【获得20元现金红包】利用MOS管搭建竞争电源

想用MOS管搭建竞争性电源，有什么好办法吗？

具体想要的结果是

A/B是输入端 C是输出端。输入输出电压相同，仅作开关作用。

A输入，B不输入时，C输出，由A供电。

B输入时，不管A输不输出，C输出，由B供电。

A/B都不输入，C无输出。

谢谢！

只是看起来有点复杂而已，可以先画图把逻辑一步一步搞清楚，再分部分完成。

为什么一定要用MOS呢？

其实逻辑很简单。

只有一个输出端，所以两个输入端经过开关最后要接在一起。

没有任何辅助使能信号参与，输入同时要作为输出，而且要作为开关的使能。

输入 输出

A A

B B

A/B B

小弟一点都没有头绪，还望指点

其实继电器能很方便的实现，但是考虑到成本和粘连等问题。

B有优先权。

嗯，是这样的。

B有着供电优先权。

就是具体设计的时候不知道怎么实现

試試這一個線路吧, 100%可行

具體工程可來信

juntion_liao@hawyang-semi.com

电流不大,电压不是很低,且两者电压接近的话,容易实现些. A和B的输入端分别串二极管, A输入用一个P沟道的MOS做开关, B输入的同时,关断A的开关就可以了.

电压是相同的，但是不能有其他信号来进行控制。

就是具体想不明白的地方就是 如何在B供电时关闭A的输出。

谢谢！

不带二极管的MOS,能给个型号吗?孤陋寡闻了

不带二极管的MOS管几乎没有，因此也不妨碍使用。

因为当A、B 电源电压相同时，二极管并不会导通，即使另一路电压稍低些，仅是有些反向充电电流而已。

T4是什么沟道？ 也是P沟 接反了 没反！ 这难道是传说中的车载双电瓶隔离器？？？？

参考cjw318提供的原理图修改

T4可以省掉,B输入不需要关断.

其实只要在A、B电源各串一个二极管就能解决问题，其它啥元件都不再需要了！

可是因为二极管压降大，因而采用了MOS管。

假如A电压大于B电压呢？ A>B时更没有问题了，也不会反充（用MOS时）。 T4可以省了，用短路线连接

你好，

非常感谢你的帮助。

有几个问题想请教下，

二极管的压降在大电流的情况下，功耗过大，而不用二极管，使用MOS管无法代替其防止一方有电压，一方没有电压时的倒灌现象。

请问有什么合理的方式吗？

用继电器控制 两个MOS管串联，源对源或漏对漏可以防倒灌替代继电器来使用。 MOS导通时候,只是一根导线,没有方向. MOS管有体二极管只能实现单向截至，楼主有防倒灌要求所以单个MOS管是没法实现的。

感觉单个的反向Nmos可以完成，但是驱动电路又成了一个问题。

这应该可以实现防倒灌吧？？

那两个G极再加上NPN三极管就可以自由控制MOS管的开通和关闭了。

out+有正电倒灌的时候，Q70应该是导通的把？

这样的组合，已经够好用了。。

需要双MOS吗？感觉单个就可以了呀 反向使用 方法不是没有,只是需要检测MOS的电流方向,然后决定是不是要关断MOS开关. 线路比较复杂,付费出方案. 节俭的品质，坚决不忘 算了就此打住，继续下去只会是无底洞，还是回归继电器吧！ 8楼加上34楼就可以解决问题了。。。这个应该就是车载的双蓄电池隔离器。。。
直接用6脚或8脚单片机控制省事方便

用3个P-MOS管，2个三极管组成低功耗竞争电源：

这样的话你图中可以省去一个串的管，以简化电路，如下（就是我8帖的图，只是将T1反向使用而已）：

如果B供电（输出约等于B）而A<B，此时T1的体二极管会使输出向A倒灌。 晕倒。我上一个能用的图。但我不知道可不可以再简化。

MOS管Q3大概可以省掉。

这图有错误。

三极管Q8那一部分电路还应当保留着不然MOS管Q4无法关断了。 还可以把三极管Q5、Q6去掉一个，电阻R2、R4换成二极管后都接到Q5或Q6上，不过好像并不会简化多少

按照你的意思，该简化的，都简化了。。这个成本应该就是最低的吧？

电阻R9漏掉了，三极管Q5、Q6估计也可以省掉一个

R5接VO+不行，要接地，否则不导通，只能通过D3供电，增加功耗。

奥，错了！Q5导通，故Q3导通。

三极管Q4的基级加一个电阻，三极管Q5的集电极和MOS管Q3的栅极之间再串一个电阻估计就功德圆满了。阻值要匹配好，省了一个三极管设计上就要麻烦些了。

不能这样接，因为只有A有电时会通过C倒灌至B，还会使T3导通 >T2截止>T1截止,A只能通过管内二极管导通至C,产生功耗;而当A、B都有电时,T1虽能截止,但假如A>B时，A通过管内二极管导通至C, B会失去优先供电权。 是的，这倒是个问题！ 哎呦 不错哦

这个电路简单，请看我的描述：A/B输入，C输出， B的优先级大于A。如果A/B有电，那就是A路的电路会封锁B路的驱动就行，但B路不对A路进行控制。用P沟不能控制大电流，而耐压也低，用N沟好多了。**************************************画图时A/B标反了，请把A/B互换就行了。

这变成共阳极的接法了。。。不错。。。

而且不会倒灌。。。

应该加分吧。 其实也可以把N沟用在高压端做成共负极的。 那样内阻很低，耐压很高，但电路会稍显复杂，一般是用在高档电路里才会那样做！我申请的充电器专利里的电路就是用的N沟高电位端控制。

个人认为NMOS的这种接法跟PMOS的接法在功能上并没有不同，如果在使用中电流有倒灌那么两个电路都会发生倒灌。

不过某些应用上N管的这种电路性能确实要比P管的好。

左边会倒灌，右边不会。。。右边GND1的电位，都会比R1下面的电位低。

都是假设B>A的情况，不用双MOS没办法避免电流倒灌吧？

这图就明显了。。。是我没考虑清楚。。。

大帅：这样接NMOS管能导通吗？

没试过。不太清楚。。。只是根据逻辑，先画出图。。。

其实NMOS可以用NPN管先代替思考，再转为NMOS管再考虑。。。。

因为共阴输出，阴极电压抬得很高，Vgs无法升高，NMOS自然不会导通。 用辅助电源，将栅极驱动电压提高到Vcc供电的5v以上，即大于MOS管的开通电压，但如此电路将趋更复杂。

主电路

MOS管的驱动供电电路（采用分立式的开关电源即可。）
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