基于FPGA技术的存储器设计及其应用
来源： 作者： 发布时间：2015-12-07 17:04:35 浏览量：LPM_RDADDRESS_CONTROL——决定读地址控制信号是寄存方式还是非寄存方式；
LPM_WIDTH——设置存储数据宽度；
LPM_WIDTHAD——设置地址总线宽度；
LPM_WRADDRESS_CONTROL——选择写地址控制信号是寄存方式还是非寄存方式；
USE_EAB——决定是否使用嵌入式阵列块。
双击双端口RAM参数列表可弹出引脚／参数设置窗口。在引脚／参数设置窗口可以具体对双端口RAM进行引脚、参数设置。可以根据具体的对存储器的功能要求，决定各种口线的使用与否。例如不想使用rdclken（读时钟使能）信号，则可以将其Status设置为Unused即可。同时还可以通过Inversion项设定该信号的初始状态（初始值）。在窗口的Parameters参数设置处，选择不同的参数项后，通过ParameterValue项可以改变或设置其相应的状态或数值。如想设置存储数据为8位宽度，则选择LPM_WIDTH项，然后将Parameter Value设置为8。
例如要设计一个11位宽数据，512个存储单元，使用读写同步时钟、不需要读写使能端及时钟使能端的双端口RAM。则可以打开引脚／参数设置窗口，设置LPM_NUMWORDS为512，LPM_WIDTH为11，LPM_WIDTHAD为9，LPM_INDATA、LPM_OUTDATA、LPM_RDADDRESS_CONTROL和LPM_WRADDRESS_CONTROL为寄存方式，使用嵌入式阵列；rdaddress、rdclock、data、wraddress、wrclock、q为Used，rden、rdclken、wren、wrclken为Unused。
其它存储器的构造方法
不同的存储器根据各自特点，应用场合也不尽相同。ROM存储器主要用来存储“常量”，如系统参数、波形发生器的信源等。先进先出FIFO存储器可用于信号的实时不间断采集，存储、缓冲两个异步时钟之间的数据传输等。
ROM、FIFO等存储器的调用库函数构造方法与双端口RAM的构造方法类似，在mega-lpm库中调用相应的模块单元即可。其中ROM存储器在库中是LPM_ROM模块，FIFO存储器在库中有CSFIFO、DCFIFO、LPM_FIFO、LPM__FIFO_DC、SCFIFO、SFIFO共六种。需要说明的是由于ROM在实际系统运行时的不可写入性，在ROM构造过程中要对ROM存储器进行数据初始化。这一操作是通过设置PLM_FILE项完成的。在引脚／参数设置窗口的Parameters参数设置处选择该项，再通过ParameterValue项确定相应的数据初始化文件（*.mif）即可。下面是VHDL格式的ROM数据初始化文件（文件可用任何文塑封电感本编辑器实现）：
双端口RAM在高速数据采集中的应用
利用传统方法设计的高速数据采集系统由于集成度低、电路复杂，高速运行电路干扰大，电路可靠性低，难以满足高速数据采集工作的要求。应用FPGA可以把数据采集电路中的数据缓存、控制时序逻辑、地址译码、总线接口等电路全部集成进一片芯片中，高集成性增强了系统的稳定性，为高速数据采集提供了理想的解决方案。下面以一个高速数据采集系统为例介绍双端口RAM的应用。
该系统要求实现对频率为5MHz的信号进行采样，系统的计算处理需要对信号功率电感进行波形分析，信号采样时间为25μs。根据设计要求，为保证采样波形不失真，A／D采样频率用80MHz，采样精度为8位数据宽度。计算得出存储容量需要2K字节。
根据设计要求，双端口RAM的LPM_WIDTH参数设置为8，LPM_WIDTHAD参数设置为11（211=2048），使用读写使能端及读写时钟。ADCLK、WRCLK和地址发生器的计数频率为80MHz。
A／D转换值对双端口RAM的写时序为顺序写方式，每完成一次A／D转换，存储一次数据，地址加1指向下一单元，因此写地址发生器（RAM_CONTROL）采用递增计数器实现，计数频率与ADCLK、WRCLK一致以保证数据写入时序的正确性。写操作时序由地址和时钟发生器、A／D转换时钟和双端口RAM的写时钟产生。停止采样时AD电感器生产厂家_STOP有效，写地址发生器停止计数，同时停止对RAM的写操作。将地址发生器的计一体成型电感器数值接至DSP总线可以获取采样的首尾指针。地址发生器单元一般用（VHDL）语言编程实现，然后生成符号文件RAM_CONTROL在上层文件调用。其部分VHDL语言程序如下：
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