耗尽型工艺实现锂电池充电保护芯片的设计
来源： 作者： 发布时间：2015-03-24 10:23:09 浏览量：模拟结果如图6 显示， 在VDD 降到1V 以下时，CO 端输出与VM 相同的电平， 关断充电回路， 实现0V 电池充电禁止功能。
3 芯片的测试结果
采用0.6 μm、n 阱的CMOS 工艺， 芯片的电特性参数测试结果如表1 电感式位移传感器所示。其中T 表示温度，在没有特殊说明的情况下均为T=25 ℃。表1 表明所设计的芯片满足宽的电压工作范围、宽的温度工作范围和低功耗的特点。
表1 CMOS 芯片的电特性
插件电一体成型电感器感器
4 结语
本文对单节锂离子电池的充电保护芯片的功能原理进行了阐述， 详细分析了基于耗尽型工艺的关键电路设计原理， 重点分析了基于耗尽型工艺的低功耗基准电压源的设计， 测试结果显示所设计的芯片模压电感器满足低功耗、低成本、宽工作电压范围的要求，可用于便携式电子产品和医疗测试仪器的锂离子电池的一级保护。
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