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寄生电容对mosfet的影响

来源:    作者:    发布时间:2018-06-24 18:38:57    浏览量:

360截图20151008215422697最近遇到一个问题,mosfet的寄生电容对其有什么影响?望群里的老师们指点一二,比如Cgs,Cds,有详细的资料更好

给你简单介绍下,MOS三个电极间的寄生电容分别有Cgd,Cgs,Cds.这三个电容在开关电源的应用中影响着驱动损耗,开关损耗,开关速度。

Cgd,Cgs影响着驱动损耗和开关速度,他们的总和称为Ciss,即MOS的输入电容。

同时,Cgd,Cds的寄生电容在开关时会充放电,也会影响到开关速度和损耗。他们的总和称为Coss,即MOS的输出电容。一般AC-DC的应用,MOS上的电压较高,工作频率也上到几十到100K左右,小的Cds,Cgd也会造成较大的损耗,在高效率应用时,选择MOS时不仅要看Rdson,还要注意MOS的Coss带来的开关损耗。超结MOS同一般的平面工艺MOS有着更低的输入电容和输出电容,同时Rdson也更低。无锡新洁能的超结MOS产品介绍截图供你参考!

QQ截图20151009105536

QQ截图20151009105600

slup169_Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits.pdf

这篇文章介绍非常详细了

多谢了

请问有详细的中文资料吗

多谢了

多谢老师的完美回答 多谢;了 导通和关断时间和你驱动电路,寄生参数都有关系,一般实测才是准确的! 寄生参数这东西不好测量啊,但是使用仿真软件倒是可以比如saber
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