不同类型无触点开关的性能比较
来源： 作者： 发布时间：2015-02-12 09:40:18 浏览量：基于MOS场效应管的无触点开关器件很多，例如日本电气公司(NEC)的 PS7200系列、Toshi ba TLP351系列、松下Nais AQV系列。通常低导通电阻型适用于负载电流较大的场合，例如N EC PS710B1A：导通电阻Ron = 0.1Ω(最大)，负载电流IL=2.5 A(最大)，导通时间Ton=5 ms。低CR积型的光MOS FET适用于需要切换高速信号的场合，如测量仪表的测试端等。所谓CR积指的是输出级MOS FET的输出电容与接通电阻的乘积，他是评价MOS FET特性的一个参数指标。如NECPS7200H1A：导通电阻Ron=2.2 Ω，共模电感CR积为9.2 pF·Ω，导通时间Ton=0.5 ms，负载电流IL =160 mA。绝缘栅双极晶体管IGBT[3]的结构如图6所示。
这种结构使IGBT既有MOS FET可以获得较大直流电流的优点，又具有双极型晶体管较大电流处理能力、高阻塞电压的优点。这种器件可以连接在开关电路中，就像NPN型的双极型晶体管电感生产厂家，两者显著的区别在于IGBT不需要门极电流来维持导通。基于IGBT的无触点开关，例如Agillent HCPL3140/HCPL0314系列。
各种无触空芯电感点开关的比较
为了方便设计者选用合适的电路，表1给出了不同类型无触点贴片电感开关的参考芯片，并比较了各 芯片的开关特性。
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