[开关电源]关于反并联可控硅击穿

本帖最后由 holddreamair 于 2012-10-7 11:00 编辑 大家好！最近在做三相可控硅开关的实验，用的是反并联可控硅，大概相当于双向可控硅吧，总有一路被击穿。

有人说击穿一般是过压击穿和过流过热击穿。

我这个是一上电就击穿，貌似属于过压击穿的范畴，但是我这里用了由电阻和电容串联构成的保护回路还是击穿。

不知道各位大虾是否有人遇到过可控硅击穿的问题，都是怎么解决的啊？满意回复+6Siderlee 查看完整内容监控一下 你的可控硅两端的电压波形吧 启动瞬间的估计你这个是过流了 瞬间的+4guosr 查看完整内容考虑负载或者线路的容性成分可能带来的瞬间di/dt。

没有图，只能这么怀疑。

贴图来看你得把你的试验调试说清楚  包括电路原理图 试验的电气条件，环境等等楼主的两个可控硅是用什么驱动的？光耦吗？我曾经做一个大功率的加热器的时候就是用的这种方式，不过没有出现你说得这个问题2# jjjyufan 不好意思啊，没有关于可控硅电路的完整原理图，我也不好粘贴到这来

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