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利用数字电源和优化功率器件降低数据中心的功率损耗

来源:    作者:    发布时间:2014-12-03 09:02:46    浏览量:

 图5 ,栅极驱动的数值(VGD)改变时,RDSon就会变化,但是开关损耗降低

图5 ,栅极驱动的数值(VGD)改变时,RDSon就会变化,但是开关损耗降低。

可变栅极驱动的效果如图5所示。如果任模压电感意给定相位内的电流很低一体成型电感,则可以降低栅极驱动电压以便降低该相位的栅极驱动损耗。代价是RDS(on)值稍微增加,因此该相位的导通损耗提高。然而,如果为所选MOSFET选择了合适的数值,则可以降低总功率损耗。如果相电流很高,就会提高栅极驱动电压,以便降低RDS(on)和导通损耗。IR的CHIL?数电感器图片字控制技术让我们能够针对MOSFET、相位数量和每个相位的电流水平来优化这些参数,从而利用服务器VR解决方案实塑封电感器现最大效率增益。

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