高压离线式高亮度LED的新型恒流控制电路
来源： 作者： 发布时间：2015-04-21 08:03:20 浏览量：当高压部分的MOSFET 导通时，公共模电感共节点电压VS 迅速地从接地电压滑向VBUS ，同时，低压部分MOSFET 或二极管在反相恢复时间将VS 电流导向接地点。这会对低压部分的开关设备造成功耗大、散热多、增加元件的压力。二极管电感器工作原理图的反相恢复时间通常比MOSFET寄生二极管短。在低频和较小电感生产厂家负载电流下，MOSFET 寄生二极管的恢复时间较长并不会引起任何问题。但在频率和电流较高的情况下，一定要比较低边设备每个结构的总损耗，以优化设计。
要降低MOSFET 寄生二极管的反相恢复损耗，可与MOSFET并联一个肖特基二极管。由于两种设备正向电压存在差异，在开关空载时间，电感会消耗通过肖特基的电流。当高边FET 导通时，由于寄生二极管不会在正向导通模式下运行，肖特基二极管较快的反相恢复时间将主导电路的活动。在低边导通间隔，MOSFET较低的RDS(on) 可保证较低的导通损耗。
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