基于Supertex的以HV9911升压式高亮度LED背光驱动电路技术设计
来源： 作者： 发布时间：2015-07-29 09:20:58 浏览量： TypeⅠ控制的设计相当简单，只要调整Cc即可，因为交越频率的回路增益之振幅为1
（公式4）Rs•Gm•（2πfcCc）•1/15•1/Rcs•Aps=1
由上述等式，若其它参数值已知Cc的电容值可计算出。
TypeⅡ控制的等式需被设计如下：
（公式5）K=tan（45？+Φboost/2）
（公式6）ωz=1/RzCz=2πfc/K
（公式7）ωp=Cz+cZ=（2πfc）•K
可得到交越率的回路增益之振幅为1的等式如下：
（公式8）
同时解等式（1-6）（1-8）可计算出Rz，Cz及Cc的值。
■利用芯片实际设计出驱动电一体成型电感路
表2驱动电路设计参数表
图8 驱动电路设计参考
步骤一选择开关频率（fs）
对于低压应用（输出电压＜100V），中等功率输出（＜30w），开关频率设为200kHz（时间周期为5ms），对于开关损失以及外部零件的大小来说是个不错的折衷方案。若是更高的电压应用或更高的输出功率，则考虑外部的开关FET的功率损失，就必须降低开关频率。
步骤二计算最大开关周期（Dmax）
最大的开关周期可以使用以下方程式计算：
（公式9）
注意：如果Dmax＞0.85，升压比例太大，则升压电路无法操作在连续导通模式而会操作在不连续导通模式，以达到所需的升压比例。
步骤三计算最大电感电流（Iinmax）
最大电感电流为（公式10）
步骤四计算输入电感量（L1）
输入电感可以最低的输入电压操作下的电感电流25％计算，如下式
（公式11）
选择标准电感量220uH，为达到于最低输入电压的操作时之的效率为90％，则电感的损失约为总输出功率的2∼3％，使用3％计算电感损失。
（公式12）Pind=0.03•Voman•Iove=0.84w
假设80％－20％各别为电感的铜损及铁损，则电感的等效直流电阻，必须小于
（公式13）
绕行电感 电感的饱和电流至少需大于最大电感电流20％。
（公式14）
因此电感为220uH，DCR值约0.3Ω，电感饱和电流需大于2A。但是必须注意，选择电感的有效电流等于Iinmax（虽然可能无法符合效率的要求）但仍可获得可接受的结果工字电感。 非接触CPU智能卡技术引 言随着非接触逻辑加密卡的不断应用，其技术的不足之处也日益暴露，难以满足更高的安全性和更复杂的多应用的需求。2008年，互联网上公布了破解Mifare Classic IC芯片(即M1芯片)密码的方 高压钠灯电子镇流器的研制0 引言 高压钠灯（HPSL）[1]是高强度放电灯（HIDL High Intensity Discharge Lamp）中的一种，因其具有极好的光效（80～140lm/W）和合适的光波长，而被广泛用 多电平技术在直接转矩控制系统中的应用研究摘要：多电平逆变器在直接转矩控制系统中，对减小转矩脉动有积极作用，但中点电位稳定与否，对系统运行的可靠性带来很大影响。这里提出一种电压矢量的合成方法，既能实现直接转矩控制，又能控制中点电压稳定，对分析
步骤五选择开关FET（Q1）
电感磁环 跨接于FET的最大电压等于输出电压，使用20％余量来计算最大突波电压，一体成型电感器FET的耐压选择为：
（公式15）VFET=1.2Vomax=96V
流经过FET的有效电流为：