基于Supertex的以HV9911升压式高亮度LED背光驱动电路技术设计
来源： 作者： 发布时间：2015-07-29 09:20:58 浏览量：（公式16）IFET∼Iimax•√Dmax=1.3A
为求得最佳化设计，FET的电流规格必须至少大于3倍的FET有效电流值，以使用最低闸充电电荷（Qg）操作。使用HV9911时建议FET的Qg需小于25nC目前使用于此案例的FET规格为100V，4.5A，11nC。
步骤六选择开关二极管（D1）
二极管的耐压规格与开关FET（Q1）相同，二极管流过的平均电流等于最大输出电流（350mA）。虽然二极管的平均电流仅350mA，但在短暂的时间内二极管载送着最大输入电流IINmax。二极管两端所跨之电压需相对应于瞬间流过的电流而非平均电流，假设有1％功率损失于二极管上，则二极管两端的压降则必须小于：
（公式17）
最好选择萧特基二极管，当输出电压小于100V时，它不需要考量逆向回复的损失，因此在此案例中选择100V，1A萧特基二极管，它的顺向通过电压在IINmax时为0.8V。
步骤七选择输出电容（Co）
输出电容的电容值需视LED的动态电阻，LED串的涟波电流及LED电流而定，使用HV9911的设计中，较大的输出电容（较低的涟波输出电流）将可获得较佳的PWM调光结果，升压电路的输出以模型简化如图9a将LED以定电压负载串联一个动态阻抗，输出阻抗（RLED与Co的并联组合）被以二极管电流Idiode驱动着，稳态的电容电流波形如图9b所示。
图9升压电路的输出
使用在设计参数表中给的10％峰对峰涟波电流，计算输出的涟波电压为：
（公式20）
假设LSOURCE MAX=1μh（这是此22AWG线长1呎连接输入电源及升压电路之间长度所估出的电感量）下一步是选择一个LC共振频率fLC，先设定fLC=0.4fs=80kHz，则输入电路最小值计算式为： 非接触CPU智能卡技术引 言随着非接触逻辑加密卡的不断应用，其技术的不足之处也日益暴露，难以满足更高的安全性和更复杂的多应用的需求。2008年，互联网上公布了破解Mifare Classic IC芯片(即M1芯片)密码的方 高压钠灯电子镇流器的研制0 引言 高压钠灯（HPSL）[1]是高强度放电灯（HIDL High Intensity Discharge Lamp）中的一种，因其具有极好的光效（80～140lm/W）和合适的光波长，而被广泛用 多电平技术在直接转矩控制系统中的应用研究摘要：多电平逆变器在直接转矩控制系统中，对减小转矩脉动有积极作用，但中点电位稳定与否，对系统运行的可靠性带来很大影响。这里提出一种电压矢量的合成方法，既能实现直接转矩控制，又能控制中点电压稳定，对分析
流过电容的有效涟波电流值为：
（公式21）
步骤八选择断路FET（Q2）
断路FET必需具备与Q1相同的耐压规格，在室温下的导过阻抗（RON，25C）选择在满载输出时，Q2的功率损耗为1％。
（公式22）
步骤九选择输入电容（CIN）
输入电容在闭迥路控制中是相当重要的组件，它是维持稳定的重要项目，不幸的是输入电容的设计相当繁复，设计此电容必须先要找出从输入电源到升压电路的输入端之间的最大感值，LSOURCEMAX（图9a中两个电感值的总和）电源电阻的最大及最小值RSOURCe（图9b中两个电阻值的总和），这将会决定升压电路的特性，电源的电感值及电阻值扁平线圈电感代表着连接输入电源与升压电路之间导线的阻抗，为了设计输入电容必须合理的做算出这两个参数值，而这两个参数值也和升压电路的稳定性有关。（图10）
图10 Definition of the Source Impedance
（公式23）