大电流便携式DC/DC变换中MOSFET功耗的计算
来源： 作者： 发布时间：2015-02-27 06:30:44 浏览量：——改变或重新定义输入电压范围；
——降低开关频率以减小开关损耗，或选用RDS(on)更低的MOSFET；
——增加栅极驱动电流，有可能降低开关损耗；
——采用一个技术改进的MOSFET，以便同时获得更快的开关速度、更低的RDS(o一体成型电感n)和更低的栅极电阻。
需要指正的是,脱离某个给定的条件对MOSFET的尺寸作更精细的调整是不大可能的，因为器件的选择范围是有限的。选择的底线是MOSFET在最坏情况下滤波电感器的功耗必须能够被耗散掉。
2 关于热阻
按照图1所示，继续进行迭代过程的下一步，以便寻找合适的MOSFET来作为同步整流和开关MOSFET。这一步是要计算每个MOSFET周围的环境温度，在这个温度下，MOSFET结温将达到我们的假定值。为此，首先需要确定每个MOSFET结到环境的热阻θJA。
热阻的估算可能会比较困难。单一器件在一个简单的印刷板上的θJA的测算相对容易一些，而要在一个系统内去预测实际电源的热性能是很困难的，因为，那里有许多热源在争夺有限的散热通道。如果有多个MOSFET被并联使用，其整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。
我们可以从MOSFET的θJA规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，θJA通常接近于62℃／W。其他类型的封装，有些带有散热片或暴露的导热片，其热阻一般会在40℃／W至50℃／W(见表1所列)。可以用下面的公式计算MOSFET的管芯相对于环境的温升Tj(rise)，即
Tj(rise)=PL×θJA（5）
接下来，计算导致管芯达到预定Tj(hot)时的环境温度Tambient， 即
表1 MOSFET封装的典型热阻
| 封装 | θJA/(℃/W)
最小引线面积 |
θJA/(℃/W)
敷铜4.82g/cm2 |
θJA/(℃/W) |
|---|---|---|---|
| SOT23（热增强型） | 270 | 差模电感器200 | 75 |
| SOT89 | 160 | 差模电感70 | 35 |
| SOT223 | 110 | 45 | 15 |
| 8引脚μMAX/Micro8（热增强型） | 160 | 70 | 35 |
| 8引脚TSSOP | 200 | 100 | 45 |
| 8引脚SO（热增强型） | 125 | 62.5 | 25 |
|
数字控制UPS电源技术及应用传统的UPS采用模拟电路控制，对于生产厂家和用户而言，无论是相控技术还是SPWM技术，模拟控制存在诸多局限性。随着信息技术的发展，高速数字信号处理芯片（Digital Signal Processor 汽车发电机DIY各位前辈，谁能告诉我汽车发电机改成家用发电，要怎么连接呢？越详细越好。 基于DSP控制的全数字UPS逆变器设计摘要：功率变换器的数字化实时控制是电力电子技术的一个重要发展方向。提出了一种新型的基于电感电流模式的双环数字控制器，给出了详细的设计过程，仿真和实验结果验证了数字控制器设计的正确性。关键词：数字控制； 相关信息
|
| 网站首页 | 公司介绍 | 公司产品 | 加工服务|联系我们 |
|
Copyright 2012 © 深圳功率电感生产厂家
|