位。
6、 While( 1 ); 表示无限执行该语句，即死循环。语句后的分号表示空循环体，也就是{;}

　　在某引脚输出高电平的编程方法：（比如P1.3（PIN4）引脚）

#include //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义，其中包含P1.3
void main( void ) //void 表示没有输入参数，也没有函数返值，这入单片机运行的复位入口
{
P1_3 = 1;一体电感器 //给P1_3赋值1，引脚P1.3就能输出高电平VCC
While( 1 ); //死循环，相当 LOOP: goto LOOP;
}

　　注意：P0的每个引脚要输出高电平时，必须外接上拉电阻（如4K7）至VCC电源。

　　在某引脚输出低电平的编程方法：（比如P2.7引脚）

#include //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义，其中包含P2.7
void main( void ) 绕行电感器//void 表示没有输入参数，也没有函数返值，这入单片机运行的复位入口
{
P2_7 = 0; //给P2_7赋值0，引脚P2.7就能输出低电平GND
While( 1 ); //死循环，相当 LOOP: goto LOOP;
}

　　在某引脚输出方波编程方法：（比如P3.1引脚）

#include //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义，其中包含P3.1
void mai电感器生产厂家n( void ) //voi电感器生产d 表示没有输入参数，也没有函数返值，这入单片机运行的复位入口
{
While( 1 ) //非零表示真，如果为真则执行下面循环体的语句
{
P3_1 = 1; //给P3_1赋值1，引脚P3.1就能输出高电平VCC
P3_1 = 0; //给P3_1赋值0，引脚P3.1就能输出低电平GND
} //由于一直为真，所以不断输出高、低、高、低……，从而形成方波
}

　　将某引脚的输入电平取反后，从另一个引脚输出：（ 比如 P0.4 = NOT( P1.1) ）

#include //该头文档中有单片机内部资源的符号化定义，其中包含P0.4和P1.1
void main( void ) //void 表示没有输入参数，也没有函数返值，这入单片机运行的复位入口
{
P1_1 = 1; //初始化。P1.1作为输入，必须输出高电平
While( 1 ) //非零表示真，如果为真则执行下面循环体的语句
{
if( P1_1 == 1 ) //读取P1.1，就是认为P1.1为输入，如果P1.1输入高电平VCC
{ P0_4 = 0; } //给P0_4赋值0，引脚P0.4就能输出低电平GND
else //否则P1.1输入为低电平GND
//{ P0_4 = 0; } //给P0_4赋值0，引脚P0.4就能输出低电平GND
{ P0_4 = 1; } //给P0_4赋值1，引脚P0.4就能输出高电平VCC

一种基于UC2844的单端反激式高频稳压开关电源摘要：本文设计了一种以UC2844电流型PWM控制器控制，多路输出的单端反激式开关电源。根据UC2844的电流控制模式给出以单端反激式拓扑结构和峰值电流PWM技术为基础的设计方法，通过测试得到的信号波

通过数学计算了解交错ADC的杂散时间交错ADC时存在的许多不匹配现象。在这些不匹配显像中有一个更为明显的问题：这些不匹配所产生的杂散有多大? 现在，在知道了各种不匹配会引起交错杂散，并且知道杂散在哪里的情况下，工程师该如何知道杂散有

耗尽型工艺实现锂电池充电保护芯片的设计引言便携式电子产品正向轻量化、超小型化发展，为此锂离子电池得到广泛应用，比较常见的正极材料为钴酸锂和锰酸锂的锂离子电池，还有磷酸铁锂电池和磷酸铁锰电池等。 锂离子电池以能量高、寿命长、无记忆性、无污染

 1/3    1 2 3 下一页 尾页