热插拔控制器应用介绍
来源： 作者： 发布时间：2015-03-31 07:07:53 浏览量：3 热插拔保护电路设计
热插拔控制器可象图3那样放置在板卡上或象图4那样放置在背板上,置于背板上时允许具有不同输入电容的板卡（不带热插拔保护）在同一插槽进行带电插拔。图3电路可利用MAX4273内部的ON比较器监测外部元器件（如MOSFET）的温度,当温度超出预置门限时,ON比较器通过逻辑控制器断开MOSFET。复位比较器对输出电压进行监测,以为微处理器提供复位控制。具体设计时需注意外部元件的选择和有关参数的设置。
3.1 合理选择外部元件
N沟道MOSFET应选择具有低导通电阻（RDS（ON））的MOSFET,以使漏源之间在满负荷负载下具有较低的压差,从而降低MOSFET的功率损耗。如果RDS（ON）较大,输出电压会随板卡负载的变化而出现波动。表1列出了几种MOSFET的推荐型号,供设计参考。
表1 MOSFET推荐型号：
| 型 号 | 性能指标 | 厂 商 | 网 址 |
| IRF7413 | 11mΩ、8SO、30V | 国际整流器公司 | www.irf.com |
| IRF7401 | 22mΩ、8SO、20V | 空心电感线圈||
| IRL3502S | 6mΩ、D2PAK、20V | ||
| MMSF3300 | 20mΩ、8SO、30V | 插件电感器摩托罗拉公司 | www.mot-sps.com/ppd/ |
| MMSF5N02H | 30mΩ、8SO、20V | ||
| MTB60N05H | 14mΩ、D2PAK、50V | 差模电感器
选择限流电阻（RSENSE）时,应保证所允许的最大工作电流在限流电阻上产生的压降高于低速比较器的过载电压门限（50mV）,通常过载电流设置为最大工作电流的1.2～1.5倍。高速比较器的门限电压应为固定的220mV或50mV～4750mV之间调节,故障检测电流一般设置为过载电流门限的4倍。表2列出了几种RSENSE与限流电平所对应的值：
表2 限流电平与RSENSE：
| RSENSE（mΩ） | 低速比较器过流检测门限（A） | 快速比较器故障电流门限（A） |
| 10共模电感 | 5 | 5～75 |
| 50 | 1 | 1～15 |
| 100 | 0.5 | 0.5～7.5 |
变频器的基本原理变频器是把工频电源(50Hz或60Hz)变换成各种频率的交流电源，以实现电机的变速运行的设备，其中控制电路完成对主电路的控制，整流电路将交流电变换成直流电，直流中间电路对整流电路的输出进行平滑滤波，逆
奇怪的现象今天调试一台反激电源，发现一个怪现象，把串到CS脚的补偿电阻加大了，过流点反而变小。控制IC是NCP1203，它的CS脚是干嘛用的呢？
CS串的电阻？
是指那个外置RC淲波器？
是的，不过只有
一种消除有源电力滤波器系统振荡的控制方法摘要：提出一种增加局部反馈的控制方法，对传统有源电力滤波器控制方式进行了改进。该方法具有能较彻底地消除系统振荡，同时降低电网侧电流和公共连接点电压畸变率的优点。仿真分析结果验证了该方法的有效性。关键词