寄生电容对mosfet的影响

最近遇到一个问题，mosfet的寄生电容对其有什么影响？望群里的老师们指点一二，比如Cgs，Cds，有详细的资料更好

给你简单介绍下，MOS三个电极间的寄生电容分别有Cgd,Cgs,Cds.这三个电容在开关电源的应用中影响着驱动损耗，开关损耗，开关速度。

Cgd，Cgs影响着驱动损耗和开关速度，他们的总和称为Ciss，即MOS的输入电容。

同时，Cgd,Cds的寄生电容在开关时会充放电，也会影响到开关速度和损耗。他们的总和称为Coss,即MOS的输出电容。一般AC-DC的应用，MOS上的电压较高，工作频率也上到几十到100K左右，小的Cds,Cgd也会造成较大的损耗，在高效率应用时，选择MOS时不仅要看Rdson，还要注意MOS的Coss带来的开关损耗。超结MOS同一般的平面工艺MOS有着更低的输入电容和输出电容，同时Rdson也更低。无锡新洁能的超结MOS产品介绍截图供你参考！

slup169_Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits.pdf

这篇文章介绍非常详细了

多谢了

请问有详细的中文资料吗

多谢了

多谢老师的完美回答 多谢；了 导通和关断时间和你驱动电路，寄生参数都有关系，一般实测才是准确的！ 寄生参数这东西不好测量啊，但是使用仿真软件倒是可以比如saber

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