三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
来源： 作者： 发布时间：2015-02-08 10:33:43 浏览量：在使用M57962L驱动大功率IGBT模块时，应注意以下三个方面的问题：
1）驱动芯片的最大输出电流峰值受栅极电阻Rg的最小值限制，例如，对于M57962L来说，Rg的允许值在5Ω左右，这个值对于大功率的IGBT来说高了一些，且当Rg较高时，会引起IGBT的开关上升时间td(on)、下降时间td(off)以及开关损耗的增大，在较高开关频率（5kHz以上）应用时，这些附加损耗是不可接受的。
2）即便是这些附加损耗和较慢的开关时间可以被接受，驱动电路的功耗也必须考虑，当开关频率高到一定程度时（高电感滤波器于14kHz），会引起驱动芯片过热。
3）驱动电路缓慢的关断会使大功率IGBT模块的开关效率降低，这是因为大功率IGBT模块的栅极寄生电容相对比较大，而驱动电路的输出阻抗不够低。还有，驱动电路缓慢的关断还会使大功率IGBT模块需要较大的吸收电容。
电感器电路
以上这三种限制可能会产生严重的后果，但通过附加的Booster电路都可以加以克服，如图9所示。
从图10（a）可以看出，在IGBT过流信号输出以后，门极电压会以一个缓慢的斜率下降。图10（b）及图10（c）给出了IGBT短路时的软关断过程（集电极－发射极之间的电压uCE和集电极电流iC的软关断波形）。
3结语
随着电力电子技术的快速发展，三相逆变器的应用变得非常广泛。近年来，随着IGBT制造技术的提高，相继出现了电压等级越来电感生产厂家越高、额定功率越来越大的单管、两单元IGBT模块及六单元IGBT模块，同时性能价格比的提高功率电感使得IGBT在三相逆变器的设计中占有很大的比重，成为许多设计人员首选的功率器件。随之而来的是IGBT的驱动芯片也得到了很大的发展，设计人员塑封电感器、生产厂家都给予了高度重视，小型化、多功能集成化成为人们不断追求的目标。相信随着制造技术的发展，将会研制出更多更好的IGBT驱动芯片，并得到广泛的应用。
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