我想这样做一个脉冲驱动变压器来驱动MOSFET，请问可以么

楼主，我想推一个全桥结构的MOSFET，功率不大，MOSFET的规格也就是 5A 600V，故想用以下的方案来推，A  B两路互补的PWM，死区时间2us，脉变副边两组，我期望是得到两组相位相反的脉冲来推全桥的对角MOS，不知道这样的方案可行不？我今天试了一下，副边出来的波形很差，就连原边的PWM波形也被干扰发生畸变了，请楼主以及各位热心人帮忙分析一下，主要原因会在哪里？谢谢第二个图我是测试了其中一组PWM波形，图3是对应副边一组波形，都已经发生畸变，不知道怎么样分析，请斑竹和各位帮帮忙，呵呵！顶部的失真，叫顶降。

如果RC、L/R都远大于脉冲周期，则顶降是很小的，出现你图中的这么严重的顶降，是C太小，或是R太大；脉冲过后的那个小台阶，是励磁能量通过阻尼二极管向源端馈能时的钳位电压:)阻抗啊驱动电路合理设计，可以用一个变压器两个次级绕组实现楼主的愿望。

关键是脉冲过后那个小台阶(两个管子都关断)必须保持在接近于零的电平，否则一个正向脉冲过后，可能使另侧管子导通。

保持在零电平附近，方法是这段时间里驱动要短路，详见下面的电路，两个二极管即为此目的而设。

FPGA方案：SoC数字显示系统本文以Virtex-II系列PlatformFPGA为例，说明采用FPGA方案进行数字显示系统设计所具有的灵活、快速和低成本等特性。系统级芯片(SoC)解决方案被誉为半导体业最重要的发展之一，目前，从

稳压管的钳位 想请问一下各位大侠，下图中D2选用的是18V的双向稳压管，为什么测试的MOS管GS两端的驱动电压波形还是会出现大于18V的电压尖峰，说明这个钳位二极管根本没起到作用，这是为什么呢，

铝板发射电磁波，造成模块通讯故障如题：现象是：我把开关电源（开关电源外壳本身为铝外壳且开关管就放在铝壳上散热）放在小面积的铝底板上，通讯可以正常工作；当我放在更大面积的铝底板上是通讯就开始不正常。 问题： 是大的铝底板造成了电磁辐射吗？如果是应该怎么改进减少铝板的辐射，使通讯恢复正常？？换做铁的底板会改进吗？？补充一下，我把电源模块拿开铝底板通讯就正常了，所以通