三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
来源： 作者： 发布时间：2015-02-08 10:33:43 浏览量：注：1）标电感生产厂家准系列：驱动电路中的信号延迟≤4μs
2）高速系列：驱动电路中的信号延迟≤1.5μs
图6给出了EXB8..Series的功能方框图。
表5给出了EXB8..Series的电气特性。
表6给出了EXB8..Series工作时的推荐工作条件。表6EXB8..Series工作时的推荐工作条件
图7给出了EXB8..Series的典型应用电路。
EXB8..Series使用不同的型号，可以达到驱动电流高达400A，电压高达1200V的各种型号的IGBT。由于驱动电路的信号延迟时间分为两种：标准型（EXB850、EXB851）≤4μs，高速型（EXB840、EXB841）≤1μs，所以标准型的IC适用于频率高达10kHz的开关操作，而高速型的IC适用于频率高达40kHz的开关操作。在应用电路的设计中，应注意以下几个方面的问题：
——IGBT栅射极驱动电路接线必须小于1m；
——IGBT栅射极驱动电路接线应为双绞线；
——如想在IGBT集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT栅极串联电阻（Rg）即可；
——应用电路绕行电感中的电容C1和C2取值相同，对于EXB850和EXB840来说，取值为33μF，对于EXB851和EXB841来说，取值为47μF。该电容用来吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容。
EXB8..Series的使用特点：
1）EXB8..Series的驱动芯片是通过检测IGBT在导通过程中的饱和压降Uce来实施对IGBT的过电流保护的。对于IGBT的过电流处理完全由驱动芯片自身完成，对于电机驱动用的三相逆变器实现无跳闸控制有较大的帮助。
2）EXB8..Series的驱动芯片对IGBT过电流保护的处理采用了软关断方式，因此主电路的dv/dt比硬关断时小了许多，这对IGBT的使用较为有利，是值得重视的一个优点。
3）EXB8..Series驱动芯片内集成了功率放大电路，这在一定程度上提高了驱动电路的抗干扰能力。
4）EXB8..Series的驱动芯片最大只能驱动1200V/300A的IGBT，并且它本身并不提倡外加功率放大电路，另外，从图7中可以看出，该类芯片为单电源供电，IGBT的关断负电压信号是由芯片内部产生的－5V信号，容易受到外部的干扰。因此对于300A以上的IGBT或者IGBT并联时，就需要考虑别的驱动芯片，比如三菱公司的M57962L等。
图8给出了EXB841驱动IGBT时，过电流情况下的实验波形。可以看出，正如前面介绍过的，由于EXB8..Series芯片电感厂家内部具备过流保护功能，当IGBT过流时，采用了软关断方式关断I扁平型电感GBT，所以IGBT中电流是一个较缓的斜坡下降，这样一来，IGBT关断时的di/dt明显减少，这在一定程度上减小了对控制电路的过流保护性能的要求。
2.3M579..Series（MITSUBISHI公司生产）
M579..Series是日本三菱公司为IGBT驱动提供的一种IC系列，表7给出了这种系列的几种芯片的基本应用特性（其中有＊者为芯片内部含有Booster电路）。
在M579..Series中，以M57962L为例做出一般的解释。随着逆变器功率的增大和结构的复杂，驱动信号的抗干扰能力显得尤为重要，比较有效的办法就是提高驱动信号关断IGBT时的负电压，M57962L的负电源是外加的（这点和EXB8..Series不同），所以实现起来比较方便。它的功能框图和图6所示的EXB8..Series功能框图极为类似，在此不再赘述。图9给出了M57962L在驱动大功率IGBT模块时的典型电路图。在这种电路中，NPN和PNP构成的电压提升电路选用快速晶体管（tf≤200ns），并且要有足够的电流增益以承载需要的电流。
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