利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本

CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源，CCFL是传统的背光方式，而LED作为LCD背光的后起之秀，正在迅速抢占LCD背光市场。

电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视，原因在于全球各国的耗电量规定以及其环保因素（不含汞等重金属），再加上其轻、巧、薄等特点。LED作为电视背光关注度大幅提升，同时大大改善了LCD的性能，不少厂家甚至直接称使用LED背光的LCD电视为“LED电视”，可见LED在显示领域发挥着相贴片电感当重要的作用。现在LED背光已被提到了一个相当重要的高度，因为它是节能降耗的关键，也是提升清晰度的关键，同绕行电感时也因其价值不菲成为控制成本的关键。CCFL大势已去，LED背光迅猛的增台庆电感长速度已无可阻挡。

LED取代CCFL势如破竹，发展速度超乎人们的预想。DisplaySearch的调研结果显示，2010年全球使用LED背光的液晶电视机达三千七百万台，约占LCD电视市场的20%份额。这个预测大大超过了之前的估计，以至于引起部分原材料短缺，比如导光板及其生产材料树脂、光学板、半导体和电源用变压器等部件的供应紧缺，否则2010年的LED电视市场规模还会更大。即便如此，2010年的LED液晶电视仍是2009年的10倍以上。

液晶电视的LED背光模式

液晶面板中LED背光的设置方式，主要有两种：侧投式和直投式。人们普遍认为直投式LED背光电视的画面感更强。在直投式电视里，要用到数千个LED作为背光并被均匀地排列在整个显示屏的背后。它们在明亮的图像区域发出更强的光亮，并且在暗色彩区完全变暗，节约能源并最大限度提升图像对比度，在图片上产生强烈的对比效果，色彩分明。这种方案的不足之处在于：使用大量LED灯的同时还需要更多符合要求的LED驱动芯片，因此造成直投背光模式成本很高。鉴于该方案的高成本和高复杂度，如今的直投背光模式只应用在高端LED电视方面。

另一种更常用的背光方式是侧投式。侧投式背光是将灯沿着液晶面板四周边缘排列，与导光板结合均匀地将光线照射在整个面板上。由于侧投式显示所需要单独控制的LED数量、组数比直投式少，所以在构建LED驱动方式时更有灵活性；无论高/低电压均可使用，使得系统工程师能够专注于性能和可行性方案的成塑封电感本方面。由于具有成本低、性能优异以及机身较薄的优势，目前侧投式LED背光已占据了市场主导地位。表1简单总结了这两种背光模式的差异和优缺点。

200V SOI工艺技术

工程师选择LED背光驱动芯片时，会发现市场上已经有众多的供应商，但绝大多数供应商的产品都集中在40V～60V电压等级范围内，其原因在于40V的半导体工艺门槛比较低。这给OEM设计师在对系统构架选择时带来重大影响。使用40V的LED驱动芯片可以有两个主要的设计方案：1）每路串联不超过10颗灯；2）一些设计方案中串联10颗灯以上。通常情况下，后一种方案会牺牲一定的可靠性，包括在故障条件下的保护功能，诸如发光二极管LED内部短路故障或过电压击穿，所以那些对可靠性和品质要求都很高的液晶电视厂家并不接受这种方案。

为有效降低LED TV背光驱动方案的成本，芯凯电子科技有限公司(Kinetic Technologies)针对 LED背光和照明开发了全新的200V的SOI晶圆技术。与CMOS或BiCMOS工艺相比，SOI降低了寄生电容从而可以允许更高的速度和更低的功耗，同时也降低了噪音，没有闭锁问题。同时SOI在制造流程上与现有的CMOS工艺兼容，因此生产成本得到有效的控制。

图1 40V LED驱动方案和200V LED驱动方案的背光结构

图2 高压 SOI和高压BCD工艺的比较

芯凯电子的200V SOI器件是制作于薄硅层上的二氧化硅（SiO2）绝缘层；其200V SOI工艺的晶体管器件被掩埋的氧化绝缘层和沟道隔离层所环绕。因为绝缘层将NMOS井和PMOS井隔离开，从而避免了常见的高压闭锁问题。同样，掩埋的氧化绝缘层作为介质阻挡，防止基板漏电，并减少基板噪声。

电能质量的性能指标与改善方法1 电能质量概念电能质量包括四个方面的相关术语和概念：电压质量(Voltagequality)即用实际电压与额定电压间的偏差(偏差含电压幅值，波形和相位的偏差)，反映供电企业向用户供给的电力是否合格;

UC3842占空比调节的问题UC3842最大占空比，我想调节到43%左右，可是小电阻大电容，我取到100nF时电阻只有450ohm，资料手册上Rt要大于5k，那我该怎么调，我原先用10nF 占空比估计有90%，一上电那瞬间反向电压肯定会击穿我的MOS管，我12V上去反向电压就已经达到200V了，我用示波器看过了，这~~~~~~~木听说384x可以外置阻容限制最大占空比。 。 。 。 如果要控制在0.5以内

MOS管栅极电阻在工业电源中的作用1.是分压作用2.下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止3.防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是防止过压产生)4.全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极

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