功率MOSFET雪崩击穿问题分析
来源： 作者： 发布时间：2015-02-25 09:49:51 浏览量：
K
(22)
将温升表达式规范化处理，得
=
(23)
式中：tf=
，为电流i=0的时刻； 电感器hs编码
ΔθM为最大温升(t=tf/2时)。
则由式(22)得
Δθ=
一体成型电感器PoK
=
IoVBRK
(24)
由上面的分析过程可以看出，在功率MOSFET发生雪崩击穿时，器件温度与初始电流，以及器件本身的性能有关。在雪崩击穿后如果没有适当的缓冲、抑制措施，随着电流的增大，器件发散内部能量的能力越来越差，温度上升很快，很可能将器件烧毁。在现代功率半导体技术中，MOSFET设计、制造的一个很重要方面就是共模电感优化单元结构，促进雪崩击穿时的能量耗散能力。
5 结语
与一般双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET的雪崩击穿过程主要是由于寄生晶体管被激活造成的。MOSFET由于工作在高频状态下，其热应力、电应力环境都比较恶劣，一般认为如果外部电气条件达到寄生三极管的导通门槛值，则会引起MOSFET故障。在实际应用中，必须综合考虑MOSFET的工作条件以及范围，合理地选择相应的器件以达到性能与成本的最佳优化。另一方插件电感面，在发模压电感生雪崩击穿时，功率器件内部的耗散功电感器识别率会引起器件的发热，可能导致器件烧毁。在新的功率MOSFET器件中，能量耗散能力、抑制温升能力的已经成为一个很重要的指标。
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