利用200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本
来源： 作者： 发布时间：2015-09-07 15:35:31 浏览量：将典型的高电压BCDMOS和芯凯的200V SOI对比可发现，用于高电压BCDMOS芯片需要很厚的保护环，这会使其芯片面积增加，达到芯凯同等电压SOI芯片面积的一体成型电感三倍以上，如图２所示。一个直观的例子是，通常BCDMOS工艺里的LDMOS间的间距需要18um，而 SOI只有1.4um。
SOI工艺的另一个优电感器厂家点是可以与低电压器件兼容保存而没有明显的成本和大小差距。相反地，典型的BCDMOS工艺由于需要与低压元件有很大间距，因而使得高低压兼容的芯片成本大幅提高。当然SOI衬底材电感器厂家料成本相较于一般的CMOS或BCDMOS硅片更高，这无疑将被视为劣势。然而，SOI里元件实现以及单芯片中高/低压元件的有机结合，相比于典型的高压栅极隔离工艺，SOI芯片会更小，因此SOI芯片的成本反而相当合理。
基于200V SOI工艺的LED驱动方案
根据LED驱动芯片的电压等级和背光的要求，LED背光架构可分为少路多串联和多路少串联两种。从电器特性来讲，系统设计者可以选择一路串联很多个LED或者一串很少LED的结构。
作为一个极端的例子，如果一个电视机里全部背光LED都串联在一起，那就只需要一个单路的LED驱动芯片，LED的亮度会完美匹配。但是通常一个普通尺寸的液晶电视需要上百颗乃至数百上千的LED，驱动这样一串LED所需的驱动电压将达数百伏（>300V）甚至上千伏，这对家用电器的安全性和效率是一个很大的挑战。另外，该方式无法对不同的LED进行调光，因此只能用于侧投式的驱动架构。
相应地，也可以采用很多通道但每个通道只有很少的LED串联的方式，比如说，每路仅有十颗或更少LED串联。这样，同样一个电视背光方案就需要几十路甚至上百路的LED通道，需要可支持很多路LED驱动的芯片或芯片组，这样以来，芯片成本的增加在所难免。当然，这种方式的好处是芯片选择余地比较广，设计安规达标不难。也有人认为，采用这种方式应该在功率转换效率上有些优势。但实际上由于LED的正向电差模电感器压降都不一致，有时在任意两颗灯之间可能会有10%左右的电压差别，用一颗驱动芯片去驱动很多路LED不一定在工作效率上会占有优势。
总体来讲，这个控制架构会比前一种方式的系统成本高。不过，电感器在电路中的作用如果是直投式的话，因为点阵调光的需要，就必需使用很多路的LED通道，因而只能使用相对低压的多路LED驱动芯片。从实际应用而言，为了成本和安规的缘故，更多的时候是使用折中方案，即几路、每路几十颗LED灯的控制方式。芯凯电子新近自主研发的LED驱动芯片KTD360，在这些方面取得了突破。
KTD360是一颗高达200V的LED驱动芯片，可同插件电感器时驱动６路并联、每路60颗LED串联、每颗LED电流可达150毫安。之所以选用200伏的SOI工艺，是因为很多系统厂商可以提高200V以下的高压电源，也可以顺利通过电视等安规的要求，从而在不牺牲效率的前提下大幅节省驱动成本。
表2将芯凯200V驱动芯片与市场上常见的40V驱动芯片的成本进行了比较。从比较可见，200V的LED驱动芯片不仅可以大幅降低成本，还能减少驱动电路板的面积并简化版图布线。
除了降低成本和简化布线，KTD360还集成了一个与提供高压驱动电源互动的反馈信号（FBO）来有效调节电压，使得驱动电源电压接近负载LED 的正向压降，从而保证90%以上的效率。如图3所示的37英寸电视背光方案，一颗KTD360可以驱动42x6 = 252颗（150mA）LED。其中驱动LED的高压电源由KTC351升压电源提供，但KTD360可以与其它任何一种带有反馈接口的电源有效配合来驱动LED背光模组。
图3 基于KTD360的37英寸电视背光范例
这个案例每路驱动42颗功率LED 总共达900mA的LED的驱动电流。由于KTD360的智能反馈设计，整个驱动及电源系统包括KTD360 驱动电路、 KTC351升压电路及所以得外围元器件的总体效率在整个工作范围（每路50mA到150mA）内都在90%以上，并在每路130mA（总共780mA)电流附近接近96%的高效率。如此的高效率是很多低压方案都难以达到的。
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